[파이낸셜뉴스] 국내 연구진이 가장 좁은 간격의 전기회로 제작 기술을 개발했다. 이 기술을 이용하면 10억분의 1m까지 초미세 틈 구조의 반도체 회로 제작이 가능하다. 울산과학기술원(UNIST)는 물리학과 김대식 특훈교수팀이 0나노미터(㎚, 10억분의 1m)부터 시작하는 초미세 틈 구조 제작 공정을 개발했다고 15일 밝혔다. 연구진은 이 '제로 갭 구조'를 잘 휘어지는 기판에 만들면 안테나 등에 쓸 수 있는 초고효율 광학 능동 회로로 쓸 수 있다고 설명했다. 0㎚ 광학회로 제작 기술은 반도체 부품 제작에도 쓰일 수 있다. 금속 대신 쉽게 제거(식각) 가능한 고분자 물질 등으로 초미세 틈 구조를 만들고 이 틈 사이에 반도체 물질을 증착하면 1㎚ 미만의 폭을 가진 회로 제작이 가능하다. 삼성, 인텔, TSMC 등의 반도체 기업의 회로 집적화 기술이 한계에 이른 상황에서 이를 극복할 차세대 기술로 응용 가능하다. 함께 연구한 강원대 물리학과 정지윤 교수는 "5G 및 6G 통신에 활용되는 마이크로파와 테라헤르츠파 제어를 위한 차세대 능동 부품으로 활용 가능성이 높다"고 전망했다. 연구진은 금속 박막에 일어나는 균열을 원하는 모양으로 패터닝해 고효율 마이크로파 스위칭 회로를 만들었다. 이 회로의 금속 틈 너비를 100㎚에서 0㎚로 조절해 전자기파의 투과도를 0.85에서 10만분의 1까지 연속적으로 바꿨다. 이 스위칭 회로는 1만번 이상 작동해도 망가지지 않는 높은 내구성을 보였다. 연구진은 휘어지는 기판 위에 두 금속 층을 서로 다른 조건 하에 증착하고, 기판에 장력을 가할 경우 두 금속 층의 접촉면으로만 균열이 생기는 원리를 이용했다. 같은 금속 물질을 서로 다른 조건에서 기판 위에 쌓았기 때문에 이 같은 현상이 발생한다. 기판을 휘게 해 당기는 힘을 가하면 0㎚에 가까운 틈새가 생기지만 장력을 제거하면 두 금속 층이 연결된 상태가 된다. 이처럼 열고 닫을 수 있는 제로 갭(틈) 구조는 전자기파(빛) 투과도가 1에 가까운 'on'과 10-5 정도인 'off' 상태를 오가는 능동 광학 소자로 쓸 수 있다. 틈이 열려 있을 땐 축전 효과에 의해 틈 내부에 전기장이 강하게 증폭돼 전자기파가 높은 비율로 투과하지만, 틈이 일부만 닫히더라도 축전 기능이 사라져 투과도가 급격히 낮아지기 때문이다. 김대식 특훈교수는 "틈 구조를 이용한 광학소자는 확실한 '단락'(on-off)이 존재하는 전기 회로 개념이 적용돼 스위칭 효율이 높다"며 "복잡한 나노 공정이 필요하지 않기 때문에 실제 소자로 즉각 활용하기에도 수월하다"고 설명했다. 이번 연구결과는 광학 소자 분야의 세계적인 저널 '어드밴스드 옵티컬 머티리얼즈(Advanced Optical Materials)'에 지난 3월 24일자로 공개됐다.   monarch@fnnews.com 김만기 기자

