SK하이닉스 차세대 서버D램 인텔 데이터센터 인증 받는다

현존 최고 속도·전력소모 20%줄여

SK하이닉스가 현존 D램 중 가장 미세화된 10나노급 5세대(1b) 기술 개발을 완료했다. SK하이닉스는 이 기술이 적용된 서버용 DDR5를 인텔에 제공해 '인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램' (사진)검증 절차에 돌입했다.

30일 관련 업계에 따르면 인텔 데이터센터 메모리 인증 프로그램은 인텔의 서버용 플랫폼인 제온 스케일러블 플랫폼에 사용되는 메모리 제품의 호환성을 공식 인증하는 성격을 갖고 있다.

인텔에 제공된 DDR5 제품은 동작속도가 초당 6.4기가비트(Gb)로, SK하이닉스 기술진은 현재 시장에 나와 있는 DDR5 중 최고 속도를 구현했다. DDR5 초창기 시제품보다 데이터 처리 속도가 33% 향상된 것으로, 1초에 5기가바이트(GB)의 풀HD 영화 10편을 처리할 수 있는 속도다.

SK하이닉스는 이번 1b DDR5에 '하이케이메탈게이트'(HKMG) 공정을 적용해 1a DDR5 대비 전력 소모를 20% 이상 줄였다. HKMG는 유전율(K)이 높은 물질을 D램 트랜지스터 내부의 절연막에 사용해 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정이다. 속도를 빠르게 하면서도 소모 전력을 줄일 수 있다.

SK하이닉스 김종환 D램 개발담당(부사장)은 "올해 하반기부터 메모리 시장 상황이 개선될 것이라는 전망이 나오는 가운데 당사는 1b 양산 등 업계 최고 수준의 D램 경쟁력을 바탕으로 하반기 실적 개선을 가속화할 것"이라며 "내년 상반기에는 최선단 1b 공정을 LPDDR5T, HBM3E로도 확대 적용할 것"이라고 말했다.

HBM은 △1세대(HBM) △2세대(HBM2) △3세대(HBM2E) △4세대(HBM3) 순으로 개발돼 왔는데, HBM3 다음 세대인 5세대 제품이 HBM3E다. SK하이닉스는 올해 하반기 8Gbps 데이터 전송 성능을 갖춘 HBM3E 제품 샘플을 준비하고, 내년 양산할 예정이다.

SK하이닉스는 인텔 호환성 검증이 완료된 1a DDR5를 인텔의 다음 세대 제온 스케일러블 플랫폼에도 적용할 수 있도록 추가적인 인증 절차를 함께 진행하고 있다.

[e-mail] 장민권 기자

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