삼성전자가 반도체 기술의 한계를 돌파하고, 세계 최초로 '10나노급 D램 시대'를 열었다. 삼성전자는 지난 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노:10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 5일 밝혔다. 삼성전자는 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어, 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한번 반도체 미세공정의 한계를 돌파하며 메모리 기술의 새로운 이정표를 세웠다. 삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 "10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것"이라며, "향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는데 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다. 이번 제품에는 '초고집적 설계 기술'과 '사중 포토 노광 기술 (Quadruple Patterning Technique)', '초균일 유전막 형성 기술' 등 3가지 혁신 기술을 적용했다. 이에 따라 차세대 극자외선(EUV) 노광장비의 도입 없이도 10나노급 D램을 양산해 프리미엄 제품의 제조 경쟁력을 더욱 높였다. '초고집적 설계 기술'은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로, 이를 통해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다. 또한 10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3,200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있어 차세대 엔터프라이즈 서버 시장에 최적의 솔루션을 제공한다. 삼성전자는 미세공정의 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 '사중 포토 노광 기술'을 업계 최초로 D램에도 구현해 D램 핵심 공정 기술의 새로운 지평을 열었다. 사중 포토 노광기술(QPT, Quadruple Patterning Technique)은 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술을 말한다. 셀(정보 저장의 최소 단위)이 트랜지스터 하나로 구성된 낸드플래시와 달리 D램은 트랜지스터와 캐패시터의 적층 구조로 셀이 구성된다. 이 때문에 10나노급 8Gb D램은 초고속으로 동작하는 트랜지스터 위에 고용량 캐패시터를 나노단위 간격으로 배열해 완벽하게 동작하는 셀을 80억개 이상 만들어야 하므로 미세화에 따른 개발 난이도가 높았다. 삼성전자는 이러한 D램의 공정 한계를 '사중 포토 노광 기술'을 통해 극복해 차세대 10나노급(1y) D램도 적기에 양산할 수 있는 기반 기술을 확보했다. 또한 D램은 초미세 캐패시터에 충분한 양의 전하를 저장하기 위해 '초균일 원자 유전막 형성 기술'이 필요하다. 10나노급 D램은 캐패시터의 유전막을 옹스트롬(10분의 1나노) 단위의 초박형 원자 물질로 균일하게 형성해 더욱 높은 속도에도 안정적으로 동작하는 우수한 셀 특성을 확보했다. 삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점한다는 전략이다. 향후 삼성전자는 PC용 4GB(기가바이트) DDR4 모듈을 시작으로 엔터프라이즈 서버용 128GB 모듈까지 풀 라인업을 구축하고, 초고용량 모바일 D램의 높은 수요 증가세에 맞춰 10나노급 생산 비중을 지속적으로 확대해 프리미엄 D램 시장의 성장세를 견인할 계획이다. courage@fnnews.com 전용기 기자

SK하이닉스는 9일 8기가비트(Gb) 저전력DDR4(LPDDR4) 제품을 최신 출시된 스마트폰에 탑재했다고 밝혔다. 이 제품은 초고속, 저전력 특성을 갖춘 현존 최고 성능의 고용량 모바일 메모리 솔루션으로, SK하이닉스가 2013년말 세계 최초로 개발했으며, 최근 고객사에서 출시한 최신 플래그십 스마트폰에 탑재할 수 있었다. 이 메모리는 기존 LPDDR3의 1600Mbps 대비 데이터 전송속도가 2배 빨라졌다. 동작전압도 1.2V보다 낮은 1.1V로 낮아져 전력 효율도 30% 이상 향상시켰다. 올해 중국을 포함한 국내외 주요 스마트폰 제조업체는 프리미엄 제품에 LPDDR4를 주요 메모리 솔루션으로 채용할 전망이다. 하반기부터는 4기가바이트(GB) D램 탑재 스마트폰도 늘어날 것이라고 SK하이닉스는 전망했다. SK하이닉스 관계자는 "시장에서 판매되는 프리미엄 스마트폰에 최초로 8Gb LPDDR4 솔루션을 탑재함으로써 고성능 모바일 D램 시장을 주도할 수 있게 됐다"며 "향후 다양한 용량 솔루션으로 고객을 확대하는 등 시장 주도권을 이어가겠다"고 설명했다. 한편, 시장조사기관 IHS 테크놀로지(IHS Technology)에 따르면 프리미엄 스마트폰에서 8Gb를 활용한 4GB D램을 탑재하는 제품은 올해부터 출시되기 시작해 내년 36%를 차지하는 등 3GB 탑재 제품의 비중을 역전하며 시장 주력으로 떠오를 전망이다. ahnman@fnnews.com 안승현 기자