【파이낸셜뉴스 울산=최수상 기자】 미래 양자 기술 연구와 차세대 소자 개발을 이끌 전담 연구소가 출범했다. UNIST(총장 이용훈)는 29일 오후 4시 대학본부 2층 대강당에서 ‘양자 포토닉스 연구소(Quantum Photonics Institute, QPI) 개소식’을 가졌다. 연구소는 이날 개소식을 시작으로 31일까지 ‘퀀텀 포토닉스 워크숍’을 진행해 각 분야 전문가들의 양자 기술 연구방향을 공유하고, 양자 소자 개발 계획을 나눈다. 이번에 개소한 양자 포토닉스 연구소에서는 양자 단위에서의 빛과 물질 간 상호작용을 연구하고, 이를 기반으로 실생활에 활용될 수 있는 양자 소자를 개발하는 것을 목표로 한다. 향후 개발될 양자 소자는 라이다, 초고감도 광학 센서, 바이오 이미징 및 검출, 초집적 메모리 등 4차 산업의 핵심기술 분야에 활용도가 높을 것으로 기대된다. 연구소장은 김대식 UNIST 물리학과 특훈교수가 맡는다. 김대식 교수는 지난 2019년 서울대에서 UNIST로 옮겨와 나노 광학분야 연구를 진행해왔다. 연구소에는 물리, 화학, 생명, 전기전자, 신소재 등 다양한 분야의 연구진이 참여해 학제 간 융합 연구를 진행한다. 전문 분야 융합을 위해 UNIST에서 18명의 교수진이 참여하고 있다. 김대식 연구소장은 “양자 포토닉스 연구소의 목표는 기초연구 수준의 근본적인 발견에서 시작해 실제 상용화된 디바이스를 개발하는 것까지 완전주기를 달성하는 것”이라며, “진정한 0 나노미터 기술을 개발해 차세대 양자소자 산업을 이끌겠다”고 포부를 밝혔다. 그는 “대한민국 과학기술이 크게 발전했음에도 국내 연구진이 최초로 시작한 연구는 아직 드문 것이 현실”이라며 “이번 연구소 설립은 UNIST를 넘어 대한민국을 대표하는 연구브랜드를 만들 기반이 될 것”이라고 덧붙였다. 이날 개소식에는 이용훈 UNIST 총장, 노도영 IBS 원장, 고도경 한국연구재단 자연과학단장을 비롯해 다수의 국내 석학들이 자리해 의미를 더했다. 행사는 이용훈 총장의 축사, 김대식 연구소장의 연구소 소개, IBS 연구 비전 및 한국연구재단의 2021년도 기초연구사업 시행계획 소개 등으로 진행됐다. 이용훈 총장은 “4차 산업을 선도할 미래 기술에 대한 관심이 높아지는 가운데 양자 포토닉스 연구소의 개소는 의미가 크다”며 “앞으로 연구소가 기존의 틀을 벗어나는 연구를 통해 인류의 삶에 기여하는 혁신 연구를 수행해주시길 바란다”고 말했다. 한편 개소식과 함께 시작된 워크숍에서는 양자물질, 초고속 광과학, 나노광학, 차세대 소재/소자, 바이오 포토닉스 등 각 분야 전문가들이 참여해 연구 현황을 공유하고 의견을 나눈다. 워크숍은 감염병 예방을 위해 온라인과 오프라인으로 병행 진행된다. ulsan@fnnews.com 최수상 기자

[파이낸셜뉴스] 국내 연구진의 연구개발로 반도체나 디스플레이 등에 필요한 나노 패턴을 만드는 새로운 기술이 나왔다. 스스로 조립해 나노 패턴을 만드는 고분자를 이용하는 방식을 한층 개선한 것으로, 기존에 얻기 어려웠던 복잡한 무늬도 대면적으로 쉽고 빠르게 제조할 수 있다. UNIST는 에너지 및 화학공학부의 김소연 교수팀이 고분자 중 하나인 블록 공중합체의 박막 내 '흡착층(adsorbed layer)'을 조절해, 복잡한 나노 패턴을 대면적으로 제조하는 방법을 개발했다고 18일 밝혔다. 블록 공중합체란 서로 다른 고분자가 하나의 고분자 사슬에 화학적으로 연결된 구조를 가진 물질인데, 박막의 경우 다양한 나노 패턴을 새기는 게 가능하다. 