[파이낸셜뉴스] 코스닥 센서 전문기업 엣지파운드리는 오는 8월까지 WLP(Wafer Level Packaging) 공정 내재화를 위한 핵심 장비 도입을 완료한다고 8일 밝혔다. 엣지파운드리는 지난 3월 한화인텔리전스와의 합병을 성공적으로 마친 후, 공정 내재화와 CMOS 호환 대량 양산 체계 구축을 최우선 과제로 삼아 왔다. 이번에 도입하는 장비는 MBA(Micro Bolometer Array) 생산에 필요한 WLVP(Wafer Level Vacuum Package) 장비와 Plating 장비로, IR 센서 생산 경쟁력을 비약적으로 높일 것으로 기대된다. WLVP 장비는 반도체 웨이퍼 전체를 대상으로 패키징 공정을 수행하는 WLP 기술을 적용, 제조 비용 절감과 제품 신뢰성 향상을 동시에 달성할 수 있다. Plating 장비는 MBA 웨이퍼와 CAP 웨이퍼 간 본딩 공정에 필요한 금속 도금층 증착을 담당, 공정 품질 및 생산성을 크게 강화한다. 엣지파운드리는 기존에 외부 장비를 활용한 국산화 개발을 완료했으나, 이번 자체 장비 도입을 통해 제조 일정 리스크를 해소하고, 핵심 공정 기술의 전체를 내재화를 실현할 계획이다. 엣지파운드리 관계자는 “클린룸 시설 확장과 함께 IR 센서 수요 증가에 대응한 대량 양산 체계 강화를 추진하고 있다”며 “시장 경쟁력 확보를 통해 글로벌 IR 센서 시장에서 엣지파운드리의 입지를 비약적으로 확대할 것”이라고 밝혔다. 한편, 엣지파운드리는 지난 4월 29일 서울 한국거래소 컨퍼런스홀에서 개최된 기업설명회(IR)를 성공리에 마쳤다. 이번 설명회에서는 사업 영위 현황, 사업 추진 방향, 중장기 성장 전략을 상세히 발표했으며, 국내외 투자자들의 높은 관심을 끌어냈다. dschoi@fnnews.com 최두선 기자

[파이낸셜뉴스] 부산교통공사는 부산도시철도 1호선 개통 40주년을 기념해 오는 23일 개최되는 ‘양산선 건설현장 체험행사’에 참여할 시민을 모집한다고 밝혔다. 이번 행사는 2026년 개통 예정인 양산선의 건설 과정을 시민이 직접 체험할 수 있도록 마련됐다.  참가자들은 양산중앙(종합운동장)역에서 2호선과 양산선이 연결되는 환승 교량구간 건설현장을 도보로 체험한다. 이어 각 분야 담당자의 설명을 들으며 변전실, 기계·신호·통신기기실 등 주요 시설을 둘러본다.  이번 행사는 공사 최초로 일반 시민에게 양산선 건설현장을 개방하는 자리로, 개통 전 도시철도 시설을 현장에서 직접 체험할 수 있는 특별한 기회가 될 전망이다.  참가 신청은 오는 15일까지 부산교통공사 누리집을 통해 접수할 수 있다. 전산 추첨을 통해 40명 내외의 참가자를 선정해 16일 발표할 예정이다. 도시철도에 관심 있는 시민이라면 누구나 신청 가능하다. bsk730@fnnews.com 권병석 기자

LX세미콘이 미래 성장사업으로 육성해온 방열기판(사진)의 양산을 시작했다. LX세미콘은 30일 경기 시흥시 LX세미콘 시흥캠퍼스에서 친환경 차량용 방열기판의 양산 출하를 축하하는 기념식을 했다고 밝혔다. LX세미콘은 지난 2022년 경기 시흥시에 3000평 규모의 방열기판 공장을 준공하고, 경쟁력을 확보하기 위해 에칭(식각) 공정을 내재화하는 등 제품 양산을 위해 지난 5년간 약 1000억원을 투자했다. 공장 완공 후에는 고객에게 완벽한 제품을 공급하기 위해 시제품을 생산하며 품질관리 능력을 높여왔다. 현재 방열기판 공장의 캐파(생산능력)는 연 25만장이며 내년 말까지 50만장으로 확대할 계획이다. 친환경 차량용 방열기판은 전력소자의 열을 외부로 확산시키기 위해 높은 열 전도성을 갖는 것이 특징이며, 전기차 시장과 함께 빠르게 성장할 것으로 전망되고 있다. 