삼성전자는 15일 서울 서초동 서초사옥 다목적 홀에서 기업 내 완전 무선통신환경(All Wireless) 구축에 대한 비전을 제시하는 '엔터프라이즈 무선 솔루션 데이'를 개최했다. 이 자리에서 삼성전자는 기가비트급 무선랜 AP(Access Point)와 차별화된 무선침입방지솔루션(WIPS)을 공개했다. 이번에 공개된 'WEA400' 시리즈는 기업에 최적화된 AP 제품으로 초당 1기가비트 이상의 데이터를 전송하는 기가비트급 WiFi(802.11ac) 기술을 사용한다. 동시에 2.4GHz/5GHz 듀얼밴드를 지원하고 최대 14개의 내장 안테나를 활용한 넓은 서비스 지역과 수신감도, 안정적인 네트워크를 제공한다. 또 삼성전자 LTE 네트워크 장비에 적용하고 있는 스케줄링 기능을 적용함으로서 다수의 단말 접속 환경에서 페어니스(Fairness, 접속된 여러 단말들에 동등한 네트워크 자원을 제공), 성능저하 방지, 음성통화 용량 증대와 품질 등을 보장한다. 함께 공개된 무선침입방지솔루션(WIPS) '삼성 WES(Wireless Enterprise Security)'는 무선 네트워크 구역을 모니터링해 비인가 AP 또는 무선침입이나 해킹을 탐지, 차단하는 기능을 제공한다. 삼성전자는 AP 제품에 보안을 위한 전용 모니터링 모듈과 안테나를 내장해 기존의 제품들 대비 차별화된 안정성을 확보했다. 기업, 관공서, 금융기관, 병원, 학교 등 다양한 산업의 IT 담당자 400여명이 참석한 이번 행사에서 삼성전자는 삼성 스마트 무선랜의 대표 도입사례와 성과도 공유했다. 삼성전자는 국내에서의 성공적인 기업 내 무선통신 환경 구축사례를 기반으로 영국, 미국 등 해외시장에서도 점차 사업을 확대한다는 계획이다. 특히 대규모 사업장, 관공서, 스마트스쿨 시장에서 국내의 앞선 기술과 구축사례를 적극 전파해 나갈 예정이다. 삼성전자는 이미 미국, 영국의 교육기관을 비롯해, 의료기관, 호텔, 대형 컨벤션센터 등 다양한 산업군에 무선랜 제품, 솔루션을 공급하며 해외시장에 삼성 스마트 무선랜 도입 붐을 조성하고 있다. 삼성전자는 이동통신 기술을 접목한 무선랜 제품, 보안과 관리 솔루션은 물론, 효과적인 네트워크 설계에서 구축까지 고객이 원하는 차별화된 솔루션을 제공한다는 계획이다. 삼성전자 네트워크사업부장 김영기 사장은 "국내외 무선랜 솔루션 시장에서 강자로 도약하기 위해 적극적인 마케팅 활동과 지속적인 신제품 출시를 병행할 계획"이라고 밝혔다. yccho@fnnews.com 조용철 기자

삼성전가가 독자기술로 공정한계를 극복하고 20나노 4기가비트 D램 양산에 성공했다. 이로써 향후 10나노급 D램 선행개발로 경쟁력 우위 유지할 수 발판을 마련했다. 삼성전자가 이달부터 세계 최초로 차세대 '20나노(1나노 : 10억분의 1m) 4기가비트 DDR3 D램'을 본격 양산하기 시작했다고 11일 밝혔다. 20나노 D램은 2012년 삼성전자가 세계 최초로 양산한 25나노 D램보다 30% 이상, 30나노급 D램보다는 2배 이상 생산성이 높다. 회사 측은 독자기술을 통해 기존 설비만으로도 20나노 D램 미세화 기술의 한계를 돌파하고 최소형 4기가비트 D램을 본격 양산함으로써 메모리 기술의 새로운 지평을 열었다고 설명했다. 삼성전자가 이번에 양산에 성공한 20나노 D램에 삼성전자의 신개념 '개량형 이중 포토 노광 기술', '초미세 유전막 형성 기술'이 동시에 적용됐다 낸드 플래시는 정보저장의 최소단위인 셀이 트랜지스터 하나로 구성돼 구조가 비교적 단순하지만, D램은 셀이 트랜지스터와 캐패시터 적층구조로 구성되기 때문에 20나노 공정 미세화가 더욱 어려웠다. 삼성전자는 D램 공정한계를 독자기술인 '개량형 이중 포토 노광 기술'을 통해 극복해 기존 포토장비로도 20나노 D램은 물론 차세대 10나노급 D램도 양산할 수 있는 기반기술을 마련한 것이다. 또한 셀 캐패시터의 유전막을 형성하는 물질을 기존 나노단위에서 옹스트롬(10분의 1나노) 단위로 초미세 제어함으로써 균일한 유전막을 만들어 20나노에서도 우수한 셀 특성을 확보했다. 20나노 DDR3 D램 모듈은 PC에서 기존 25나노 대비 소비전력을 25% 절감할 수 있어 글로벌 IT 업체들에게 최고 수준의 '초절전 그린 IT 솔루션'을 제공한다. 삼성전자 메모리사업부 전략마케팅팀장 전영현 부사장은 "저전력 20나노 D램은 PC 시장에서 모바일 시장까지 빠르게 비중을 확대하며 시장의 주력 제품이 될 것"이라고 말했다. 앞으로도 삼성전자는 10나노급 차세대 D램 제품을 선행 개발함 으로써 반도체 기술의 한계를 극복하고 메모리 시장의 성장세를 지속적으로 주도할 계획이다. 한편 시장 조사기관 가트너에 따르면 세계 D램 메모리 시장은 올해 379억달러로 전년 356억달러 대비 20억달러 이상 성장할 것으로 예상했다. ironman17@fnnews.com 김병용 기자