이번 연구에서는 블록 공중합체에 자연스럽게 생기는 '흡착층'에 변화를 줘 나노 패턴을 더욱 정교하게 만들어냈다. 블록 공중합체는 고분자 사슬 간의 반발력과 인력이 작용해 스스로 나노구조를 만드는 특성이 있다. 특히 박막 상태에서는 최신 나노 패터닝 기술로도 만들기 힘든 수~수십 나노미터(㎚, 10억 분의 1m) 크기의 미세한 점이나 선 등을 제조할 수 있다. 그러나 실제 반도체나 디스플레이에 필요한 나노 패턴은 기존 블록 공중합체로 형성하는 것보다 훨씬 복잡하다. 블록 공중합체를 활용해 이를 충족하려면 추가로 복잡한 공정이 필요하고, 비용과 시간도 천문학적으로 들어간다. 김소연 교수팀은 새로운 블록 공중합체 자기조립 시스템을 구현해 기존보다 정밀하고 복잡한 나노 패터닝에 성공했다. 블록 공중합체 박막 기판 바로 위에 수 나노미터 두께로 형성되는 '흡착층'을 '물·공기 계면에서 자기조립된 블록 공중합체'로 바꾸는 방법이다. 흡착층은 블록 공중합체로 나노 패터닝을 할 때 고분자와 기판 사이에 형성되는 아주 얇고 무질서한 구조의 막을 말한다. 이 얇은 층은 전체 블록 공중합체의 성질을 조절하는 역할을 하는데, 연구진이 이를 다른 형태로 바꾼 것이다. 연구팀은 물·공기 계면에서 자기조립된 블록 공중합체를 기판에 옮겨, 수 나노미터 두께의 흡착층을 만들었다. 그 위에 새로운 블록 공중합체 박막을 만들자 전체 블록 공중합체의 자기조립 현상이 달라졌다. 인위적으로 만들어진 흡착층이 나노 패터닝 과정에 가해지는 열이나 힘을 견딜 수 있을 정도로 안정적으로 변한 것이다. 또 자연적 흡착층의 형성을 막아, 상부의 블록 공중합체 자기조립을 조절했다. 이로써 기존의 나노 패턴보다 더 복잡한 형태의 새로운 나노 패턴을 대면적으로 얻을 수 있었다. 제1저자로 연구에 참여한 김동협 UNIST 화학공학과 석·박사통합과정 연구원은 "고분자 박막 내에 자연스럽게 형성되는 흡착층을 대신해 물·공기 계면에서 자기조립된 블록 공중합체를 흡착층으로 쓰면서 체계적으로 조절하면 원하는 나노 패턴을 얻을 수 있다"며 "고분자 박막 내 구조는 물론 고분자 박막 자체의 물성을 조절하는 다양한 연구에 기여할 것"라고 전했다. 김소연 교수는 "물·공기 계면 자기조립 블록 공중합체가 기판에 비가역적으로 흡착한다는 것을 발견한 것은 최초이며 매우 의미 있는 일"이라며 "비가역적으로 흡착된 계면 자기조립 블록 공중합체는 향후 다양한 계면과학 연구에도 적용이 가능할 것"이라고 기대했다. 이 연구결과는 종합화학 분야 세계적 권위지인 'ACS 센트럴 사이언스'에 9월 10일자로 게재됐다. 연구 지원은 한국연구재단의 나노소재기술개발사업, 중견연구자지원사업, 선도연구센터지원사업 및 글로벌박사양성사업을 통해 이뤄졌으며, 박막의 나노구조 분석에는 포항가속기연구소의 UNIST-PAL 및 U-SAXS 빔라인이 활용됐다. monarch@fnnews.com 김만기 기자

