삼성전자, SK하이닉스를 비롯한 글로벌 메모리 반도체 업체들이 더블데이트레이트(DDR)4 생산을 줄이면서 구형 제품을 둘러싼 '막차 수요'가 본격화되고 있다. 공급 축소에 따라 DDR4 가격이 오르고 있지만, 고객사들은 재고 확보에 나서며 상승 폭은 더 가팔라지고 있다. 중장기적으로 주요 메모리사들은 DDR5 및 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 제품군으로의 전환을 더 서두르고 있는 것으로 파악된다. ■범용 D램 가격 '천정부지' 솟아 11일 시장조사업체 트렌드포스 및 업계에 따르면 올해 2·4분기 DDR4 계약 가격은 전분기 대비 PC용이 13~18%, 서버용은 18~23% 가량 상승할 것으로 예상된다. 이는 당초 전망치(각각 PC용 3~8%, 서버용 5~10%)를 두 배 이상 상회하는 수치다. 구형 D램인 DDR4는 창신메모리(CXMT) 등 중국발(發) 저가 제품 공세에 직격탄을 맞으며 가격이 크게 하락했다. PC용 범용 D램인 DDR4 8Gb 1Gx8의 평균 고정거래가격은 지난해 8월 하락 전환한 뒤 9월(-17.07%), 11월(-20.59%)에는 전달 대비 두 자릿수로 급락하며 고전을 면치 못했다. 그러다 올 4월 전월 대비 22.22% 급등, 5월에도 27.27% 오르며 상승세를 이어가고 있다. 가격 급등 배경으로는 미국 정부의 상호 관세 발표와 이에 따른 90일 유예 조치가 꼽힌다. 주요 서버·PC 업체들이 관세 회피를 위해 출하를 앞당기고 재고를 확보하면서 수요가 단기에 집중됐기 때문이다. 여기에 DDR4 생산 종료를 추진 중인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 공급사들이 생산 라인을 줄이기 시작하면서 공급 부족 우려가 커졌고, 이는 시장 전반의 '패닉바잉' 심리로 번졌다는 분석이다. 업계 관계자는 "지금 확보하지 않으면 구매 자체가 어려워질 수 있다는 분위기가 고객사들 사이에 형성되면, 가격이 더 빠르게 오를 수 있다"고 전했다. ■하반기, 첨단 D램 전환에 속도 낸다 DDR4 가격 상승세는 하반기까지 이어질 것으로 예상된다. 오는 3·4분기 또한 전분기 대비 가격이 18~23%(PC용 기준) 가량 상승할 것으로 보인다. 그러나 산업 구조 자체가 점차 차세대 제품 중심으로 재편되면서, DDR4 수요 급증은 일시적 흐름에 그칠 가능성이 크다는 분석이다. 실제 주요 메모리사들은 수익성이 높은 DDR5, HBM 등 선단 D램 제품으로의 전환을 가속화하고 있다. 삼성전자는 이달부터 DDR4 수주를 사실상 중단하고 연말까지 생산 종료 절차를 밟고 있는 것으로 알려졌다. DDR4 등 구형 메모리가 핵심인 CXMT 마저도 DDR5 개발 및 양산 체제를 본격화하면서 올해 하반기부터는 DDR4 공급을 단계적으로 줄일 방침이다. 수익성을 고려해서라도 차세대 제품에 집중할 수밖에 없다는 분석이다. DDR5는 인공지능(AI) 서버 및 고성능 컴퓨팅에서 수요가 집중되고, 올해 말에는 서버 D램 시장의 60% 이상을 차지할 전망이다. HBM 또한 엔비디아, AMD 등 AI 반도체 기업의 수요 폭증에 따라 시장 판도를 빠르게 바꾸고 있다. 특히 HBM3E(5세대)에 이어 HBM4(6세대 등) 차세대 제품 공급 경쟁이 본격화될 것으로 예상되면서, 삼성전자와 SK하이닉스는 설비 증설과 고객사 인증 확보에 속도를 내고 있다. 업계 관계자는 "DDR4와 같은 구형 제품이 당장 반짝 가격이 오른다고 해도 수익성·생산성을 고려하면 다시 여기에 생산 역량을 투입하는 건 기업 입장에서 리스크가 크다"며 "중장기적으로는 DDR5, HBM 같은 고부가 메모리 중심의 체질 전환이 불가피하다"고 말했다. soup@fnnews.com 임수빈 기자

