SK하이닉스의 HBM3E 12단 제품. SK하이닉스 제공
[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 24일 3·4분기 실적 발표 후 진행한 컨퍼런스콜에서 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4와 관련 "예정대로 2025년 하반기 고객 출하 목표로 하고 있다"고 밝혔다.
SK하이닉스는 "최고의 특성과 품질 가진 HBM 개발 위해 고객과 HBM 사전 기획 단계부터 기술적 이슈 도출하고 고객 피드백 통해 내부 베이스 라인 개선하는 등의 정합성 높이는 과정 통해 제품 완성도 높여왔다"고 설명했다.
이어 "HBM4에서는 저전력 성능 위해 새로운 스킴 적용되고 처음 로직 파운드리 활용하는 등 기술적으로 많은 변화 예상된다"면서 "기존 테스트 범위 넘어 깊이있는 기술 교류가 필요하고 당사와 파운드리 파트너사간 원팀 체계를 구축해 협업을 진행하고 있다"고 말했다.
SK하이닉스는 "일반 D램과 달리 HBM은 고객 수요에 의해 생산 규모를 결정하므로 칩 사이즈 줄여 원가 낮추는 것 보다 고객 요구 수준 품질의 적기, 안정적 공급이 보다 중요하다"면서 "적기 안정적 품질 HBM4 제품 공급 위해 안정성과 양산성 검증된 1bnm 택, 어드밴스드 MR MUF 기술을 적용해서 준비중"이라고 밝혔다.
rejune1112@fnnews.com 김준석 임수빈 기자
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