SK하이닉스,혁신특허포상.. D램 성능 및 불량률 개선등

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 '제4회 혁신특허포상 시상식'을 개최했다고 25일 밝혔다.

시상식은 SK하이닉스 지속경영담당 김윤욱 부사장, 특허담당 민경현 부사장 등 담당 임직원들이 23, 24일 양일간 경기도 이천, 분당에서 근무하는 수상자들을 직접 찾아가는 방식으로 진행됐다.

최고상 금상은 총 2건으로, D램 회로 면적을 줄이면서 리프레시 기능을 개선한 D램개발 이강설, 김용미 TL과, D램 내부의 배선 간 컨택 저항을 낮추고 불량률을 저하시킨 미래기술연구원 김승범 TL이 수상했다.

SK하이닉스는 이외에도 낸드, CIS, P&T 등 다양한 기술 분야에 걸쳐 금상 2건, 은상 3건, 동상 5건등 총 10건의 혁신특허를 선정하고, 혁신특허를 발명한 재직 연구원 17명에게 상패와 총상금 2억4000만원을 수여했다.

SK하이닉스는 2018년부터 매년 혁신특허포상 제도를 시행해 임직원들의 연구 의욕을 고취하고 강한 특허를 발굴하는 데 앞장서고 있다. 이 제도는 SK하이닉스 등록 특허 중 매출 증대와 기술 문제 해결에 크게 기여한 혁신특허를 선정해 이를 발명한 재직 연구원을 포상하는 방식으로 운영된다.

SK하이닉스는 현재 전 세계 2만 건 이상의 특허를 보유 중이며, 향후에도 강한 특허를 지속적으로 발굴해 글로벌 반도체 경쟁력을 강화한다는 방침이다.

[e-mail] 안승현 기자

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