삼성, 업계 최초 'QLC 9세대 V낸드' 양산

더블스택 구조로 업계 최고 단수
데이터 입출력 속도 60% 향상

삼성전자 제공

삼성전자는 12일 인공지능(AI) 시대 초고용량 서버 솔리드스테이트드라이브(SSD)를 위한 '1테라비트(Tb) 쿼드레벨셀(QLC) 9세대 V낸드'(사진)를 업계 최초로 양산했다고 밝혔다.

이 제품은 몰드층을 순차적으로 적층한 다음 한번에 전자가 이동하는 홀(채널 홀)을 만드는 기술인 '채널 홀 에칭' 기술을 활용해 더블 스택 구조로 업계 최고 단수를 구현해냈다.

특히 셀과 페리(셀의 동작을 관장하는 각종 회로들)의 면적을 최소화해 이전 세대 QLC V낸드 대비 약 86% 증가한 업계 최고 수준의 비트 밀도를 자랑한다.

V낸드의 적층 단수가 높아질수록 층간, 층별 셀 특성을 균일하게 유지하는 것이 중요해졌다. 이를 위해 삼성전자는 셀 특성 균일화, 최적화를 위해 셀을 동작시키는 워드라인의 간격을 조절해 적층하는 기술 '디자인드 몰드'를 활용, 데이터 보존 성능을 이전 제품보다 약 20% 높였다. 이번 9세대 QLC는 셀의 상태 변화를 예측해 불필요한 동작을 최소화하는 '예측 프로그램 기술' 혁신을 이루며 이전 세대 QLC 제품 대비 쓰기 성능은 100%, 데이터 입출력 속도는 60% 개선했다.

[e-mail] 장민권 기자

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