10G 랜케이블 LS전선이 세계에서 가장 가는 10기가비트(Gbps)급 랜케이블을 개발해 국내 및 해외시장 공략에 나선다고 20일 밝혔다. 이 제품의 외경은 세계에서 가장 가는 7.0mm로 해외업체가 7.2~8mm 수준인데 비해 가볍고 설치가 용이하며, 포설공사에 필요한 공간을 대폭 줄여주기 때문에 공사비 절감 효과가 있다. 또한 이 제품은 대용량의 데이터를 빠르고 안정적으로 전송할 수 있어 데이터 센터, 연구소, 공항, 의료시설 등의 수요를 충족시킬 수 있을 것으로 보인다. 이에 국내의 주요 데이터 센터 및 시설을 비롯하여 중국, 유럽 등 해외시장 공략을 가속화 할 예정이다. LS전선 김형원 상무는 "네트워크 케이블링 시스템은 일반적으로 20~25년을 운영해야 하기 때문에 고객들이 10기가급 랜케이블을 도입하면 관리와 운영 차원에서 투자 비용을 줄일 수 있다"며 "LS전선만의 차별화된 강점을 바탕으로 케이블 제품은 물론 각종 접속자재의 설계, 개발, 제조 등을 포괄하는 글로벌 일류 네트워크 케이블링 솔루션 공급자로 거듭나겠다"고 강조했다. aber@fnnews.com 박지영 기자

삼성전자가 대용량 스토리지용 20나노미터(㎚)급 64기가비트(Gb) 3비트(bit) 낸드플래시를 양산하기 시작했다고 13일 밝혔다.  삼성전자는 지난해 11월 세계 최초로 30㎚급 32Gb 3bit 낸드플래시를 양산한 데 이어, 이번에 용량이 두 배로 커진 20㎚급 64Gb 3bit 낸드플래시를 세계 최초로 양산하게 됐다.  20㎚급 64Gb 3bit 낸드플래시는 30㎚급 32Gb 3bit 제품에 비해 생산성이 60% 이상 높다.  아울러 ‘토글(Toggle) 더블데이터레이트(DDR) 1.0’ 방식을 적용해 빠르고 안정적인 성능을 구현했다는 평가다.  이 제품은 하나의 칩으로 8기가바이트(GB)의 데이터를 저장할 수 있는 메모리 용량을 구현할 수 있어, 종전 32Gb 3bit 낸드플래시 시장을 빠르게 대체하게 됐다.  삼성전자 반도체사업부 메모리 전략마케팅팀 김세진 상무는 “20㎚급 64Gb 3bit 낸드플래시 양산으로 대용량 메모리 수요가 급증하고 있는 스마트폰, 태블릿PC, 솔리드스테이트드라이브(SSD)에 이어, 범용직렬버스(USB) 플래시 드라이브 등과 같은 대용량 메모리 제품 시장을 확대해 나갈 수 있는 솔루션이 강화됐다”고 말했다. /hwyang@fnnews.com 양형욱기자

하이닉스반도체는 세계 최초로 40나노급 공정을 적용한 2기가비트(Gb) 그래픽 DDR5(이하 GDDR5) 제품을 개발했다고 20일 밝혔다. 이 제품은 업계 선두 기술인 40 나노급 공정이 적용돼 기존 50나노급 1기가비트 제품보다 용량이 2배 증가했다. 또한, 7Gbps의 처리속도로 32개의 정보입출구(I/O)를 통해 초당 28기가바이트(GB)의 데이터를 처리할 수 있고, 1.35V의 저전력 동작으로 에너지 소모를 기존 대비 20% 줄인 친환경 제품이다. 그래픽 메모리는 개인용 PC나 게임기 등에서 영상을 처리하는 메모리로서 범용 D램보다 많은 용량의 데이터를 한꺼번에 처리할 수 있는 것이 특징이다. 하이닉스는 업계 최고 수준의 기술경쟁력을 기반으로 그래픽 D램, 모바일 D램 등 고성능 고부가가치 제품을 전체 D램의 50% 이상으로 유지해 수익성을 제고해나갈 계획이다. /jjack3@fnnews.com조창원기자