#OBJECT0# [파이낸셜뉴스] 삼성전자, SK하이닉스를 비롯한 글로벌 메모리 반도체 업체들이 더블데이트레이트(DDR)4 생산을 줄이면서 구형 제품을 둘러싼 '막차 수요'가 본격화되고 있다. 공급 축소에 따라 DDR4 가격이 오르고 있지만, 고객사들은 재고 확보에 나서며 상승 폭은 더 가팔라지고 있다. 중장기적으로 주요 메모리사들은 DDR5 및 고대역폭메모리(HBM) 등 차세대 제품군으로의 전환을 더 서두르고 있는 것으로 파악된다.  ■범용 D램 가격 '천정부지' 솟아 11일 시장조사업체 트렌드포스 및 업계에 따르면 올해 2·4분기 DDR4 계약 가격은 전분기 대비 PC용이 13~18%, 서버용은 18~23% 가량 상승할 것으로 예상된다. 이는 당초 전망치(각각 PC용 3~8%, 서버용 5~10%)를 두 배 이상 상회하는 수치다.  구형 D램인 DDR4는 창신메모리(CXMT) 등 중국발(發) 저가 제품 공세에 직격탄을 맞으며 가격이 크게 하락했다. PC용 범용 D램인 DDR4 8Gb 1Gx8의 평균 고정거래가격은 지난해 8월 하락 전환한 뒤 9월(-17.07%), 11월(-20.59%)에는 전달 대비 두 자릿수로 급락하며 고전을 면치 못했다. 그러다 올 4월 전월 대비 22.22% 급등, 5월에도 27.27% 오르며 상승세를 이어가고 있다.   가격 급등 배경으로는 미국 정부의 상호 관세 발표와 이에 따른 90일 유예 조치가 꼽힌다. 주요 서버·PC 업체들이 관세 회피를 위해 출하를 앞당기고 재고를 확보하면서 수요가 단기에 집중됐기 때문이다. 여기에 DDR4 생산 종료를 추진 중인 삼성전자, SK하이닉스, 마이크론 등 주요 공급사들이 생산 라인을 줄이기 시작하면서 공급 부족 우려가 커졌고, 이는 시장 전반의 ‘패닉바잉’ 심리로 번졌다는 분석이다. 업계 관계자는 "지금 확보하지 않으면 구매 자체가 어려워질 수 있다는 분위기가 고객사들 사이에 형성되면, 가격이 더 빠르게 오를 수 있다"고 전했다. ■하반기, 첨단 D램 전환에 속도 낸다 DDR4 가격 상승세는 하반기까지 이어질 것으로 예상된다. 오는 3·4분기 또한 전분기 대비 가격이 18~23%(PC용 기준) 가량 상승할 것으로 보인다. 그러나 산업 구조 자체가 점차 차세대 제품 중심으로 재편되면서, DDR4 수요 급증은 일시적 흐름에 그칠 가능성이 크다는 분석이다. 실제 주요 메모리사들은 수익성이 높은 DDR5, HBM 등 선단 D램 제품으로의 전환을 가속화하고 있다. 삼성전자는 이달부터 DDR4 수주를 사실상 중단하고 연말까지 생산 종료 절차를 밟고 있는 것으로 알려졌다. DDR4 등 구형 메모리가 핵심인 CXMT 마저도 DDR5 개발 및 양산 체제를 본격화하면서 올해 하반기부터는 DDR4 공급을 단계적으로 줄일 방침이다.  수익성을 고려해서라도 차세대 제품에 집중할 수밖에 없다는 분석이다. DDR5는 인공지능(AI) 서버 및 고성능 컴퓨팅에서 수요가 집중되고, 올해 말에는 서버 D램 시장의 60% 이상을 차지할 전망이다. HBM 또한 엔비디아, AMD 등 AI 반도체 기업의 수요 폭증에 따라 시장 판도를 빠르게 바꾸고 있다. 특히 HBM3E(5세대)에 이어 HBM4(6세대 등) 차세대 제품 공급 경쟁이 본격화될 것으로 예상되면서, 삼성전자와 SK하이닉스는 설비 증설과 고객사 인증 확보에 속도를 내고 있다.  업계 관계자는 "DDR4와 같은 구형 제품이 당장 반짝 가격이 오른다고 해도 수익성·생산성을 고려하면 다시 여기에 생산 역량을 투입하는 건 기업 입장에서 리스크가 크다"며 "중장기적으로는 DDR5, HBM 같은 고부가 메모리 중심의 체질 전환이 불가피하다"고 말했다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

SK하이닉스가 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공개했다. 기존 '셀 미세화 방식'에서 벗어나 '수직적으로 쌓는 방식'으로 전환하겠다는 게 핵심이다. 차세대 D램 시장의 기술표준을 선도하겠다는 것으로 풀이된다. SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(CTO·사진)은 10일 일본 교토에서 열린 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'의 기조연설자로 나서서, 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵으로, 수직공법에 대해 발표했다. 