특히 전기차 파워모듈의 내구성과 안정성을 높이는데 큰 영향을 주는 핵심 부품으로, 높은 방열 성능과 가혹한 조건에서도 견딜 수 있는 높은 신뢰성을 필요로 한다. LX세미콘의 방열기판은 기존방식과 차별화된 메탈 디퓨전 본딩(MDB) 공법을 적용했다. MDB 공법은 얇고 균일한 금속층으로 세라믹과 구리를 접합하는 기술이다. 접합면을 얇고 균일하게 접합할 수 있어 열적·기계적 신뢰성이 높다. 특히 질화규소(Si3N4), 질화알루미늄(AIN) 등 성능이 우수한 질화물 세라믹뿐만 아니라 산화알루미늄(Al2O3) 등 보급형인 산화물 세라믹에도 활용 가능한 공법이다. 따라서 친환경 자동차를 비롯해 전기차 충전기, 에너지 저장장치, 고속열차 등 다양한 산업분야에 적용할 수 있다. 이윤태 LX세미콘 대표이사 사장은 "차별화된 제조기술과 엄격한 품질관리를 통해 고객에게 최상의 만족을 제공할 것"이라며 "향후 방열기판 제품의 포트폴리오를 다변화해 고객을 확대해 나가겠다"고 강조했다. 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 4월 30일 열린 올해 1·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 파운드리(반도체 위탁생산) 2나노미터(나노미터(1nm=10억분의1m) 1세대 공정의 신뢰성 평가를 완료해 2·4분기 양산 투입을 시작할 계획이라고 밝혔다.  이어 "2나노 게이트 올 어라운드(GAA) 공정 수율 개선과 안정화에 집중해 양산 준비를 차질 없이 진행하고 있다"며 "2나노 2세대와 4나노, HPC 인공지능(AI)향 과제를 포함한 5나노 이하 선단 공정을 중심으로 전분기 대비 수주 실적을 확대했다"고 했다.  그러면서 "2나노 1세대 GAA 공정 양산을 시작하고 2나노 2세대 고객사 수주에 박차를 가하겠다"고 강조했다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 4월 30일 열린 올해 1·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "고대역폭메모리(HBM)4는 고객사 과제 일정에 맞춰 기존 계획 대로 하반기 양산을 목표로 개발을 진행하고 있으며, 업계의 관심이 높은 커스텀HBM 또한 HBM4 및 HBM4E 기반 과제로 복수의 고객들과 협의를 진행하고 있다"고 밝혔다.  이어 "HBM4는 2026년부터 판매에 기여할 것으로 기대를 모으고 있고, 회사는 HBM4 및 HBM4E 고객 수요 대응을 위해 필요한 투자를 지속 집행해 나가고 있다"고 전했다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] LX세미콘이 미래 성장사업으로 육성해온 방열기판의 양산을 시작했다. LX세미콘은 30일 경기도 시흥시 LX세미콘 시흥캠퍼스에서 친환경 차량용 방열기판의 양산 출하를 축하하는 기념식을 진행했다고 밝혔다.  LX세미콘은 지난 22년 경기도 시흥시에 3000평 규모의 방열기판 공장을 준공하고, 경쟁력을 확보하기 위해 에칭(식각) 공정을 내재화하는 등 제품 양산을 위해 지난 5년간 약 1000억원을 투자했다. 공장 완공 후에는 고객에게 완벽한 제품을 공급하기 위해 시제품을 생산하며 품질 관리 능력을 높여왔다. 현재 방열기판 공장의 캐파(생산능력)는 연 25만장이며 내년 말까지 50만장으로 확대할 계획이다. 친환경 차량용 방열기판은 전력소자의 열을 외부로 확산시키기 위해 높은 열 전도성을 갖는 것이 특징이며, 전기차 시장과 함께 빠르게 성장할 것으로 전망되고 있다. 