성균관대는 25일 성균나노과학기술원 유원종 교수 연구팀이 '초박막 소재(MoS2)를 기반으로 한 두께 3나노미터급(1나노미터: 10억분의 1미터) 반도체'를 세계 최초로 개발했다고 밝혔다. 이번에 개발된 초박막 반도체는 유비쿼터스, 모바일, 플렉시블, 웨어러블 환경 구현을 위한 반도체 소자의 초소형화 및 초절전형이 가능한 원천기술로 미래 신산업을 창출할 수 있는 핵심기술을 선점했다는데 의미가 있다. 현재 해당 기술은 국내외 특허 출원 중이다. 이번 연구는 미래창조과학부가 추진하는 글로벌프런티어사업의 하이브리드인터페이스 기 반미래소재연구단의 일환으로 성균관대학교 유원종 교수가 수행했다. 연구결과는 권위 있는 국제학술지인 네이처 커뮤니케이션즈(nature communcations) 온라인으로 24일에 게재됐다. 연구팀은 기존 3차원(3D) 구조의 규소로 만들어지는 반도체 소자와 달리 2차원(2D) 구조를 갖는 소재인 황화몰리브데늄(MoS2)을 반도체 소재로 활용해 수직형 p-n 접합소자를 제작하는데 성공했다. 이번 연구는 MoS2 신물질이 차세대반도체로 사용될 수 있는 가능성을 세계 최초로 확인했으며 또 반도체 소자 두께와 에너지 소모를 4배 이상 줄이는 데도 성공했다. 이로 인해 현재 규소기반 반도체 소자의 중요한 걸림돌인 과다전력소모 문제를 극복할 수 있으며 규소기반 반도체를 대체해 초고효율 광소자 개발에도 중요하게 활용할 수 있을 것으로 기대된다. 유원종 교수는 "p-n 접합소자는 많은 반도체 전자회로의 기본 소자로 쓰이므로 이러한 기본 소자를 이루는 물질이 2D 소재로 대체될 경우 미래의 초고속 반도체, 고효율 광전소자, 신개념 투명 유연소자 개발 및 응용 연구를 가속화할 것"이라고 밝혔다. cynical73@fnnews.com 김병덕 기자

한국표준과학연구원 재료측정표준센터의 김창수 박사가 반도체 두께 인증표준물질에 대한 X-선 반사율을 측정하고 있다. 한국표준과학연구원(KRISS)은 재료측정표준센터 김창수 박사팀이 신물질을 활용해 10나노미터(㎚) 이하의 반도체 두께 인증표준물질을 국내에서 처음으로 개발했다고 26일 밝혔다. 이번에 개발한 반도체 두께 인증표준물질은 절연성 높은 유전체인 하이-K 물질 '하프늄 산화막(HfO2)'을 이용해 만들었다. 실리콘 기판위에 실리콘 산화막(SiO2)을 1마이크로 미터 두께로 씌운 뒤 그 위에 수 나노미터 두께의 하프늄 산화막(HfO2)을 원자층 단위 두께로 증착시키는 기술(ALD법)을 활용했다. 이를 통해 초미세 반도체 제조 공정 시 기존의 10 나노미터급 이상의 실리콘 산화막(SiO2) 측정 기준자보다 더 정확한 두께 표준을 제공하고 기존의 방식에서 발생했던 두께 측정 불확도 요소를 완전히 제거했다. 연구를 진행한 김창수 박사는 "반도체 제조 공정에서 박막 두께 제어는 반도체 수율에 직접적 영향을 주는 요인 중 하나"라며 "부정확한 표준물질로 계측기기를 교정할 경우 수백만 개의 반도체 칩을 폐기해야 하는 손실이 발생할 수도 있는데 이번 인증표준물질의 개발로 이러한 위험성을 줄일 수 있게 됐다"고 말했다. 표준연은 이번에 개발한 두께인증표준물질을 반도체, 디스플레이, 나노전자소자 및 나노소재 개발 등 산업체 연구개발 현장에 제공하고 연구소, 학교 등으로 확대 보급할 예정이다. 또 올해 하반기에 세계 표준기간들과의 국제비교를 실시해 그 결과를 측정능력표(CMC table)에 등재할 계획이라고 밝혔다. jhpark@fnnews.com 박지현 기자