차 원장은 "현재의 테크 플랫폼(여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 기술적인 틀)을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. '얼마나 더 작게 쪼개느냐'의 초미세화 공정 경쟁이 사실상 물리적 한계에 도달했다는 것을 말한다. 4F²(4F Square) VG(Vertical Gate) 플랫폼이란 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술을 말한다. 현재는 6F² 셀이 일반적이지만, 4F² 셀과 함께 회로부를 셀 영역 아래로 배치하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용하면 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 기대할 수 있다는 게 차 원장의 설명이다. IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며, 차세대 반도체, 인공지능(AI) 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다. 차 CTO는 4F² VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, 회사는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 아울러 구조적 혁신을 넘어 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 전했다. 차 CTO는 "2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 "앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다"고 밝혔다. soup@fnnews.com 임수빈 조은효 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공개했다. 기존 '셀 미세화 방식'에서 벗어나 '수직적으로 쌓는 방식'으로 전환하겠다는 게 핵심이다. 차세대 D램 시장의 기술표준을 선도하겠다는 것으로 풀이된다.  SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(CTO)은 10일 일본 교토에서 열린 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'의 기조연설자로 나서서, 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵으로, 수직공법에 대해 발표했다. 차 원장은 "현재의 테크 플랫폼(여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 기술적인 틀)을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. '얼마나 더 작게 쪼개느냐'의 초미세화 공정 경쟁이 사실상 물리적 한계에 도달했다는 것을 말한다.  4F²(4F Square) VG(Vertical Gate) 플랫폼이란 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술을 말한다. 현재는 6F² 셀이 일반적이지만, 4F² 셀과 함께 회로부를 셀 영역 아래로 배치하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용하면 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 기대할 수 있다는 게 차 원장의 설명이다.  IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며, 차세대 반도체, 인공지능(AI) 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다.  차 CTO는 4F² VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, 회사는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 아울러 구조적 혁신을 넘어 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 전했다. 차 CTO는 “2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 “앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다”고 밝혔다.  soup@fnnews.com 임수빈 조은효 기자