특히 전기차 파워모듈의 내구성과 안정성을 높이는데 큰 영향을 주는 핵심 부품으로, 높은 방열 성능과 가혹한 조건에서도 견딜 수 있는 높은 신뢰성을 필요로 한다. LX세미콘의 방열기판은 기존방식과 차별화된 메탈 디퓨젼 본딩(MDB) 공법을 적용했다. MDB 공법은 얇고 균일한 금속층으로 세라믹과 구리를 접합하는 기술이다. 접합면을 얇고 균일하게 접합할 수 있어 열적, 기계적 신뢰성이 높다. 특히 질화규소(Si3N4), 질화알루미늄(AIN) 등 성능이 우수한 질화물 세라믹뿐만 아니라 산화알루미늄(Al2O3) 등 보급형인 산화물 세라믹에도 활용 가능한 공법이다. 따라서 친환경 자동차를 비롯해 전기차 충전기, 에너지 저장장치, 고속열차 등 다양한 산업분야에 적용할 수 있다. 이윤태 LX세미콘 대표이사 사장은 “차별화된 제조기술과 엄격한 품질 관리를 통해 고객에게 최상의 만족을 제공할 것”이라며 “향후 방열기판 제품의 포트폴리오를 다변화해 고객을 확대해 나가겠다”고 강조했다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] 스터닝밸류리서치는 29일 웨이비스에 대해 국내 ‘GaN RF 반도체 국산화’에 성공한 유일한 기업으로 올해 흑자전환 이후 고성장이 가능하다고 진단했다. 다만 투자의견과 목표 주가는 제시하지 않았다. GaN RF 반도체는 모든 무선통신체계에서 필수적인 ‘신호증폭기능’을 수행한다. 타 소재 대비 고출력, 고주파, 소형화 구현이 가능한 장점을 가지고 ‘첨단산업 내 대체 불가능한’ 핵심 부품이다. Gan RF 반도체는 첨단무기체계, 안티드론, 이동통신인프라, 위성우주항공 등에 사용되며 첨단산업 내 수요 증가에 따라, 2028년 7.5조원 규모로 관련 산업이 성장할 것으로 전망된다. 하지만 글로벌 수급 난으로 인해 Gan RF 반도체 국산화가 시급한 상황이었다. 스터닝밸류 리서치는 "이러한 가운데 동사는 국내 유일하게 GaN RF 반도체 칩 양산 기술을 국산화하는 데 성공한 기업이며, 칩-패키지트랜지스터-모듈 양산 공정을 100% 내재해 유기적인 내부 피드백을 통한 제품 기술, 성능 가격 경쟁우위를 확보했다“라며 ”웨이비스는 인도의 안티드론 시스템 제조기업 ACCORD와의 프로젝트 수주에 성공하여, 2023년 매출 12억원을 달성한 바 있다“라고 밝혔다. 그러면서 “인도에서의 레퍼런스가 확보됨에 따라 고객 기반이 확보되었고, 고객별 프로젝트 수가 증가하는 추세”라며 “인도에서의 성공을 바탕으로 이스라엘, 튀르키예 방산 업체와 논의을 진행하는 등 글로벌 매출 확대를 위한 발판을 마련하고 있다. 2025년 안티드론을 통한 매출은 동사의 올해 매출 목표 400억원 중 5% 내외가 될 것으로 예상된다”라고 부연했다. 안티드론은 드론을 탐지하고 무력화시키는 장비로 ‘Signal Jammer’가 있다. ‘Signal Jammer’에도 GaN RF 반도체가 사용되고 있다. 포춘지에 따르면 세계 안티 드론 시장 규모는 2021.년 13.4억 달러로 평가되었으며, 2022년 15.8억 달러에서 2029년 69.5억달러로 성장하여 예측 기간 동안 연평균 성장률(CAGR) 23.6%를 나타낼 것으로 전망하고 있다. 인도의 경우 러시아 무기사용 등으로 인해 서방 국가의 견제를 받아 GaN RF 수급난을 겪어오던 상황였다. 스터닝밸류리서치는 동 사가 2025년 흑자전환을 기점으로 고성장 할 것이라고 전망했다. 스터닝밸류리서치에 따르면 웨이비스는 필드 테스트를 마친 프로젝트가 대규모 양산에 들어가면서 지난해 매출은 294억원(yoy+74%), 영업손실은 -49억원(yoy +48%)으로 전년대비 대폭 개선된 실적을 기록했다. 후속 유사 프로젝트 참여 가능성과 추가 양산을 통해 올해는 흑자전환을 목표로 하고 있다. 