삼성전자가 대용량 스토리지용 20나노미터(㎚)급 64기가비트(Gb) 3비트(bit) 낸드플래시를 양산하기 시작했다고 13일 밝혔다.
삼성전자는 지난해 11월 세계 최초로 30㎚급 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산한 데 이어, 이번에 용량이 두 배로 커진 20㎚급 64Gb 3bit 낸드플래시를 세계 최초로 양산하게 됐다.
20㎚급 64Gb 3bit 낸드플래시는 30㎚급 32Gb 3bit 제품에 비해 생산성이 60% 이상 높다.
아울러 ‘토글(Toggle) 더블데이터레이트(DDR) 1.0’ 방식을 적용해 빠르고 안정적인 성능을 구현했다는 평가다.
이 제품은 하나의 칩으로 8기가바이트(GB)의 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량을 구현할 수 있어, 종전 32Gb 3bit 낸드플래시 시장을 빠르게 대체하게 됐다.
삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 김세진 상무는 “20㎚급 64Gb 3bit 낸드플래시 양산으로 대용량 메모리 수요가 급증하고 있는 스마트폰, 태블릿PC, 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 이어, 범용직렬버스(USB) 플래시 드라이브 등과 같은 대용량 메모리 제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다”고 말했다.
/hwyang@fnnews.com 양형욱기자
삼성전자는 지난해 11월 세계 최초로 30㎚급 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산한 데 이어, 이번에 용량이 두 배로 커진 20㎚급 64Gb 3bit 낸드플래시를 세계 최초로 양산하게 됐다.
20㎚급 64Gb 3bit 낸드플래시는 30㎚급 32Gb 3bit 제품에 비해 생산성이 60% 이상 높다.
아울러 ‘토글(Toggle) 더블데이터레이트(DDR) 1.0’ 방식을 적용해 빠르고 안정적인 성능을 구현했다는 평가다.
이 제품은 하나의 칩으로 8기가바이트(GB)의 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량을 구현할 수 있어, 종전 32Gb 3bit 낸드플래시 시장을 빠르게 대체하게 됐다.
삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 김세진 상무는 “20㎚급 64Gb 3bit 낸드플래시 양산으로 대용량 메모리 수요가 급증하고 있는 스마트폰, 태블릿PC, 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 이어, 범용직렬버스(USB) 플래시 드라이브 등과 같은 대용량 메모리 제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다”고 말했다.
/hwyang@fnnews.com 양형욱기자
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