[컨콜] SK하이닉스 "1c나노 공정, 향후 HBM4E에 적용할 것"

SK하이닉스의 고대역폭메모리 ‘HBM3E’가 전시돼 있다. 뉴스1

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 23일 진행된 지난해 4·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "10나노급 6세대(1c) 공정은 양산성을 확보해 올 하반기부터 일반 D램에 적용해 양산을 시작할 계획"이라고 설명했다.

그러면서도 "올해 투자의 상당 부분이 고대역폭메모리(HBM)와 인프라 투자에 집중될 예정이어서 향후 공급 상황을 예상해 램프업을 위한 투자를 계획하고 있다"며 "1c 나노 공정을 향후 HBM4E에 적용해 적기 개발과 공급으로 시장 리더십을 유지하겠다"고 덧붙였다.

[e-mail] 임수빈 기자

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