8인치 순수 파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상된 4세대 0.18㎛ BCD 공정 출시를 통해 모바일 및 전력 반도체 성능 향상을 위한 솔루션을 제공한다고 11일 밝혔다. SK키파운드리의 이번 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공해 서버 및 노트북용 PMIC, DDR5 메모리용 PMIC, Mobile charger, Audio Amp., 차량용 Gate driver 등 다양한 응용 분야에서 고객 필요에 맞는 사양으로 사용 가능한 것이 특징이다. 또한 Trimming용 MTP(Multi-Time Programmable)/OTP(One-Time Programmable) memory, SRAM memory 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다. SK키파운드리의 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 Grade1을 만족했으며, Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션 제공을 통해 15,000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 Isolator 제품 설계 또한 가능하다. SK키파운드리는 3세대 0.18㎛ BCD 공정으로 쌓여온 대량 양산 경험과 고객의 높은 신뢰 수준을 바탕으로, 이번 4세대 0.18㎛ BCD공정이 모바일 디바이스의 배터리 수명 연장과 낮은 발열을 통한 안정된 성능 구현, 차량용 전력 반도체 에너지 효율 향상을 통한 성능 향상에 기여할 것으로 기대된다고 밝혔다. SK키파운드리 이동재 대표는 "개선된 성능의 새로운 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며, "SK키파운드리는 전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 Gate driver IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

SK키파운드리(대표이사 이동재)가 차량용 전력 반도체 설계 기업들이 고성능 차량용 반도체 제품을 설계할 수 있도록 개선된 0.13㎛ BCD 공정을 제공한다고 25일 밝혔다. SK키파운드리의 개선된 0.13㎛ BCD 공정은 자동차 전자부품 신뢰성 평가 규정인 AEC-Q100의 Grade-0 인증을 충족해 최대 150℃까지의 사용 환경 온도를 견뎌야 하는 고성능/고신뢰성 차량용 반도체에 적합한 공정임을 인증 받았다. 특히 이번 공정은 120V급까지의 고전압 소자 제공과 동시에 15KV 이상의 절연 기술을 구현해 전기차에 사용되는 BMS IC, Isolated gate driver IC, DC-DC IC, CAN/LIN transceiver IC 등 고전압/고신뢰성 제품의 설계를 가능하게 한다. 또한 고전압 BCD 공정에서 고밀도 플래시 메모리 IP 사용이 가능해 MCU 기능이 필요한 Motor Driver IC, LED driver IC, Sensor controller IC, Power Delivery controller IC 등의 차량용 반도체에도 적합한 공정 기술이다. 특히 플래시 IP 프로그래밍이 10만회까지 가능해 반복적인 데이터 변경이 필요한 고성능 제품에도 고객들이 광범위하게 사용할 수 있는 것이 특징이다. 차량용 전력 반도체 시장은 거시적으로 전기차의 확산과 차량 내 전자기기 증가에 힘입어 향후 지속적인 확대가 예상되고 있다. 시장 조사기관 OMDIA에 따르면 차량용 전력 반도체 시장은 2023년 208억 달러에서 2028년 325억 달러 규모로 연평균 9.3% 성장이 전망되고 있다. SK키파운드리는 차량용 반도체에 적합한 고성능 공정 기술을 지속 개발하는 한편, 높은 품질 관리 수준으로 품질 요구 조건이 까다로운 글로벌 탑티어(Tier-1) 자동차 벤더들로부터 자동차 부품 대상의 생산 품질 심사(Audit)를 통과해옴으로써 고객 요구를 충족하는 파운드리 서비스를 제공하는 동시에 차량에 탑재 가능한 수준의 높은 공정 신뢰성을 확보한 것으로 평가되고 있다. SK키파운드리 이동재 대표는 “차량용 전력 반도체 공정을 제공하는 파운드리가 제한적인 상황에서도 당사는 최고 성능을 갖춘 차량용 고전압 BCD 공정 제공을 위한 개선을 지속해왔다.”며, “주요 차량용 팹리스 업체와의 10년 이상 축적된 양산 경험과 확보된 양산 품질을 바탕으로 향후 8인치 차량용 전력 반도체 시장에서 확고한 성장 기반 확보를 사업 전략으로 강하게 추진해 나갈 것”이라고 설명했다.