스터닝밸류리서치는 “동 사는 올해 400억원(yoy +36%) 매출에 30억원의 영업이익 흑자가 전망되며, BEP(매출액370~380억원) 초과시 더욱 빠른 증가세를 유지할 것으로 예상된다”라며 “동사는 북한 미사일 대응을 위한 한국형 미사일 방어체계 중 하나인 L-SAM의 다기능레이더에 GaN RF를 공급하고 있다”라고 말했다. 실제 28일 웨이비스 한화시스템에 265억원 상당의 L-SAM MFR용 초도양산 고출력증폭보드를 공급한다고 밝혔다. 이는 지난해 매출의 90.2% 규모로 2027년 말까지 공급할 계획이다. 스터닝밸류리서치는 “한화시스템의 1분기 연결 기준 매출액 6,577억원(yoy +20.8%), 영업이익 419억원(yoy+6.7%, OPM 6.4%)으로 전망된다”라며 “올해에만 주가가 50% 이상 상승하며 연일 최고가를 경신해 나가고 있는데, 한화시스템과 긴말한 관계에 있는 웨이비스에게도 호재로 인식될 것으로 보인다”라고 덧붙였다. kakim@fnnews.com 김경아 기자

[파이낸셜뉴스] 전자빔(e-beam) 기반 검사장비 전문기업 쎄크(SEC)가 국내 유일 전자빔 원천기술을 기반으로 세계 최초 테슬라 46파이 원통형 배터리용 고속 3D 인라인(In-Line) CT 검사기를 개발하고 양산에 돌입했다. 29일 금융투자업계에 따르면 쎄크는 엑스레이 튜브 원천 기술을 기반으로 배터리, 반도체, 자동차 전장부품 검사 장비의 국산화에 성공했다. 이 기술은 이전에는 독일, 일본 등에서 전량 수입하던 장비였다. 이를 기반으로 전기차 시장에서 수요가 급증한 46파이 배터리 전용 고속 3D CT 검사기를 공급하고 있다. 쎄크는 또 지난 2019년 LG에너지솔루션을 고객사로 확보하면서 배터리 시장에 진출해 현재 모든 폼팩터에 대한 검사 장비를 공급하고 있다 김종현 쎄크 대표이사는 “기술특례상장 기업임에도 불구하고 국내 유일 전자빔 원천기술과 내재화된 설계·소프트웨어 역량을 기반으로 고대역폭메모리(HBM), 방산, 배터리 등 고성장 전방 시장에 진입해 지난해 흑자전환에 성공했다”고 밝혔다. 쎄크는 지난 28일 코스닥 시장에 상장했다. 공모자금은 공장동 신설 및 생산능력(CAPA) 확충, 연구개발(R&D) 투자, 차입금 상환 등에 활용될 계획이다. 특히 쎄크는 세계 최초로 고속 인라인 3D CT 검사기를 개발해 양산 라인에 도입했으며, 현재까지 전 세계 10여개국에 40대 이상 장비를 납품한 것으로 알려졌다. 검사 소프트웨어에 인공지능(AI) 딥러닝 기술을 적용해 검사 정확도 99.9%, 과검률 0.1% 미만이라는 높은 기준을 충족시켰다. 쎄크는 최근 서울 코엑스에서 열린 '인터배터리 2025' 전시회에 참가해 고속 3D CT 검사 기술을 선보이며 업계의 주목을 받았다. 이 기술은 전기차와 에너지저장장치(ESS) 배터리 전수검사, 자동검사, AI 딥러닝(Deep Learning) 기반 불량 감지 기능을 보유하고 있다. 전시회 첫날부터 100명이 넘는 국내외 이차전지 제조 기업 및 업계 임원들이 쎄크 제품에 깊은 관심을 보였다. 특히 국내 대표 전지 3사와도 활발한 상담이 이어지면서 글로벌 시장 확대 기대감을 높였다. 쎄크 관계자는 “배터리 전수검사의 중요성이 높아지는 가운데, 쎄크의 고속 3D CT 검사기술은 차세대 배터리 제조 공정에 필수적인 솔루션이 될 것”이라며 “글로벌 배터리 제조사들과 협력을 확대해 시장 선도 지위를 강화하겠다”고 밝혔다. dschoi@fnnews.com 최두선 기자