회로 선폭 45㎚(나노미터=10억분의1미터) 이하의 반도체에서 금속배선이 절연막으로 확산되는 것을 막아 반도체 소자의 신뢰도를 높이는 새로운 기술이 나왔다. 동부하이텍 이한춘 박사팀과 ㈜큐로스는 45㎚ 이하 반도체 양산에 적용할 수 있는 구리배선용 탄탈륨나이트라이드(TaN) 확산방지막을 만드는 기술을 개발했다고 10일 밝혔다. 반도체 소자에서 회로를 연결하는 구리배선은 주위 절연막인 이산화규소(SiO₂)와 쉽게 반응해 반도체 소자의 신뢰성을 떨어뜨리곤 한다. 정밀한 반도체일수록 구리배선 확산방지막을 만드는 것이 꼭 필요하다. 연구진은 이 연구에서 원자층 단위의 박막을 만드는 ‘플라스마를 이용한 원자층 증착법’을 이용해 45nm이하 반도체를 양산하는 데 적용할 수 있는 구리배선용 TaN 확산방지막을 처음으로 구현해냈다. 이번에 개발된 PEALD TaN 확산 방지막은 현재 65nm 이상 제품에 적용되고 있는 ‘물리적 기상 증착법(PVD)’에 의한 TaN 방지막보다 두께가 6분의1 가량 얇은 3nm로도 우수한 확산방지 효과가 있는 것으로 확인됐다. 연구진은 “이 기술은 공정 최적화로 시간당 22장까지 증착할 수 있어 생산성 면에서 양산 가능성에 한발 다가섰다”며 “이를 토대로 미국 AMAT사가 주도하고 있는 확산방지막 관련 장비를 국산화할 수 있고 양산 시 300억원 이상의 투자비용 절감이 기대된다”고 말했다. 이 연구는 교육과학기술부 테라급나노소자개발사업단의 지원으로 수행됐다./economist@fnnews.com이재원기자

국내 연구진이 세계에서 가장 작은 테라비트(Tb:1Tb는 1024Gb)급 8나노미터(nm) 플래시 메모리 개발에 성공했다. 8nm 반도체 기술은 성인 머리카락 두께의 1만2000분의 1에 해당하는 기술이다. 한국과학기술원 전자전산학과 최양규 교수팀과 나노종합팹센터는 ‘실리콘 나노선’과 ‘4비트 이중 소노스(SONOS)기술’을 결합한 8nm급 비휘발성 플래시 메모리 소자를 개발했다고 13일 밝혔다. 비휘발성 메모리는 전원공급이 중단되어도 데이터가 소실되지 않고 보존되는 것이 특징이다. 특히 이번 연구결과는 ‘황의 법칙’이 10nm급 이하까지 유지될 수 있다는 가능성도 제시했다는 평가를 받고 있다. 또 기존의 비휘발성 메모리 기술의 한계를 진전시켰다고 한국과학기술원은 강조했다. ‘황의 법칙’은 반도체 메모리의 용량이 1년마다 2배씩 증가한다는 이론이다. 황창규 삼성전자 반도체 총괄 사장이 지난 2002년 국제반도체회로학술회의에서 ‘메모리 신성장론’를 통해 이를 주장해 ‘황의 법칙’이라 불린다. 반도체 업계는 이번 기술이 상용화될 경우 낸드플래시 시장 창출 효과는 10년간 250조원이 넘을 것으로 예상했다. 한국과학기술원은 전자가 이동하는 실리콘 나노선 위에 기존의 전하 저장층인 도체형 부유게이트 대신 전하 저장장소를 많이 갖고 있는 부도체형의 질화막에 전하를 저장시키는 구조를 이번 소자에 적용했다고 설명했다. 한국과학기술원은 오는 6월 12일 일본 교토에서 열리는 ‘초고집적회로 국제학회’에 발표할 예정이다./sejkim@fnnews.com김승중기자

