미세공정 초격차… 삼성, 업계 최소 선폭 '14나노 D램' 양산

차세대 DDR5 D램에 우선 적용
기존대비 생산성 20% 향상

삼성전자 업계 최선단 14나노 DDR5 D램

삼성전자가 극자외선(EUV) 공정을 적용한 업계 최선단(최소 선폭)의 14나노 D램을 양산한다고 12일 밝혔다. 5개의 레이어 공정을 적용한 최선단의 14나노 공정과 EUV 성숙도를 기반으로, 기술 초격차를 이어간다는 전략이다.

삼성전자는 지난해 3월 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급한 바 있다. 업계에서 유일하게 EUV 멀티레이어 공정을 적용해 최선단 14나노 D램을 구현하는 등 차별화된 공정 기술력을 선보이고 있다. 반도체 회로를 보다 세밀하게 구현할 수 있는 EUV 노광 기술을 적용해 D램의 성능과 수율을 향상시켜 14나노 이하 D램 미세 공정 경쟁에서 확고한 우위를 확보해 나갈 계획이다. 5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다. 또 14나노 D램 제품의 소비전력은 이전 공정 대비 약 20% 개선됐다.

이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다. DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다.

최근 인공지능(AI), 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장의 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속적으로 커지고 있다. 삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb(기가비트) D램까지 양산할 계획이다. 이주영 삼성전자 메모리사업부 D램개발실장(전무)은 "고용량, 고성능 뿐 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 최고의 메모리 솔루션을 공급하겠다"고 강조했다.

[e-mail] 김경민 기자

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