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(인-지)테라비트급 8나노미터 플래시 메모리 개발


국내 연구진이 세계에서 가장 작은 테라비트(Tb:1Tb는 1024Gb)급 8나노미터(nm) 플래시 메모리 개발에 성공했다.

8nm 반도체 기술은 성인 머리카락 두께의 1만2000분의 1에 해당하는 기술이다.

한국과학기술원 전자전산학과 최양규 교수팀과 나노종합팹센터는 ‘실리콘 나노선’과 ‘4비트 이중 소노스(SONOS)기술’을 결합한 8nm급 비휘발성 플래시 메모리 소자를 개발했다고 13일 밝혔다.

비휘발성 메모리는 전원공급이 중단되어도 데이터가 소실되지 않고 보존되는 것이 특징이다.

특히 이번 연구결과는 ‘황의 법칙’이 10nm급 이하까지 유지될 수 있다는 가능성도 제시했다는 평가를 받고 있다. 또 기존의 비휘발성 메모리 기술의 한계를 진전시켰다고 한국과학기술원은 강조했다.

‘황의 법칙’은 반도체 메모리의 용량이 1년마다 2배씩 증가한다는 이론이다. 황창규 삼성전자 반도체 총괄 사장이 지난 2002년 국제반도체회로학술회의에서 ‘메모리 신성장론’를 통해 이를 주장해 ‘황의 법칙’이라 불린다.


반도체 업계는 이번 기술이 상용화될 경우 낸드플래시 시장 창출 효과는 10년간 250조원이 넘을 것으로 예상했다.

한국과학기술원은 전자가 이동하는 실리콘 나노선 위에 기존의 전하 저장층인 도체형 부유게이트 대신 전하 저장장소를 많이 갖고 있는 부도체형의 질화막에 전하를 저장시키는 구조를 이번 소자에 적용했다고 설명했다.

한국과학기술원은 오는 6월 12일 일본 교토에서 열리는 ‘초고집적회로 국제학회’에 발표할 예정이다./sejkim@fnnews.com김승중기자