국내 유일의 순수 파운드리 반도체 기업인 키파운드리(대표이사 이태종)는 어보브반도체에 차량용 전력반도체에 적합한 2세대 플래시 메모리 내장형 0.13 micron BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 제공한다고 밝혔다. 전력반도체는 전원으로부터 공급되는 전력을 TV, 조명, 노트북, 스마트폰 등 다양한 기기의 시스템에 맞게 변화, 분배, 제어를 수행하는 반도체이다. 최근 인공지능, 사물인터넷, 자율주행자동차 등 4차 산업혁명 관련 응용 제품에 전력부품이 많이 사용되며 전력반도체의 수요가 계속 증가, 그 역할이 더욱 중요해 지고 있다. 이러한 전력반도체를 제조하기 위해서는 아날로그 신호 제어를 위한 Bipolar 공정, 디지털 신호 제어를 위한 CMOS 공정, 고전력 관리를 위한 DMOS 공정을 하나의 칩에 구현한 BCD 공정 기술이 필요하다. 키파운드리는 자체 개발한 BCD 공정을 이용, 40 V 이하의 저전압 제품부터 200 V의 고전압 제품에 이르기까지 다양한 전력반도체를 생산해 오고 있다. 키파운드리는 지속적인 기술 개발을 통해 BV(항복전압)가 높고, On 저항이 낮으며, 스위칭 손실이 적은 Best-in-class BCD 특성을 확보하였다. 또한 자체 개발한 DTI(Deep Trench Isolation) 공정을 통해 고전압 제품에서 발생하는 간섭을 최소화하여 전력반도체 성능을 향상시킴으로써 시장에서 좋은 반응을 얻고 있다. 키파운드리의 2세대 플래시 메모리 내장형 0.13 micron BCD 공정은 1.5 V 고집적 로직, 8 ~ 40 V 전력용 LDMOS와 64K byte 내장형 플래시 메모리를 제공한다. 특히 모든 소자에 대하여 자동차 전자부품 신뢰성 평가 규정인 AEC-Q100의 Grade-1 인증을 획득하였다. 어보브반도체는 키파운드리의 2세대 플래시 메모리 내장형 0.13 micron BCD 공정을 이용한 차량용 UFC(Universal Fast Charger) MCU 제품을 개발하였다. 이 제품에는 전력용 LDMOS 소자와 고집적 플래시 메모리가 내장되었으며, USB PD (Power Delivery) 3.0과 Legacy 고속 충전을 지원한다. 이는 키파운드리의 2세대 플래시 메모리 내장형 0.13 micron BCD 공정을 이용한 첫번째 차량용 반도체 제품이며, 키파운드리는 향후 Motor Driver IC, BMS(Battery Management System), DC-DC IC, 무선 충전 IC 등 다양한 종류의 차량용 전력 반도체 생산에 본 공정이 확대 적용될 것을 기대하고 있다. 어보브반도체 최원 대표는 “키파운드리사의 0.13 micron BCD 공정을 활용하여 차량용 제품을 준비하게 되어 뜻 깊게 생각한다.” 면서, “어보브반도체는 주력인 가전제품용 MCU와 더불어, 올해부터 차량용 MCU 제품 프로모션을 본격 전개하고 있다. 해외 업체가 주도해온 차량용 MCU 시장에서 중장기적으로 비중 확대를 기대하고 있으며, 향후 지속적으로 키파운드리사와 협력하여 차량용 범용 MCU 개발을 가속화할 예정이다.” 라고 밝혔다. 키파운드리 이태종 대표는 “최근 차량용 반도체 시장이 빠르게 성장하는 가운데, 키파운드리가 차량용 전력 반도체에 적합한 2세대 플래시 메모리 내장형 0.13 micron BCD 공정을 제공하게 되어 기쁘게 생각한다.” 면서, “키파운드리는 지속적으로 다양한 제품의 설계가 가능한 파운드리 서비스를 제공할 것이며, 이를 바탕으로 차량용 반도체 제품의 비중을 지속적으로 늘려나갈 계획이다.” 라고 말했다.