【실리콘밸리=홍창기 특파원】  일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)가 삼성전자의 파운드리(반도체위탁생산) 기술을 세계 파운드리 1위 기업인 대만 TSMC와 동등한 수준으로 평가했다. 29일(현지시간) 머스크의 소셜미디어(SNS) 엑스(X·옛 트위터) 계정을 보면 그는 "삼성전자와 TSMC는 모두 훌륭한 기업이다"고 밝혔다. 이어 그는 "삼성전자와 TSMC와 함께 일하는 것은 영광이다"고 강조했다. 머스크의 이같은 발언은 머스크의 X에 많은 삼성전자 파운드리와 테슬라의 파트너십에 대한 많은 질문들에 대한 답이었다. 특히 한 이용자가 삼성은 그들이 무엇에 사인했는지 전혀 모른다라고 주장하자 머스크는 삼성전자를 옹호했다. 또 다른 이용자가 삼성전자는 칩 제조 기술에서 TSMC보다 뒤처져 있기 때문에 삼성전자가 테슬라의 AI6 칩에 적용되는 새로운 2나노미터 기술을 실현할 수 있을지 미지수라고 하자 머스크는 이날 "삼성과 TSMC의 강점을 결합해 훌륭한 결과를 달성할 것이다"고 답했다. 그는 "나는 삼성의 회장 및 고위 경영진과 화상 회의를 통해 삼성과 진정한 파트너십이 어떤 모습일지 논의했다"고 덧붙였다. 머스크가 언급한 삼성 회장은 이재용 회장인 것으로 추정된다. 삼성전자는 테슬라와 총 165억 달러(약 22조8000억원) 규모의 역대 최대 규모 파운드리 공급 계약을 맺고 내년부터 테일러 공장에서 테슬라의 차세대 인공지능(AI)칩 AI6를 생산하기로 했다. 현재 삼성전자는 텍사스주 오스틴에서 파운드리 공장을 운영 중이다. 또 내년 가동을 목표로 텍사스주 테일러에 파운드리 공장을 건설중이다. 오는 2030년까지 삼성전자는 현지 반도체 생산 거점을 위해 370억달러(약 54조원) 이상을 투자할 예정이다. 한편, 이 회장은 전날 미국으로 출국했다. 이번 방미에서 이 회장은 주요 파트너사와 글로벌 비즈니스 협력 방안을 논의하고 신사업 기회를 모색할 것으로 전해졌다.이 회장은 미국 방문 목적에 대한 취재진의 질문에 "안녕하세요"라고만 답한 뒤 출국장으로 들어갔다. theveryfirst@fnnews.com 홍창기 기자

이재용 삼성전자 회장이 미국과 막판 줄다리기를 하고 있는 무역협상에 힘을 보태기 위해 미국 출장에 나섰다. 지난 17일 '삼성물산·제일모직 부당합병 의혹' 관련 대법원 무죄 확정 이후 12일 만에 확인된 첫 외부 일정이다. 이 회장은 29일 오후 3시50분께 김포국제공항에 도착한 후 미국 워싱턴으로 출국했다. 이 회장은 미국 방문 목적에 대한 취재진의 질문에 "안녕하세요"라고만 답한 뒤 출국장으로 향했다. 이 회장은 미국 출장길에 올라 거래처 미팅 등을 진행하는 한편, 미국 상호관세 발효를 사흘 앞두고 우리 측 협상 카드로서 미국 내 반도체 투자 확대 및 첨단 인공지능(AI) 반도체 분야 기술협력을 제안할 것으로 예상된다. 앞서 김동관 한화그룹 부회장도 전날 워싱턴으로 출국, 정부 협상에 힘을 보탤 것으로 전해졌다. 김 부회장은 한국이 미국 측에 제안한 조선산업 협력 프로젝트 '마스가(MASGA)'의 구체화 등을 위해 한국 협상단에 합류할 것으로 알려졌다. 미 텍사스주 오스틴에서 파운드리(반도체 위탁생산) 공장을 운영 중인 삼성전자는 2030년까지 미 현지 반도체 생산거점을 위해 370억달러(약 54조원) 이상을 투자하기로 했다. 