삼성전자가 차세대 메모리인 10나노미터(1nm=10억분의1m) 7세대 D램(1d) 양산을 위한 태스크포스(TF)를 꾸린 것으로 확인됐다. 메모리 초격차 전략 재가동이다. 삼성전자는 고대역폭메모리(HBM)4 개발을 승부처로 삼고, 이의 기반이 되는 메모리 근원 경쟁력 확보에 총력을 다한다는 입장이다. 이를 통해 '글로벌 D램 시장 1위' 지위를 재탈환하겠다는 각오다. 23일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 반도체(DS)부문 메모리사업부는 10나노 7세대 D램(1d) 양산의 막바지 프로세스아키텍처(PA) 단계를 담당하는 TF를 새로 꾸리고, 내부적으로 인력 충원을 실시했다. 현재 삼성전자 반도체연구소 내에는 D램 기술개발(TD) 조직과 D1d 개발을 담당하는 팀이 운영되고 있으며, 이번 TF 가동을 통해 제품 완성도를 높이고 차세대 D램 양산에 속도를 내겠다는 구상이다. 본지 취재 결과 삼성전자 반도체연구소는 이와 별개로 10나노보다 더 정교한 한자릿수 '극미세 D램 공정 전담 TF'도 가동하고 있는 것으로 파악됐다. 업계에서는 삼성전자 '초격차 전략 재가동'이라는 해석을 내놓고 있다. 고밀도·고성능 D램은 HBM 시장의 게임 체인저가 될 '6세대 HBM4' 양산에 필수적인 제품이다. D1d는 일부 메모리사가 개발에 성공했다고 언급한 D1c보다 더 미세한 기술력이 필요한 공정으로 불린다. 10나노급 D램 공정은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발돼 왔다. 다음 세대로 넘어갈수록 반도체 회로 선폭이 좁아져 성능 및 에너지 효율이 높아진다. 1d D램은 1c 다음 세대 제품이다. 업계 관계자는 "경쟁사에 뒤처질 수 있다는 위기감 속에서 차세대 제품에서는 실기하지 않겠다는 삼성전자의 의지"라며 "미세 공정은 수율(양품비율) 확보가 관건인 만큼 완성도 높은 제품을 양산하기 위해 인력을 집결하는 것"이라고 전했다. 한편 삼성전자는 올해 1·4분기 글로벌 D램 시장에서 점유율 1위 자리를 SK하이닉스에 내어준 상태다. soup@fnnews.com 임수빈 권준호 기자

#OBJECT0#[파이낸셜뉴스]삼성전자가 차세대 메모리인 10나노미터(1nm=10억분의1m) 7세대 D램(1d) 양산을 위한 태스크포스(TF)를 꾸렸다. 차세대 고대역폭메모리(HBM) 성공을 위해 그 기반이 되는 선단 D램을 타임라인에 맞게 양산하기 위한 조치로 '1등 DNA' 회복에 시동을 걸었다는 평가가 나온다. 올해 1·4분기 글로벌 D램 시장에서 점유율 1위 자리를 경쟁사에 내준 만큼, 삼성전자는 차세대 메모리 시장에서 적기를 놓치지 않기 위해 총력을 다할 것으로 예상된다. 양산 염두에 둔 7세대 D램 TF 새롭게 꾸려23일 업계에 따르면 삼성전자 반도체(DS)부문 메모리사업부는 10나노 7세대 D램(1d) 양산 막바지인 프로세스아키텍처(PA) 단계를 담당하는 TF를 새로 꾸리고, 내부적으로 인력을 충원하고 있다. 현재 반도체연구소 내 D램 기술개발(TD) 조직이 있고, D1d 개발을 담당하는 팀은 이미 운영되고 있다. 이번 TF를 통해선 제품 완성도를 높이기에 총력을 다하려는 것으로 풀이된다. 삼성전자는 TF를 통해 차세대 D램 양산에 속도를 붙이겠다는 구상이다. 고밀도·고성능 D램은 HBM 시장의 게임 체인저가 될 '6세대 HBM4' 양산에 필수적인 제품이다. D1d는 일부 메모리사가 개발에 성공했다고 언급한 D1c보다 더 미세한 기술력이 필요한 공정으로 불린다. 10나노급 D램 공정은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발되고 있다. 다음 세대로 넘어갈수록 반도체 회로 선폭이 좁아져 성능 및 에너지 효율이 높아진다. 1d D램은 1c 다음 세대 제품이다. 삼성전자는 반도체연구소를 통해 10나노보다 더 정교한 한 자리 수 대 '극미세 D램 공정 전담 TF'도 가동하고 있다. 