국내 유일의 순수 파운드리 반도체 기업인 키파운드리(대표이사 이태종)는 모바일 및 차량용 전력 반도체에 최적화된 3세대 0.18micron BCD 공정의 양산에 돌입한다고 밝혔다. BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정은 아날로그 신호 제어를 위한 Bipolar 공정, 디지털 신호 제어를 위한 CMOS 공정, 고전력 처리를 위한 DMOS 공정을 하나의 칩에 구현한 공정 기술로, 다양한 전력용 반도체 제품 생산에 쓰인다. 키파운드리의 3세대 0.18micron BCD는 이전 세대에 비해 20% 정도 개선된 공정으로, 8~40V급 전력용 NMOS/PMOS의 낮은 동작 저항과 낮은 기생 정전용량의 구현을 통해 conduction 및 switching loss을 감소시켜 전력 효율이 중요한 제품에 최적화된 공정이다. 해당 공정은 이미 아시아 및 미주지역의 전력용 반도체 설계 기업과 제품 개발을 진행 중이며, DC-DC IC, charger IC, audio amplifier IC, motor driver IC 등의 다양한 제품 개발을 하는 설계 기업으로부터 많은 관심을 받고 있다. 또한 자동차 전자부품 신뢰성 평가 규정인 AEC-Q100의 Grade-1 Level 을 만족함으로써, Motor Driver IC, BMS(Battery Management System), DC-DC IC 등 차량용 전력 반도체 생산에도 적합하다. 키파운드리는 고객들의 다양한 제품에 적합한 기술을 제공하기 위하여, 최근 양산에 돌입한 3세대 0.18micro BCD 공정 기술에 선택 가능한 option 소자들을 제공하고 있다. 특히, 생산공정의 증가 없이 MTP(Multi-Time Programming)와 OTP(One-Time Programming) IP를 제공함으로써 메모리 기능이 필요한 전력 반도체를 설계하는 기업에게 설계 기간을 단축함과 동시에 보다 높은 가격 경쟁력을 제공할 수 있을 것으로 기대된다. 또한 DC-DC IC나 motor driver IC와 같은 power IC 제품에 정전형 Isolator 기능이 포함될 수 있도록 10kV 이상에서 동작하는 절연막 공정도 제공한다. 이와 별도로, 현재 낮은 구동 전압의 전력 소자, high side 회로를 위한 저저항 성능의 전력용 PMOS 및 start-up 회로용 공핍형 NMOS 등의 option 소자를 추가로 개발중이며, 2021년 상반기 중에 제공될 예정이다. 키파운드리 이태종 대표는 “최근 전력용 반도체 시장이 빠르게 성장하면서, 매우 높은 수준의 신뢰성과 원가 경쟁력을 갖춘 파운드리 기술에 대한 수요가 꾸준히 늘고 있다.”며, “키파운드리는 그 동안 축적해온 기술을 바탕으로 지속적인 공정 기술 향상을 통해, 경쟁력 있는 기술과 시장의 요구에 최적화된 BCD 공정을 제공하여 전력용 반도체 설계 기업의 요구를 만족시켜 나갈 것”이라고 말했다.

#OBJECT0# [파이낸셜뉴스] 인공지능(AI) 기술 구현을 위해 고성능 AI 반도체가 필수적인 가운데, LG전자가 AI 반도체 스타트업인 텐스토렌트를 포함한 글로벌 유수의 업체들과 협력하며 반도체 자체 설계 역량을 강화하고 있다.  LG전자는 조주완 대표이사(CEO)가 최근 서울 여의도 LG트윈타워에서 짐 켈러 텐스토렌트 CEO를 만나 전략적 협업을 논의했다고 12일 밝혔다. 조 CEO는 “텐스토렌트와 협력을 통해 생성형 AI를 기반으로 고객을 이해하고 이를 바탕으로 차별화된 경험을 제공하는 공감 지능을 구현해 나갈 것”이라고 전했다.  텐스토렌트는 개방형·저전력 반도체 설계 자산(IP)인 RISC-V 중앙처리장치(CPU)와 AI 알고리즘 구동에 특화된 IP인 텐식스(Tensix) 신경망처리장치(NPU)를 활용해 고성능 컴퓨팅(HPC) 반도체를 설계할 수 있는 기술 역량을 갖췄다.  양사는 급변하는 AI 기술 발전 속도에 발맞춰 칩렛 기술 등 차세대 시스템 반도체 분야 역량을 강화한다. 특히 각 사가 보유 중인 반도체 IP와 기술을 활용해 AI 가전부터 스마트홈, 모빌리티, 영상 관련 서버용 프로세서 등 다양한 사업 영역에서 협업 기회를 찾고 시너지를 창출하기 위한 방안에 대해 논의했다.  