'고대역폭메모리(HBM) 시장 1위'에 힘입어 SK하이닉스가 올해 1·4분기 삼성전자를 제치고 글로벌 D램 시장 1위 자리를 굳히고 있다. 3일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1·4분기 글로벌 D램 업계의 매출 규모는 전 분기보다 5.5% 감소한 270억1000만 달러(약 37조원)로 집계됐다. 이는 D램 계약 가격 하락과 HBM 출하량 감소에 따른 결과로 풀이된다. SK하이닉스는 출하량 감소로 전 분기보다 매출이 97억2000만 달러로 7.1% 줄었으나, 분기 기준으로 처음 D램 시장 1위를 차지했다. 고부가 제품인 HBM3E(5세대) 출하량 비중이 증가한 영향이다. SK하이닉스 점유율은 지난해 4·4분기 36.6%에서 36%로 소폭 하락했으나, 삼성전자 점유율이 39.3%에서 33.7%로 더 크게 내리면서 삼성전자를 제쳤다. D램 점유율에서 SK하이닉스가 삼성전자를 앞선 것은 올해 1·4분기가 처음이다. 두 회사 점유율은 지난해 1·4분기에는 삼성전자 43.9%, SK하이닉스 31.1%로 10%p(포인트) 이상 차이 났지만, 일 년 새 분위기가 반전됐다. 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] '고대역폭메모리(HBM) 시장 1위'에 힘입어 SK하이닉스가 올해 1·4분기 삼성전자를 제치고 글로벌 D램 시장 1위 자리를 굳히고 있다.   3일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1·4분기 글로벌 D램 업계의 매출 규모는 전 분기보다 5.5% 감소한 270억1000만 달러(약 37조원)로 집계됐다. 이는 D램 계약 가격 하락과 HBM 출하량 감소에 따른 결과로 풀이된다.  SK하이닉스는 출하량 감소로 전 분기보다 매출이 97억2000만 달러로 7.1% 줄었으나, 분기 기준으로 처음 D램 시장 1위를 차지했다. 고부가 제품인 HBM3E(5세대) 출하량 비중이 증가한 영향이다.  SK하이닉스 점유율은 지난해 4·4분기 36.6%에서 36%로 소폭 하락했으나, 삼성전자 점유율이 39.3%에서 33.7%로 더 크게 내리면서 삼성전자를 제쳤다.  D램 점유율에서 SK하이닉스가 삼성전자를 앞선 것은 올해 1·4분기가 처음이다. 두 회사 점유율은 지난해 1·4분기에는 삼성전자 43.9%, SK하이닉스 31.1%로 10%p(포인트) 이상 차이 났지만, 일 년 새 분위기가 반전됐다. 앞서 시장조사업체 카운터포인트리서치가 집계한 글로벌 D램 시장 점유율에서도 올해 1·4분기에 SK하이닉스 36%, 삼성전자 34%로 SK하이닉스가 앞선 것으로 집계된 바 있다.  삼성전자는 매출이 전 분기보다 19.1% 줄어든 91억 달러를 기록하며 2위로 내려갔다. 이는 HBM을 중국에 직접 판매하지 못하고, 제품 재설계 이후 고가의 HBM3E 출하량이 감소한 영향이라고 트렌드포스는 설명했다.  이어 3위는 미국 마이크론으로 1·4분기에 매출 65억8000만 달러를 올리며 점유율 24.3%를 차지했다. 트렌드포스는 "2·4분기에는 PC 및 스마트폰 업체들이 90일간의 미국 상호관세 유예기간에 맞춰 재고 조정을 완료하고 생산량을 늘려 D램 공급업체의 출하량이 두드러지게 증가할 것"이라고 전망했다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

