RFHIC, '질화갈륨 다이아몬드' 트랜지스터 개발 완료

무선주파수(RF) 분야 최대 전시회인 IEEE IMS 2019에서 RFHIC 관계자들이 질화갈륨 다이아몬드 웨이퍼 및 트랜지스터에 대해 설명하고 있다.

코스닥 상장사 RFHIC는 이달 미국 보스턴에서 열린 무선주파수(RF) 분야 최대 전시회인 IEEE IMS 2019에서 미래 신소재로 기대되는 질화갈륨 다이아몬드(GaN on Diamond) 웨이퍼 성능을 실현하고, 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터 개발을 완료했다고 18일 밝혔다.

질화갈륨은 전 세계 반도체에서 제일 많이 사용되는 실리콘 소재보다 열전도율이 좋고, 스위칭 속도가 빨라서 전력소비량이 적다는 장점이 있다.

그동안 질화갈륨 효율을 극대화하기 위해 탄화규소 기판이 많이 사용됐는데 RFHIC가 세계 최초로 상업용 다이아몬드 기판을 적용한 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터를 개발 완료함에 따라 레이더, 기지국, 전기자동차, 의료장비, RF 에너지 등 높은 효율을 요구하는 여러 제품에 적용될 예정이다.

RFHIC 기술을 총괄하고 있는 조삼열 회장은 "내년부터 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터를 대량 생산해 이를 5G 무선통신 및 방산분야, 더 나아가서 의료장비, RF에너지 시장에도 적용해 RF 마이크로웨이브 세계 최고 회사가 되도록 할 것"이라고 말했다.

RFHIC는 현재 질화갈륨 다이아몬드 관련 전 세계 66건의 특허를 보유하고 있다.

[e-mail] 이정은 기자

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