한국전자통신연구원(ETRI)은 지난 8일(현지시간) 러시아 상트페테르부르크 Ioffe 연구소 회의실에서 GaN 반도체로 대표되는 화합물 반도체 기반 ‘통신 소자 및 전력 소자 기술’과 차세대 조명 광원으로 떠오르는 ‘LED 및 광전소자 기술’의 상호협력 연구를 위한 MOU를 체결했다고 11일 밝혔다.
GaN 반도체는 고전압 작동이 가능해 실리콘 전력반도체보다 전력 손실을 5분의1 이하로 줄일 수 있으며 고속동작 특성이 뛰어나 스위칭 손실을 100분의1 이하로 줄일수 있는 물질이다.
ETRI는 현재 GaAs, InP 및 GaN을 기반으로 하는 화합물 반도체 일괄 공정라인을 구축하고 MMIC칩 및 무선통신 부품 설계?제작 기술을 보유하고 있으며 GaN 기반 차세대 LED 연구를 진행중에 있다.
ETRI가 Ioffe와 이날 체결한 세부협력 분야는 촔GaN전력소자 개발 촔조명용 LED소자 개발 촔자외선 LED소자 개발 촔EU FP7/EUREKA 공동제안 협력 등이다.
ETRI 융합부품소재연구부문 박형무 소장은 “ETRI의 화합물 반도체 소자 및 응용기술과 Ioffe 연구소의 화합물 반도체 소재 원천기술의 상호 접목을 통해 차세대 전력 및 조명소자로 활용 가능한 화합물 반도체 부품?소재 원천기술 개발 및 상용화를 위한 교두보를 마련하게 됐다”고 말했다.
1918년에 설립된 Ioffe 연구소는 LED 및 반도체 레이저의 근간이 되는 이중이질접합반도체구조(semiconductor double heterostructure) 연구 개발로 2000년 노벨상을 수상한 알페로프(Alferov) 박사를 비롯해 5명의 노벨상 수상자를 배출한 러시아 최고의 핵심 연구기관이다.
/kwkim@fnnews.com 김관웅기자
GaN 반도체는 고전압 작동이 가능해 실리콘 전력반도체보다 전력 손실을 5분의1 이하로 줄일 수 있으며 고속동작 특성이 뛰어나 스위칭 손실을 100분의1 이하로 줄일수 있는 물질이다.
ETRI는 현재 GaAs, InP 및 GaN을 기반으로 하는 화합물 반도체 일괄 공정라인을 구축하고 MMIC칩 및 무선통신 부품 설계?제작 기술을 보유하고 있으며 GaN 기반 차세대 LED 연구를 진행중에 있다.
ETRI가 Ioffe와 이날 체결한 세부협력 분야는 촔GaN전력소자 개발 촔조명용 LED소자 개발 촔자외선 LED소자 개발 촔EU FP7/EUREKA 공동제안 협력 등이다.
ETRI 융합부품소재연구부문 박형무 소장은 “ETRI의 화합물 반도체 소자 및 응용기술과 Ioffe 연구소의 화합물 반도체 소재 원천기술의 상호 접목을 통해 차세대 전력 및 조명소자로 활용 가능한 화합물 반도체 부품?소재 원천기술 개발 및 상용화를 위한 교두보를 마련하게 됐다”고 말했다.
1918년에 설립된 Ioffe 연구소는 LED 및 반도체 레이저의 근간이 되는 이중이질접합반도체구조(semiconductor double heterostructure) 연구 개발로 2000년 노벨상을 수상한 알페로프(Alferov) 박사를 비롯해 5명의 노벨상 수상자를 배출한 러시아 최고의 핵심 연구기관이다.
/kwkim@fnnews.com 김관웅기자
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