과학기술정보통신부가 27일 서울 엘타워에서 '반도체 미래기술 로드맵 발표회'를 갖고 14개 핵심기술을 추가해 우리가 확보해야 할 총 59개의 핵심기술을 선정했다. 과기정통부는 이 로드맵을 기반으로 반도체 소자 미세화의 한계를 극복하기 위한 차세대 반도체 소자 관련 신규사업 기획에 착수할 예정이다. 과기정통부 황판식 연구개발정책실장은 "정부는 향후에도 반도체미래기술로드맵을 지속적으로 고도화하고, 이를 기반으로 반도체 정책과 사업 기획을 전략적으로 추진하겠다"고 말했다. 반도체 미래기술 로드맵은 반도체 미래핵심기술 확보전략의 일환으로 지난해 발표했다. 과기정통부는 이번에 반도체 최신기술 동향을 반영해 14개 핵심기술을 추가해 보강했다. 주요 기술로는 반도체 소자 미세화 및 메모리 고집적화 가속화, AI 기반 신서비스 창출 및 수요기반 반도체 다변화, HBM으로 가속화된 첨단패키징, 반도체 초미세 공정기술 경쟁 등의 기술환경 변화에 따라 반도체 소자 미세화, 시스템반도체, 첨단패키징 등이다. 이에 따라 신소자 메모리, 차세대 소자 개발 부분이 10개에서 19개로 늘어났다. 또 AI, 6G, 전력, 차량용 반도체 설계 원천기술 개발은 24개에서 26개로, 초미세화 및 첨단 패키징을 위한 공정 원천기술 개발은 11개에서 14개로 확대됐다. 과기정통부 관계자는 "이 로드맵은 10년 미래핵심기술 확보 계획으로, 향후 우리나라가 반도체 우위기술 분야 초격차를 유지하고, 시스템반도체 분야에선 신격차를 확보할 수 있는 길라잡이 역할을 할 예정"이라고 말했다. 이날 로드맵 발표 이후에는 로드맵을 기반으로 반도체 소자 미세화에 대응하기 위한 차세대 신소자 발전방안에 대해 논의했다. 황 실장은 "반도체 미래기술 로드맵을 기반으로 정부와 산업계, 학계, 연구계가 국가적으로 반도체 R&D 역량을 결집하도록 노력할 것"이라고 강조했다. monarch@fnnews.com 김만기 기자
2024-08-27 18:05:20[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 14일 플래시 메모리 저장 원리에 대한 논문을 세계적 학술지 '어드밴스드 머티리얼스'(Advanced Materials)에 게재했다고 밝혔다. 삼성전자 혁신센터 CSE팀은 기존과 차별화된 접근방식을 통해 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 근본 원리를 밝혀내는 데 성공했다. 삼성전자는 그동안 간과해 왔던 원자수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는 의미가 있다고 설명했다. 삼성전자가 최초 개발한 V낸드 기술은 평면상에 셀을 두고 개수를 늘리는 기존 구조와는 달리 셀을 수직으로 쌓아 올려 저장 용량을 극대화시킨다. 그러나 최근 V낸드가 세대를 거듭할수록 그 크기가 점차 작아지게 되면서 원자 수준에서 발생하는 현상에 대한 근본적인 이해 없이는 혁신을 이뤄 내기 힘든 단계에 직면했다는 게 삼성전자의 설명이다. 삼성전자는 이번 연구를 통해 플래시 메모리 미세화의 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대하고 있다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자
2023-12-14 14:40:00스팩과 합병해 지난 16일 상장한 포인트엔지니어링이 이틀 연속 상승 흐름을 이어가고 있다. 19일 오전 9시 50분 현재 포인트엔지니어링은 전날보다 5.18% 오른 3455원에 거래되고 있다. 일본 정부는 차세대 노광장비 극자외선(EUV)용 포토리지스트에 대한 수출 규제를 강화했다. EUV 공정은 반도체 미세공정을 위해 필요한 차세대 핵심 기술 가운데 하나다. 포인트엔지니어링은 최근 반도체 박막공정에 들어가는 핵심 부품인 페이스 플레이트1(Face Plate1)를 개발했다. 반도체 공정이 미세화되면서 박막공정에서 파티클이 발생하면서 부품 수명이 줄어들고 있다. 포인트엔지니어링 제품은 10나노 이하의 반도체 미세화 공정에서 미세 파티클과 메탈오염을 제어할 수 있다. 수율 향상과 부품수명을 개선하기 때문에 생산성 향상 및 원가 절감에 효과적이다. 신제품 효과로 내년에는 올해 대비 100% 외형 성장 가능할 것으로 회사 측은 기대했다. dschoi@fnnews.com 최두선 기자