'반도체 시장 선행 지표'로 불리는 D램 현물 가격이 약 한 달 만에 또 7% 넘게 상승하며 '반도체의 봄'이 성큼 다가오고 있다. 4월 직전 달 대비 13.3% 오른 이후 5월에도 상승세를 이어가는 모습이다. 통상적으로 현물 가격이 4~6개월 이후 고정 거래 가격에 반영된다는 점을 감안할 때 하반기 실적이 크게 개선될 수 있다는 전망이 나온다. ■범용 D램 현물가, 한달새 7.8%↑7일 시장조사 업체 D램익스체인지에 따르면 6일(현지시간) 기준 범용 D램 주류 제품 'DDR4 8기가비트(Gb) 2666'의 현물 가격은 2.103달러로 지난달 3일(1.951달러) 대비 7.8% 올랐다. 3월 3일 1.722달러와 비교하면 22.1% 급등한 상황이다. 2개월 연속 상승세로 앞서 지난해 하반기 5개월 내리 하락한 후 뚜렷한 분위기 전환을 보이고 있다. D램 현물 가격은 대리점-소비자 간 일시적 거래 가격이다. 통상적으로 현물 가격이 형성된 후 약 4~6개월이 지나면 고정 거래 가격에 수렴해 반도체 선행 지표로 불리기도 한다. 일각에서는 현물 가격이 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 적어 표본으로 보기 어렵다는 지적도 있지만, 시장의 매매 심리를 반영하고 추세를 볼 수 있다는 점에서 의미가 크다는 게 중론이다. 업계는 D램 현물 가격이 오르는 이유로 중국 '이구환신(以舊換新)' 효과, 미국 관세 조치에 앞선 제품 수요 증가, 정보기술(IT) 수요 회복 등을 꼽는다. 특히 이구환신 정책이 큰 영향을 미친 것으로 분석된다. 이구환신은 헌 기기를 신제품으로 교체하는 중국의 지원 정책이다. 앞서 중국 정부는 지난해 관련 자금으로 1500억위안(약 30조원)을 풀었다. 업계 관계자는 "한동안 침체했던 모바일 제품 등 수요 회복으로 반도체 주문도 늘었다"고 설명했다. 미국 관세 조치 우려에 앞서 제품 수요가 증가한 점도 영향을 미쳤다. 실제로 업계에 따르면 4월 한국 반도체 수출액은 전년 대비 17.2% 증가한 116억7000만달러(약 16조3132억원)다. 역대 4월 중 가장 높은 수치다. 박정성 산업부 무역투자실장은 "고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 메모리의 수출 상황도 좋다"며 "전체적으로 (반도체) 재고를 미리 축적하려는 모습이 관측되고 있다"고 했다. ■D램 고정가도 11월 이후 최고치한동안 잠잠하던 D램 고정가격도 상승 전환했다. D램익스체인지에 따르면 4월 30일 DDR4 8Gb 2133(PC향 범용제품) 고정 평균 가격 1.65달러로 직전달 대비 22.2% 급증했다. 지난해 11월 말 이후 최고치다. 이에 따라 올해 하반기 삼성전자, SK하이닉스 실적이 더욱 개선할 수 있다는 예측도 나온다. D램 현물 가격이 오르는 상황에서 고정거래 가격까지 상승하면 메모리 업체들의 영업이익은 크게 늘어날 가능성이 높다는 게 업계 설명이다. 업계 관계자는 "하반기 미국 반도체 관세 등 불확실성이 여전하지만 (D램) 현물가, 고정가가 오르는 것은 메모리 업체들에 좋은 소식"이라며 "일부 예외도 있지만 가격이 상승세라는 것은 참고할 수 있을 것"이라고 전했다. kjh0109@fnnews.com 권준호 기자

#OBJECT0#[파이낸셜뉴스] '반도체 시장 선행 지표'로 불리는 D램 현물 가격이 약 한 달 만에 또 7% 넘게 상승하며 '반도체의 봄'이 성큼 다가오고 있다. 4월 직전 달 대비 13.3% 오른 이후 5월에도 상승세를 이어가는 모습이다. 통상적으로 현물 가격이 4~6개월 이후 고정 거래 가격에 반영된다는 점을 감안할 때 하반기 실적이 크게 개선될 수 있다는 전망이 나온다.  범용 D램 현물가, 한달새 7.8%↑7일 시장조사 업체 D램익스체인지에 따르면 6일(현지시간) 기준 범용 D램 주류 제품 'DDR4 8기가비트(Gb) 2666'의 현물 가격은 2.103달러로 지난달 3일(1.951달러) 대비 7.8% 올랐다. 3월 3일 1.722달러와 비교하면 22.1% 급등한 상황이다. 2개월 연속 상승세로 앞서 지난해 하반기 5개월 내리 하락한 후 뚜렷한 분위기 전환을 보이고 있다.  D램 현물 가격은 대리점-소비자 간 일시적 거래 가격이다. 통상적으로 현물 가격이 형성된 후 약 4~6개월이 지나면 고정 거래 가격에 수렴해 반도체 선행 지표로 불리기도 한다. 일각에서는 현물 가격이 전체 D램 시장에서 차지하는 비중이 적어 표본으로 보기 어렵다는 지적도 있지만, 시장의 매매 심리를 반영하고 추세를 볼 수 있다는 점에서 의미가 크다는 게 중론이다. 