[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 30일 지난해 4·4분기 실적 발표 이후 열린 컨퍼런스콜(투자자설명회)에서 반도체 극자외선(EUV) 공정과 관련해 “EUV를 10나노급 D램에서 테스트해봤다.
EUV는 1z 나노부터 경제성 확보 수준에 따라 적용하겠다”면서 “메모업계에서 가장 경쟁력 있는 EUV 제조 확보할 것”이라고 했다.
회사 측은 EUV 적용하면 저전력·고성능 개발과 동시에 멀티 패턴 감소로 원가절감 달성 가능하다고 설명했다. 또 EUV 적용규모 확대해서 지속적으로 원가경쟁력 확보해나겠단 전략이라고 했다.
