삼성전자가 차세대 반도체 소재로 주목받고 있는 강유전 물질을 기반으로 시스템 반도체를 구현하는데 성공했다. 이번 연구를 바탕으로 성능과 전력 효율을 높인 차세대 시스템 반도체 구현이 가능할 것으로 기대된다.
1일 업계에 따르면 삼성전자 SAIT 임직원들의 차세대 소재를 적용한 시스템 반도체 구현 연구 결과가 우수성을 인정받아 세계적 학술지인 네이처 일렉트로닉스에 게재됐다. 연구진은 시스템 반도체 성능을 좌우하는 트렌지스터의 누설 전류를 줄이고자 절연막에 활용되는 고유전 물질을 전력 효율을 극대화하는 강유전 물질로 대체하는 아이디어에 주목했다. 해당 기술을 이용하면 누설 전류의 증가 없이 동작 전압만 감소시킬 수 있고, 결과적으로 트랜지스터의 소비 전력을 크게 줄일 수 있다.
이번 연구에서는 강유전 물질의 음의 전기용량(NC) 효과를 실험적으로 측정하는데 성공했을뿐 아니라, 세계 최초로 트렌지스터의 상용화 가능성을 검증했다는 데 의미가 있다.
기존 고유전 물질을 사용한 반도체와 비교해 소비 전력을 최대 33%까지 낮출 수 있다. 또 1000조회 이상의 테스트를 통해 안정적 동작을 확인해 세계 최고 수준의 신뢰성도 증명했다.
hoya0222@fnnews.com 김동호 기자
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