업계는 D램 현물 가격이 오르는 이유로 중국 '이구환신(以舊換新)' 효과, 미국 관세 조치에 앞선 제품 수요 증가, 정보기술(IT) 수요 회복 등을 꼽는다. 특히 이구환신 정책이 큰 영향을 미친 것으로 분석된다. 이구환신은 헌 기기를 신제품으로 교체하는 중국의 지원 정책이다. 앞서 중국 정부는 지난해 관련 자금으로 1500억위안(약 30조원)을 풀었다. 업계 관계자는 "한동안 침체했던 모바일 제품 등 수요 회복으로 반도체 주문도 늘었다"고 설명했다. 미국 관세 조치 우려에 앞서 제품 수요가 증가한 점도 영향을 미쳤다. 실제로 업계에 따르면 4월 한국 반도체 수출액은 전년 대비 17.2% 증가한 116억7000만달러(약 16조3132억원)다. 역대 4월 중 가장 높은 수치다. 박정성 산업부 무역투자실장은 “고대역폭메모리(HBM) 등 고부가 메모리의 수출 상황도 좋다”며 “전체적으로 (반도체) 재고를 미리 축적하려는 모습이 관측되고 있다”고 했다. D램 고정가도 11월 이후 최고치한동안 잠잠하던 D램 고정가격도 상승 전환했다. D램익스체인지에 따르면 4월 30일 DDR4 8Gb 2133(PC향 범용제품) 고정 평균 가격 1.65달러로 직전달 대비 22.2% 급증했다. 지난해 11월 말 이후 최고치다. 이에 따라 올해 하반기 삼성전자, SK하이닉스 실적이 더욱 개선할 수 있다는 예측도 나온다. D램 현물 가격이 오르는 상황에서 고정거래 가격까지 상승하면 메모리 업체들의 영업이익은 크게 늘어날 가능성이 높다는 게 업계 설명이다. 금융정보업체 에프앤가이드는 SK하이닉스의 올해 2·4분기 영업이익이 8조7184억원, 3·4분기 9조6566억원 등 계단식 상승할 것으로 내다봤다. SK하이닉스는 올해 1·4분기 시장 예측을 크게 뛰어 넘은 7조4405억원을 기록했다. 업계 관계자는 "하반기 미국 반도체 관세 등 불확실성이 여전하지만 (D램) 현물가, 고정가가 오르는 것은 메모리 업체들에 좋은 소식"이라며 "일부 예외도 있지만 가격이 상승세라는 것은 참고할 수 있을 것"이라고 전했다.      kjh0109@fnnews.com 권준호 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 24일 진행된 1·4분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 "수익성 뿐 아니라 매출액 기준으로도 올해 1·4분기 D램 시장 1위가 되었다는 발표는 회사가 고수익 인공지능(AI) 메모리 중심의 포트폴리오 전략을 수립하고 실행함으로써 D램 기술 리더십을 입증한 결과"라고 밝혔다. 앞서 시장조사기관 카운터포인트리서치는 올해 1·4분기 매출액 기준 SK하이닉스가 삼성전자를 제치고 처음으로 글로벌 D램 점유율 1위를 기록했다고 발표한 바 있다.  SK하이닉스는 이어 "고대역폭메모리(HBM) 시장은 AI 반도체의 핵심 메모리로서 기술 선도력과 고객 맞춤형 대응력이 경쟁력을 좌우하는 시장"이라며 "고객 니즈에 선제적으로 대응할 수 있는 제품을 개발하고 안정적으로 양산을 하는 것이 중요하다"고 밝혔다. 그러면서 "회사는 기존의 HBM 개발과 양산 경험을 기반으로 6세대 HBM인 HBM4 역시 조기 양산을 위한 개발 그리고 고객 인증을 적극 추진하고 있고, 고객과 긴밀한 협업을 통해서 제품 완성도를 높이고 있다"고 덧붙였다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 24일 진행된 1·4분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 "딥시크의 출현으로 인공지능(AI) 모델 개발 비용을 획기적으로 줄일 수 있었고, 이는 AI 개발 시장 진입 장벽 낮추는 효과를 가져왔다"며 "개발 비용이 저렴해지면서 개발 시도가 급격히 증가했고 고대역폭메모리(HBM)뿐만 아니라 96기가바이트(GB) D램과 같은 고용량 D램 수요가 늘고 있다"고 밝혔다. 이어 "고품질 AI 추론 서비스를 위해서는 지속적인 모델 훈련이 필요하기 때문에 이런 흐름 속에서 고용량 서버 인프라 확대가 필연적"이라며 "고용량 서버가 중장기 서버 수요의 핵심이 될 것"이라고 전망했다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자