LG전자는 AI 관련 소프트웨어(SW)와 알고리즘 기술을 지속 고도화해 생성형 AI 기반의 제품과 플랫폼 및 서비스를 고객에게 제공하고, 이와 연계한 AI 반도체를 개발해 온디바이스AI 기술 경쟁력을 확보한다는 계획이다.  이를 위해 LG전자는 그룹 내 반도체 개발 조직인 시스템통합회로(SIC)센터를 지난해 시스템온칩(SoC) 센터로 명칭 변경을 하고, SoC 센터를 주축으로 제품과 서비스에 특화된 시스템 반도체 설계 역량을 집중 육성하고 있다.  아울러 텐스토렌트와의 협업 외에 반도체 분야에서 LG전자는 다양한 글로벌 기업과 손잡고 있다. 퀄컴과는 텔레매틱스(차량용 무선통신) 시장에서 협력하며, 차량 내에서 AI를 구현하는 방안에 대해 논의 중이다. 다양한 영역에서 AI 활용 방안도 확대한다. 출시 예정인 이동형 AI홈 허브 Q9(코드명)에 생성형AI를 구현하는 ‘마이크로소프트(MS) 애저 오픈AI'을 적용하는 등 빅테크와도 적극 협업하고 있다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 HVIC(High Voltage Integrated Circuit) 공정 기술 출시를 통해 자사 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대 강화했다고 24일 밝혔다. SK키파운드리 HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS(Lateral Double diffused MOS), 650V 이상의 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode) 등을 하나의 공정에 구현해 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있는 것이 특징이며, 여기 포함된 25V 고전압 소자 및 650V nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다. 또한 Non-volatile 소자인 MTP(Multi Time Program) IP와 OTP(One Time Program) IP를 옵션으로 함께 제공해 고객이 하나의 디자인에서 다양한 제품 스펙 변경이 가능하다. SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발을 통해 기존 고전압 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정의 200V 이하 제품과 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션을 통한 1,500V 이상 초고전압 제품 라인업에 더해, 650V~1,200V 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 되었다. 특히 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용 OBC에 적합할 뿐 아니라 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대되고 있다. HVIC 공정을 사용하는 주요 제품에는 MCU(Micro Controller Unit)에서 제어 신호를 받아 고전압 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 또는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등의 게이트를 직접 구동하는 고전압용 게이트 드라이버 IC 등이 있으며, 이는 대형 백색 가전용 모터 드라이브, 데이터 서버용 전압 변환기, 자동차용 모터 드라이브 및 OBC(On Board Charger), 산업용 모터 드라이브 등 다양한 전력용 제품에 사용되고 있다. SK키파운드리 이동재 대표는 "HVIC 공정 기술 출시로 대형 가전과 차량용 모터 시장에서 SK키파운드리 경쟁력을 강화하게 되어 의미 있게 생각한다"며, "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능토록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 밝혔다.

