내년 1분기부터 공급
SK하이닉스가 기존 제품보다 생산성과 전력 소비율을 크게 개선한 2세대 10나노급(1y) 미세공정의 8Gb(기가비트) DDR4 D램(사진)을 개발했다.
SK하이닉스는 최근 1세대(1x) 대비 생산성은 20% 향상되고, 전력 소비는 15% 이상 감축한 2세대 10나노급 8Gb DDR4 D램 개발을 완료했다고 12일 밝혔다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 구현이 가능하다.
이 제품에는 데이터 전송 속도 향상을 위해 '4Phase Clocking'이라는 설계 기술이 적용됐다. 이는 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존 대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 기술이다. 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 원리라고 할 수 있다.
SK하이닉스는 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 '센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술'도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장된 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 '센스 앰프'의 성능을 강화한 것이다. D램에서는 센스 앰프의 역할이 중요한데, 공정이 미세화될수록 트랜지스터의 크기가 줄어들어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아진다. SK하이닉스는 이런 문제를 극복하기 위해 트랜지스터의 구조를 개선했다.
김석 SK하이닉스 DRAM마케팅담당 상무는 "이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로, 내년 1·4분기부터 공급에 나설 것"이라고 밝혔다.
cgapc@fnnews.com 최갑천 기자
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