2019-07-19 09:51:19신한금융투자는 21일 디엔에프에 대해 삼성전자 미세화에 따른 수혜로 안정적 실적 성장이 이어질 것이라며 목표주가를 2만6000원에서 2만7000원으로 높였다. 투자의견은 매수를 유지했다. 이 증권사 김민지 신한금융투자 연구원은 "삼성전자의 미세화 전환이 신속하게 진행되면서 미세화 관련 소재 수요가 예상보다 더 좋다"며 이같이 밝혔다. 김 연구원은 "1분기 잠정 실적 역시 삼성전자의 20nm 미세화 전환이 신속하게 진행된 덕분에 시장 예상치를 상회했다"면서 "1분기 잠정 매출액은 전분기 대비 5.7% 증가한 179억원, 영업이익은 32.5% 늘어난 48억원을 기록할 것"이라고 판단했다. 2분기에도 실적 개선세는 지속될 것으로 봤다. 그는 "2분기에도 DPT소재 매출 증가 및 High-K 매출 급증에 힘입어 매출액은 전분기 대비 6.7% 늘어난 201억원, 영업이익은 8.9% 증가한 53억원이 될 것"이라며 "분기별 우상향의 실적 추세와 함께 주가의 점진적 우상향을 바라본다"고 진단했다. bsk730@fnnews.com 권병석 기자
2015-04-21 08:47:58메리츠종금증권은 18일 디엔에프에 대해 D램 미세화 및 V낸드 양산에 따른 수혜가 예상된다며 투자의견 매수 및 목표가 3만원을 제시한다고 밝혔다. 박유악 메리츠종금증권 연구원은 "올해 1·4분기 D램의 미세공정 전환 및 V낸드의 양산 본격화, SK하이닉스 공급량 확대에 따른 전부문의 실적 성장을 예상한다"며 "주요 소재의 출하 증가를 앞둔 현 시점을 동사에 대한 매수 적기라고 판단한다"고 말했다. 이어 "삼성전자의 D램 공전 전환(25nm → 20nm) 효과로, 동사 DPT 및 High-K 부문 실적이 연중 우상향 추세를 지속할 것"이라고 덧붙였다. 그는 "2·4분기는 매출액과 영업이익이 각각 전년 대비 40%, 30% 상승한 208억원, 52억원을 기록해 사상 최대 실적을 기록 할 전망"이라고 언급했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자
2015-03-18 08:39:41신한금융투자는 4일 유진테크에 대해 메모리 업계의 2D(2차원) 낸드 공정 미세화 경쟁 강화로 가파른 수주 증가가 예상된다며 목표주가를 2만5000원으로 상향조정했다. 투자의견 매수는 유지했다. 김영찬 신한금융투자 연구원은 "지난해 4·4분기 매출액과 영업이익은 전분기 대비 63.4%, 93.3% 증가한 347억원, 96억원으로 예상한다"며 "SK하이닉스의 낸드 16nm 공정 양산이 본격화됐고, 일부 전방 업체의 신구조 적용에 따른 수주도 우려보다는 양호했다"고 말했다. 김 연구원은 "낸드 업계는 공정 미세화보다는 구조 변화를 통한 원가 경쟁력 및 제품 특성 우위 확보를 꾀하고 있다"며 "공정 구조 변화 시도는 일부 장비 업체에는 수혜, 일부 업체에는 악재로 작용했는데 유진테크는 낸드 공정의 구조 변화보단 미세화 강화 시 상대적 수주가 증가한다"고 전했다. 그는 "낸드 업계의 구조 변경을 통한 경쟁력 우위 대결은 지속되겠으나 기존 구조(2D)에서의 공정 미세화 경쟁이 다시금 강화되고 있다"며 "실제 2013년 3·4분기 수주액 100억원, 4·4분기 270억원에서 2014년 1·4분기(2월까지) 356억원에 이른다"고 설명했다. 이어 그는 "2014년은 기존 낸드 공정 구조(2D)에서의 미세화 경쟁 강화로 매출액과 영업이익은 사상 최대를 기록할 전망"이라며 "매출액과 영업이익은 전년 대비 74.2%, 31.9% 증가한 1846억원, 557억원으로 예상하며 1·4분기 영업이익은 전기 대비 25.8% 증가한 121억원으로 예상된다"고 덧붙였다. fact0514@fnnews.com 김용훈 기자
2014-03-04 07:57:42한국투자증권 유종우 연구원은 10일 솔브레인에 대해 "반도체 미세화 공정 확대에 따른 신규성장 동력을 확보했다"고 밝혔다. 신규성장동력으로 HSN(High Selectivity Nitride) 식각액과 실리콘 웨이퍼 세정용 이온수장비를 들았다. 그는 "기존 사업부문도 지속적인 성장이 기대된다"고 말했다. kmh@fnnews.com 김문호 기자
2012-12-10 07:36:03미래에셋증권은 8일 유진테크에 대해 탄탄대로를 홀로 달린다며 투자의견 매수에 목표주가 2만5000원을 제시했다. 김유철 연구원은 “주력 제품인 싱글타입 장비의 독보적 경쟁력과 성장성을 고려할 때, 현재 주가는 현저한 저평가 상태라고 판단한다”면서 이같이 분석했다. 김 연구원은 “2008년 이후 지속적인 수주 흐름을 보여주고 있으며 이것은 장비의 경쟁력을 방증한다”며 “single type 장비는 반도체 공정 미세화에 따라 필수적으로 도입되는 장비로 선폭이 감소할수록 사용되는 공정 수도 증가하게 돼 반도체 공정 미세화에 따른 지속적인 수혜가 전망된다”고 강조했다. /sykim@fnnews.com 김시영기자