[파이낸셜뉴스] LX세미콘이 23일부터 25일까지 서울 코엑스에서 열리는 '반도체 대전(SEDEX) 2024'에 참가해 디스플레이 IC를 비롯해 미래 성장동력으로 육성중인 차량용 반도체와 방열기판 등을 선보인다. LX세미콘은 이번 전시를 통해 '믹스드 시그널(고성능 혼합신호) 반도체(디지털 회로와 아날로그 회로를 모두 탑재한 집적회로)' 설계에 강점을 지닌 기술력을 공개할 예정이다. LX세미콘은 이번 전시회에서 '미래를 설계하는 혁신의 물결'을 주제로 전시부스를 △코어기술 △디스플레이 △차량용 존으로 각각 구성했다. 코어기술존에서는 △화질 솔루션 △고속 데이터 전송 솔루션 △전력 관리 솔루션 △터치 솔루션 등 다양한 핵심 기술력을 보여준다. 디스플레이 존에서는 TV, 모바일, 노트북, 가상현실(VR)기기 등의 화면을 구현하는 '디스플레이 프로세서''디스플레이 IC' '전력관리반도체(PMIC)' 등 기술 경쟁력을 갖춘 제품을 선보인다. 오토모티브 존에서는 차량용 모터 구동에 필요한 마이크 컨트롤러 유닛(MCU), 모터 드라이브 IC, 소프트웨어 기술 등 토탈 모터솔루션을 소개한다. 전기차 인버터 모듈에 쓰이는 '방열기판 기술'도 소개한다. 열전도가 높은 구리와 절연 세라믹이 접합된 방열 기판은 우수한 방열 및 절연 성능을 자랑한다. 이윤태 LX세미콘 대표이사 사장은 "고객의 시스템에 최적화된 칩 솔루션을 제공하고, 방열기판 사업의 확장 및 신규 유망 분야의 신사업을 지속적으로 발굴해 나갈 것"이라고 강조했다.  rejune1112@fnnews.com 김준석 기자

삼성전자가 차량용 반도체 시장에서 퀄컴과 손을 잡았다. 퀄컴의 프리미엄 차량용 플랫폼 '스냅드래곤 디지털 섀시' 솔루션에 삼성전자의 저전력더블데이터레이트(LPDDR)4X가 탑재된다. 삼성전자가 전장 분야 대형 고객사 확보에 성공하며 글로벌 완성차 및 자동차 부품 업체에 차량용 반도체를 장기 공급할 발판을 마련하게 됐다. 27일 업계에 따르면 삼성전자는 퀄컴 스냅드래곤 디지털 섀시 솔루션에 들어가는 최대 32기가바이트(GB) LPDDR4X 인증을 획득하고, 제품 공급을 시작했다. LPDDR4X 칩은 프리미엄 차량용 인포테인먼트(IVI) 시스템을 지원한다. LPDDR4X는 차량용 반도체 품질 기준 'AEC-Q100'을 충족하며 영하 40도에서 영상 105도까지의 극한 환경에서도 안정적인 성능을 보장한다. 삼성전자는 차량용 LPDDR4X에 이어 차세대 제품인 LPDDR5를 올해 양산 예정이다. 해당 제품은 퀄컴의 차세대 스냅드래곤 디지털 섀시에 공급된다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 전 세계 차량용 D램 시장 규모는 2023년부터 2028년까지 연평균 16% 이상 성장할 것으로 전망된다. 전 세계 차량용 반도체 시장의 경우 같은 기간 연평균 8% 이상 성장하며 오는 2027년부터는 시장 규모가 1000억달러를 넘을 것으로 예측된다. 글로벌 주요 완성차 업체들이 본격적으로 내연기관 자동차에서 전기차, 자율주행차로 생산 전환하는 시점이 오면 차량용 반도체 시장 규모의 증가세가 한층 더 가팔라질 전망이다. 통상 내연기관 자동차 한 대에 탑재되는 반도체 칩은 200~300개, 전기차는 1000개, 자율주행차는 1000~2000개 이상으로 알려졌다. 삼성전자는 대형 차량용 솔루션 업체인 퀄컴과 협력을 계기로 급성장하는 차량용 D램 시장에서 1위에 오르겠다는 계획이다. 시장조사기관 IHS 기준 삼성전자는 지난해 차량용 메모리 시장에서 32% 점유율로, 미국 마이크론에 이어 2위를 차지하고 있다. 삼성전자는 글로벌 완성차 및 자동차 부품 업체 등 고객사 공급을 확대해 마이크론을 추격한다는 구상이다. 퀄컴은 삼성전자 차량용 메모리의 안정성에 높은 평가를 보낸 것으로 알려졌다. 삼성전자는 지난 10여년간 지진, 화재, 정전, 한파, 코로나19 등 각종 재해에도 차질 없이 전장 고객사에 제품을 공급하고 있다. 특히 모든 차량용 메모리 제품을 개발부터 공급까지 원스톱으로 진행해 납품 기한 등을 단축할 수 있다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

