삼성전자 종합기술원이 성균관대와 공동으로 꿈의 신소재인 그래핀의 상용화를 앞당길 수 있는 합성방법을 세계 최초로 개발하는 쾌거를 이뤄냈다.
삼성전자 종합기술원은 성균관대 신소재공학부와 공동으로 웨이퍼 크기의 대면적 단결정 그래핀을 성장시킬 수 있는 획기적인 방법을 세계 최초로 개발했다고 3일 밝혔다. 이는 세계 최고 권위 과학저널인 사이언스에 게재될 예정으로 그 연구결과의 중요성을 인정받아 '사이언스 온라인 속보'에 4일자로 소개됐다.
그래핀은 현재 가장 많이 사용되는 반도체 소재인 실리콘에 비해 백배 이상의 전자 이동도를 가지고 있다.
또한 강철보다 강한 강도와 열전도성, 신축성 등으로 차세대 전자소자인 플렉시블 디스플레이, 웨어러블 전자 소자 등에 활용할 수 있는 '꿈의 신소재'로 부각되고 있다.이번에 개발한 그래핀 합성법은 대면적의 그래핀을 반도체 위에 단결정으로 합성하는 획기적인 방법이어서 그래핀 연구 및 응용범위 확산 등 실용화를 앞당기는 계기가 될 전망이다. 이번 연구결과는 2006년부터 나노분야 중심으로 시작된 삼성전자-성균관대 간의 공동협력 프로그램의 하나로 이뤄졌다.
ironman17@fnnews.com 김병용 기자
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