최근 잃었던 '초격차' 경쟁력을 되찾아오겠다는 의지다. 업계 관계자는 "경쟁사에 뒤처질 수 있다는 위기감 속에서 차세대 제품에서는 실기하지 않겠다는 삼성전자의 의지"라며 "미세 공정은 수율(양품비율) 확보가 관건인 만큼, 완성도 높은 제품을 양산하기 위해 인력을 집결하는 것"이라고 전했다. 한 발 앞섰지만...경쟁사들 '코 앞'에삼성전자는 7세대 D램 양산 태스크포스(TF) 구성 등 다양한 움직임을 통해 최근 경쟁사들에 밀리는 상황을 뒤집겠다는 복안이다. 삼성전자는 앞서 지난 2022년 말 5세대 D램(D1b)를 세계 최초 개발하고 2023년 5월 양산에 돌입했지만 수율(양품비율) 확보에 실패하고, 차세대 제품 개발이 늦어지며 경쟁력을 잃고 있는 상태다. 5세대 D램에서 삼성전자에 한 발 늦었던 SK하이닉스와 마이크론은 같은 해 모두 D1b를 상용화하는데 성공했다. 특히 SK하이닉스의 경우 지난해 6세대 D램(D1c) 개발도 마쳤다. 그 해 8월에는 D1d에 대한 공정 신뢰성 평가(PRA)도 진행한 것으로 알려졌다. 통상적으로 반도체 제품의 첫 PRA가 설계 직후 수행된다는 점을 감안했을 때, 현재 SK하이닉스의 D1d 개발이 삼성전자 대비 어느 정도 앞서 있을 가능성이 있다는 게 업계 관측이다. 또 다른 경쟁사 마이크론도 지난달 '1γ'(감마) 기반 DDR5 샘플을 잠재 고객사에 출하했다. 1γ는 D1c에 해당한다. 반면 삼성전자는 고전을 면치 못하고 있다. 업계는 몇 년 전부터 이어진 개발 인력에 대한 처우 불만 등이 해소되지 않으면서 내부 잡포스팅(내부 이동), 경쟁사로의 이직 등이 반복됐고, 경험을 전수해줄 인력이 상당 부분 빠져나가 결국 수율 문제로 이어졌다고 분석한다. 현재 개발하고 있는 6세대 D램의 수율도 한 자릿수 전후인 것으로 전해졌다. 한 업계 관계자는 "폐쇄적인 조직문화, 측정하기 어려운 목표 관리 제도(MBO) 도입 등으로 개발·분석에만 집중할 수 없다는 것도 문제"라며 "소통 시간 단축도 필요하다"고 전했다. TF 구성, 기술개발 어느 정도 됐다는 신호삼성전자가 7세대 D램 양산 TF를 꺼내든 것도 '승부수'를 던져 어려움을 극복하겠다는 의지로 풀이된다. 일각에서는 TF구성이 D1d 개발의 '긍정적인 신호'로 볼 수도 있다는 목소리도 나온다. 지금까지 삼성전자는 차세대 D램 개발 시 어느 정도 기술개발이 되면 양산을 준비하는 프로세스아키텍처(PA) 단계로 넘어갔다. 이번 TF 구성도 어느 정도 기술개발이 된 후 내려진 결정일 수 있다는 게 업계 시각이다. 다만 6·7세대 D램을 한번에 개발하고 있다는 점은 아쉬운 점으로 꼽힌다. 지난해 6세대 D램 개발에 성공, 7세대에 온전히 집중할 수 있는 SK하이닉스보다 더 많은 품이 들어갈 수밖에 없기 때문이다. SK하이닉스는 앞서 6세대 D램의 양산성을 확보, 올해 하반기부터 일반 D램에 적용할 계획이다. 올해 투자도 고대역폭메모리(HBM)와 인프라에 집중하겠다고 밝혔다. 이와 관련, SK하이닉스는 올해 1월 진행한 지난해 실적 설명회에서 "향후 (HBM) 공급 상황을 예상해 램프업을 위한 투자를 계획하고 있다"며 "1c 나노 공정을 향후 HBM4E에 적용, 적기 개발과 공급으로 시장 리더십을 유지하겠다"고 강조했다. 업계는 6세대 D램에서 SK하이닉스에 밀린 삼성전자가 7세대 D램의 성공적인 개발을 통해 분위기 반전을 꾀할 수 있을지 주목하고 있다. 아직까지 7세대 D램을 개발·양산한 기업은 없다. 삼성전자는 오는 2026년 10나노급 D1d, 2027년 10나노 미만급 1세대 D램(D0a) 양산에 돌입하겠다고 계획을 세운 상황이다. soup@fnnews.com 임수빈 권준호 기자