[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 14일 플래시 메모리 저장 원리에 대한 논문을 세계적 학술지 '어드밴스드 머티리얼스'(Advanced Materials)에 게재했다고 밝혔다.
삼성전자 혁신센터 CSE팀은 기존과 차별화된 접근방식을 통해 플래시 메모리 정보 저장의 핵심 역할을 하는 비정질 실리콘 질화물에서 전자가 안정되게 저장되는 근본 원리를 밝혀내는 데 성공했다.
삼성전자는 그동안 간과해 왔던 원자수준에서의 작동 원리를 밝혀냈다는 의미가 있다고 설명했다. 삼성전자가 최초 개발한 V낸드 기술은 평면상에 셀을 두고 개수를 늘리는 기존 구조와는 달리 셀을 수직으로 쌓아 올려 저장 용량을 극대화시킨다. 그러나 최근 V낸드가 세대를 거듭할수록 그 크기가 점차 작아지게 되면서 원자 수준에서 발생하는 현상에 대한 근본적인 이해 없이는 혁신을 이뤄 내기 힘든 단계에 직면했다는 게 삼성전자의 설명이다.
삼성전자는 이번 연구를 통해 플래시 메모리 미세화의 한계를 극복할 수 있을 것으로 기대하고 있다.
mkchang@fnnews.com 장민권 기자
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