2011-06-08 08:21:39[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 세계 최초 개발에 성공한 10나노미터(1nm=10억분의1m) 6세대(1c) 기술을 더블데이터레이트(DDR)5 및 고대역폭메모리(HBM)에 적용한다. SK하이닉스는 10일 뉴스룸을 통해 "1c 개발의 의의는 무엇보다 이 기술이 HBM, 저전력(LP)DDR, 그래픽(G)DDR 등 모든 차세대 D램 제품군에 적용된다는 데 있다"고 밝혔다. SK하이닉스는 지난 8월29일 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램 개발 성공 소식을 알렸다. 손수용 개발테스트 담당 부사장은 "1c 개발 성공으로 SK하이닉스는 압도적인 기술 경쟁력을 입증했지만 1c DDR5는 시작일 뿐"이라며 "앞으로 1c 기술은 다양한 D램 제품에 적용돼 다양한 고객 니즈에 완벽하게 부응할 것"이라고 말했다. 1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 초당 8Gb로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌으며, 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. 또 SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하는 한편, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화했으며 원가 절감까지 이뤄냈다. D램 공정이 미세화되면서 과거와는 다른 특성들이 더 중요해지고, 이로 인해 수율(양품 비율) 저하 등 문제가 발생할 가능성이 높아진다. SK하이닉스는 1c 기술에서 주요 성능의 수준을 높이는 트리밍 기술을 활용해 수율과 품질을 확보했다. 트리밍 기술은 반도체 설계 변경 없이 전자식 퓨즈를 활용해 성능을 상향시키는 기술이다. SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자
2024-09-10 16:40:28SK하이닉스는 세계 최초로 10나노미터(1nm=10억분의1m)급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) 더블데이터레이트(DDR)5 D램을 개발했다고 29일 밝혔다. SK하이닉스 관계자는 "10나노급 D램 기술이 세대를 거듭하면서 미세공정의 난이도가 극도로 높아졌으나, 업계 최고 성능이 입증된 5세대(1b) 기술력을 바탕으로 설계 완성도를 높여 가장 먼저 기술한계를 돌파해냈다"면서 "연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급해 메모리 반도체 시장의 성장을 이끌어 갈 것"이라고 전했다. D램은 회로간 선폭 미세화에 따라 세대를 나누는데, 통상 1a→1b→1c로 칭한다. SK하이닉스는 1b D램의 플랫폼을 확장하는 방식으로 1c를 개발했다. SK하이닉스 개발진은 이 방식을 통해 공정 고도화 과정에서 발생할 수 있는 시행착오를 줄이는 동시에 1b의 강점을 가장 효율적으로 1c로 옮길 수 있다고 SK하이닉스의 기술진은 판단했다. 또 극자외선(EUV) 특정 공정에 신소재를 개발 적용하고, 전체 공정 중 EUV 적용 공정 최적화를 통해 원가 경쟁력을 확보했다. 설계 기술 혁신도 병행해 이전 세대인 1b 대비 생산성을 30% 이상 향상시켰다. 고성능 데이터센터에 주로 활용될 1c DDR5의 동작속도는 초당 8Gb로, 이전 세대 대비 11% 빨라졌다. 전력효율은 9% 이상 개선됐다. SK하이닉스 측은 "AI 시대가 본격화되면서 데이터센터의 전력 소비량이 늘어나는 가운데 클라우드 서비스를 운영하는 글로벌 고객들이 SK하이닉스 1c D램을 데이터센터에 적용하면 전력 비용을 이전보다 최대 30%까지 줄일 수 있을 것"이라고 봤다. SK하이닉스 김종환 D램 개발담당(부사장)은 "최고의 성능과 원가 경쟁력을 동시에 충족시킨 1c 기술을 차세대 고대역폭메모리(HBM), 저전력더블데이터레이트(LPDDR)6, 그래픽더블데이터레이트(GDDR)7 등 최첨단 D램 주력 제품군에 적용하면서 고객에게 차별화된 가치를 제공할 것"이라며 "앞으로도 D램 시장 리더십을 지키면서 고객으로부터 가장 신뢰받는 AI 메모리 솔루션 기업의 위상을 공고히 하겠다"고 말했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자
2024-08-29 18:06:06