과학기술정보통신부가 27일 서울 엘타워에서 '반도체 미래기술 로드맵 발표회'를 갖고 14개 핵심기술을 추가해 우리가 확보해야 할 총 59개의 핵심기술을 선정했다. 과기정통부는 이 로드맵을 기반으로 반도체 소자 미세화의 한계를 극복하기 위한 차세대 반도체 소자 관련 신규사업 기획에 착수할 예정이다. 과기정통부 황판식 연구개발정책실장은 "정부는 향후에도 반도체미래기술로드맵을 지속적으로 고도화하고, 이를 기반으로 반도체 정책과 사업 기획을 전략적으로 추진하겠다"고 말했다. 반도체 미래기술 로드맵은 반도체 미래핵심기술 확보전략의 일환으로 지난해 발표했다. 과기정통부는 이번에 반도체 최신기술 동향을 반영해 14개 핵심기술을 추가해 보강했다. 주요 기술로는 반도체 소자 미세화 및 메모리 고집적화 가속화, AI 기반 신서비스 창출 및 수요기반 반도체 다변화, HBM으로 가속화된 첨단패키징, 반도체 초미세 공정기술 경쟁 등의 기술환경 변화에 따라 반도체 소자 미세화, 시스템반도체, 첨단패키징 등이다. 이에 따라 신소자 메모리, 차세대 소자 개발 부분이 10개에서 19개로 늘어났다. 또 AI, 6G, 전력, 차량용 반도체 설계 원천기술 개발은 24개에서 26개로, 초미세화 및 첨단 패키징을 위한 공정 원천기술 개발은 11개에서 14개로 확대됐다. 과기정통부 관계자는 "이 로드맵은 10년 미래핵심기술 확보 계획으로, 향후 우리나라가 반도체 우위기술 분야 초격차를 유지하고, 시스템반도체 분야에선 신격차를 확보할 수 있는 길라잡이 역할을 할 예정"이라고 말했다. 이날 로드맵 발표 이후에는 로드맵을 기반으로 반도체 소자 미세화에 대응하기 위한 차세대 신소자 발전방안에 대해 논의했다. 황 실장은 "반도체 미래기술 로드맵을 기반으로 정부와 산업계, 학계, 연구계가 국가적으로 반도체 R&D 역량을 결집하도록 노력할 것"이라고 강조했다. monarch@fnnews.com 김만기 기자

[파이낸셜뉴스] 과학기술정보통신부가 27일 서울 엘타워에서 '반도체 미래기술 로드맵 발표회'를 갖고 14개 핵심기술을 추가해 우리가 확보해야 할 총 59개의 핵심기술을 선정했다. 과기정통부는 이 로드맵을 기반으로 반도체 소자 미세화의 한계를 극복하기 위한 차세대 반도체 소자 관련 신규사업 기획에 착수할 예정이다. 과기정통부 황판식 연구개발정책실장은 "정부는 향후에도 반도체미래기술로드맵을 지속적으로 고도화하고, 이를 기반으로 반도체 정책과 사업 기획을 전략적으로 추진하겠다"고 말했다. 반도체 미래기술 로드맵은 반도체 미래핵심기술 확보전략의 일환으로 지난해 발표했다. 과기정통부는 이번에 반도체 최신기술 동향을 반영해 14개 핵심기술을 추가해 보강했다. 주요 기술로는 반도체 소자 미세화 및 메모리 고집적화 가속화, AI 기반 신서비스 창출 및 수요기반 반도체 다변화, HBM으로 가속화된 첨단패키징, 반도체 초미세 공정기술 경쟁 등의 기술환경 변화에 따라 반도체 소자 미세화, 시스템반도체, 첨단패키징 등이다. 이에 따라 신소자 메모리, 차세대 소자 개발 부분이 10개에서 19개로 늘어났다. 또 AI, 6G, 전력, 차량용 반도체 설계 원천기술 개발은 24개에서 26개로, 초미세화 및 첨단 패키징을 위한 공정 원천기술 개발은 11개에서 14개로 확대됐다. 과기정통부 관계자는 "이 로드맵은 10년 미래핵심기술 확보 계획으로, 향후 우리나라가 반도체 우위기술 분야 초격차를 유지하고, 시스템반도체 분야에선 신격차를 확보할 수 있는 길라잡이 역할을 할 예정"이라고 말했다. 이날 로드맵 발표 이후에는 로드맵을 기반으로 반도체 소자 미세화에 대응하기 위한 차세대 신소자 발전방안에 대해 논의했다. 황 실장은 "반도체 미래기술 로드맵을 기반으로 정부와 산업계, 학계, 연구계가 국가적으로 반도체 R&D 역량을 결집하도록 노력할 것"이라고 강조했다.  monarch@fnnews.com 김만기 기자