이에 따라 내년 가동 개시를 목표로 텍사스주 테일러에 파운드리 공장을 짓고 있다. 전날에는 테슬라와 약 23조원 규모로 역대 최대 규모 파운드리 공급계약을 맺고 내년부터 테일러 공장에서 테슬라의 차세대 AI 칩 'AI6'를 생산하기로 했다. 삼성전자가 생산할 'AI6'는 테슬라의 자율주행용 AI 칩으로, 2㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m)급 공정으로 제조될 예정이다. 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 자신의 SNS에 "삼성은 테슬라가 제조 효율성을 극대화하는 데 참여하는 것을 허락했다"며 "이는 매우 중요한 결정이며 나는 직접 생산라인을 점검해 진척 속도를 가속화할 것"이라고 재차 강조했다. 특히 재계에서는 이번 계약이 미국 정부의 반도체산업 부흥 정책과 투자유치 전략과 맞아떨어지면서 한미 협상에 유리하게 작용할 수 있을 것이라고 보고 있다. kjh0109@fnnews.com 권준호 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] 이재용 삼성전자 회장이 막판 총력전으로 펼쳐지는 미국과의 무역 협상에 힘을 보태기 위해 미국 출국길에 올랐다. 지난 17일 '삼성물산·제일모직 부당 합병 의혹' 관련 대법원 무죄 확정 이후 12일 만에 확인된 첫 외부 일정이다. 이 회장은 29일 오후 3시 50분께 김포공항에 도착한 후 미국 워싱턴으로 출국했다. 이 회장은 미국 방문 목적에 대한 취재진의 질문에 "안녕하세요"라고만 답한 뒤 출국장으로 들어간 것으로 전해졌다. 이 회장은 미국 출장길에 올라 거래선 미팅 등을 진행하는 한편, 미국 상호관세 발효를 사흘 앞두고 우리 측 협상 카드로서 미국 내 반도체 투자 확대 및 첨단 인공지능(AI) 반도체 분야 기술 협력을 제안할 것으로 예상된다. 이 회장의 귀국 일정은 확인되지 않았다.  미 텍사스주 오스틴에서 파운드리(반도체 위탁생산) 공장을 운영 중인 삼성전자는 2030년까지 미 현지 반도체 생산 거점을 위해 370억달러(약 54조원) 이상을 투자하기로 했다. 이에 따라 내년 가동 개시를 목표로 텍사스주 테일러에 파운드리 공장을 짓고 있다. 전날 테슬라와 약 23조원 규모로 역대 최대 규모 파운드리 공급 계약을 맺고 내년부터 테일러 공장에서 테슬라의 차세대 AI칩 AI6를 생산하기로 했다. 삼성전자가 생산할 AI6은 테슬라의 자율주행용 AI 칩으로, 2㎚(나노미터·1㎚=10억분의 1m)급 공정으로 제조될 것으로 알려졌다. 일론 머스크 테슬라 최고경영자(CEO)는 자신의 사회관계망서비스(SNS)에 "삼성은 테슬라가 제조 효율성을 극대화하는 데 참여하는 것을 허락했다"며 "이는 매우 중요한 결정이며 나는 직접 생산 라인을 점검해 진척 속도를 가속화할 것"이라고 재차 강조했다. 재계에서는 이번 계약이 미국 정부의 반도체 산업 부흥 정책과 투자 유치 전략과 맞아 떨어지면서 한미 협상에 유리하게 작용할 수 있을 것이라고 보고 있다.  soup@fnnews.com 임수빈 권준호 기자