인피니언 테크놀로지스 코리아는 최고의 에너지 효율을 자랑하는 기가비트 PHY IC를 출시한다고 11일 밝혔다. 신형 XWAY™ PHY11G는 업계 최초로 에너지 효율에 관한 EEE (Energy Efficient Ethernet) 규정을 준수할 뿐만 아니라, 기가비트 홈 네트워킹 애플리케이션 용으로 업계에서 가장 작은 IC이다. XWAY™ PHY11G는 홈 게이트웨이 솔루션을 위한 xDSL 및 PON 라우터를 포함한 모든 주요 광대역 애플리케이션, IP 폰, PC 마더보드 및 IP-TV, IP 셋탑박스, 게임 콘솔, 프린터 등 소비 가전에도 사용할 수 있다. /kmh@fnnews.com김문호기자

하이닉스반도체는 세계 최초로 54나노 2기가비트(Gb) 기반으로 개발된 4기가비트 모바일 D램이 인텔 모바일 인터넷 디바이스용 칩셋인 무어스타운에 대한 인증을 획득했다고 밝혔다. 하이닉스의 모바일 제품이 인텔의 인증을 획득한 것은 이번이 처음이다. 4기가비트 모바일 D램은 기존의 2기가비트 제품의 패키지 크기를 유지하면서 용량은 두 배로 늘린 것이 특징이다. 전력 소비도 기존 2기가비트 제품과 비교해 큰 차이가 없어 모바일 기기에 적합하다. 이 제품은 최대 400Mbps의 데이터 전송 속도를 구현하며, 32개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 1.6기가바이트(GB) 가량의 데이터를 처리할 수 있다. 이 제품은 올해 3분기부터 양산될 예정이다. 하이닉스반도체측은 “모바일 제품의 비중은 지난 2·4분기를 기준으로, 전체 D램 매출 비중에서 지난해 대비 2배 가량 높아진 15%를 차지했다”면서 “모바일 D램 시장 점유율도 올해 상반기 지난해의 동기 대비 2배 가량 확대된 20%로 대폭 증가해 올해 목표인 24%까지 확대될 것”으로 기대했다./jjack3@fnnews.com조창원기자

삼성전자가 약 8000장(장당 4MB 기준)의 사진을 저장하는 대용량의 ‘모바일 퓨전 메모리반도체 제품’을 양산하면서 ‘모바일 반도체시장’에 승부수를 띠웠다. 12일 삼성전자는 30나노(1나노 : 10억분의 1미터)급 공정에서 ‘32기가바이트(GB) 모비낸드(moviNAND)’의 양산체제를 완비했다고 밝혔다. 이미 삼성전자는 지난 3월 30나노급 공정으로 32기가비트 낸드 양산에 돌입했고, 지난 4월에는 업계 최초로 32기가비트 낸드를 탑재한 32기가바이트 모비낸드 제품을 주요 고객에 공급했다. 이로써 삼성전자는 지난 2008년 상반기 50나노급 16기가바이트 모비낸드 제품에 이어, 불과 1년만에 30나노급 32기가바이트 모비낸드 제품의 양산까지 달성했다. 여세를 몰아, 삼성전자는 오는 2010년에는 64기가바이트 이상의 모비낸드 제품도 양산해 스마트폰시장 수요에 적극 대응키로 했다. 이는 삼성전자가 1년 단위로 두배 용량의 모비낸드제품을 선보여 시장을 주도하겠다는 의지로 해석됐다. 특히 삼성전자는 이번 30나노급 32기가바이트 모비낸드 제품 양산으로 업계 최고의 제품 경쟁력 우위를 지속적으로 유지하게 됐다. 삼성전자는 또 기존 40나노급 16기가비트 낸드를 탑재한 16GB, 8GB, 4GB 모비낸드 제품도 단계적으로 30나노급 32기가비트 낸드 제품으로 전환해 나갈 방침이다. 무엇보다 30나노급 32기가비트 낸드 제품은 차세대 설계 기술을 채택해 제품 신뢰도를 대폭 향상시킨 게 특징이다. 이 기술은 향후 20나노급 공정에서도 적용이 가능해 삼성전자의 신제품 개발 경쟁력이 더욱 강화됐다는 평가다. 한편, 삼성전자는 오는 2010년에 차세대 20나노급 낸드 제품도 적기에 양산, 대용량 낸드 플래시 메모리의 사업화 역량을 극대화하기로 방침을 세웠다.   /hwyang@fnnews.com양형욱기자