인 지 하이닉스 4기가비트 모바일D램 인텔 인증 획득

하이닉스반도체는 세계 최초로 54나노 2기가비트(Gb) 기반으로 개발된 4기가비트 모바일 D램이 인텔 모바일 인터넷 디바이스용 칩셋인 무어스타운에 대한 인증을 획득했다고 밝혔다. 하이닉스의 모바일 제품이 인텔의 인증을 획득한 것은 이번이 처음이다.

4기가비트 모바일 D램은 기존의 2기가비트 제품의 패키지 크기를 유지하면서 용량은 두 배로 늘린 것이 특징이다. 전력 소비도 기존 2기가비트 제품과 비교해 큰 차이가 없어 모바일 기기에 적합하다.

이 제품은 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현하며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다. 이 제품은 올해 3분기부터 양산될 예정이다.

하이닉스반도체측은 “모바일 제품의 비중은 지난 2·4분기를 기준으로, 전체 D램 매출 비중에서 지난해 대비 2배 가량 높아진 15%를 차지했다”면서 “모바일 D램 시장 점유율도 올해 상반기 지난해의 동기 대비 2배 가량 확대된 20%로 대폭 증가해 올해 목표인 24%까지 확대될 것”으로 기대했다./[e-mail]조창원기자

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