"블랭크마스크 양산 체제를 본격화 해 기술 국산화를 토대로 글로벌 반도체 시장에서 한국 입지를 강화할 것입니다." 정수홍 에스앤에스텍 대표이사는 23일 "반도체 산업 전반이 어렵다고 하지만 소재 부문은 성장세를 유지하고 있다"며 "올해도 실적이 20% 이상 개선될 것으로 보고 있다"고 자신감을 내비쳤다. 에스앤에스텍은 지난해 매출액 1760억1389만원, 영업이익 294억7869만원을 기록, 각각 전년 대비 17% 가량 증가했다. 정 대표가 지난 2001년 설립한 에스앤에스텍은 반도체와 디스플레이 제조 공정의 핵심 소재인 '블랭크마스크'를 제조·판매하는 기업이다. 블랭크마스크는 포토마스크의 원재료로, 고순도 쿼츠를 가공해 생산한다. 동그란 웨이퍼 위에 회로 패턴을 새기는 노광 공정에서 빛을 통과시키며 일종의 도화지 역할을 한다. 과거 블랭크마스크는 호야, 울코트 등 일본 기업의 전유물이었다. 그러나 지난 2003년 에스앤에스텍이 연구·개발(R&D)을 통해 국내 최초로 반도체용 바이너리 블랭크마스크 국산화에 성공하면서 시장을 흔들었다. 정 대표는 "당시 일본 기업들은 새로운 경쟁자가 나타나자 특허를 등록해 소송전을 벌였다"며 "우여곡절을 겪고 이제는 중소기업을 졸업해 중견기업으로까지 성장했다"고 설명했다. 에스앤에스텍은 주요 반도체·디스플레이 제조사와 협력하며 기술 및 제품 공급을 확대하고 있다. 디스플레이용 블랭크마스크는 주로 LCD나 OLED 패널 제조 과정에서 사용되며, 비교적 넓은 면적에 정밀한 패턴을 구현하는 것이 핵심이다. 반도체용의 경우 메모리·시스템 반도체와 같은 고밀도, 초미세 회로 구현에 사용되며 미세화 공정의 난이도가 높다. 정 대표는 "삼성전자, SK하이닉스, LG디스플레이 등과 협력 중"이라며 "241건의 국내 특허를 출원, 104건을 등록했으며 지난 3년간 17건의 공동기술 개발실적을 달성했다"고 말했다. 해외시장 공략에도 적극적이다. 중국, 일본, 대만, 유럽 등에 제품을 공급하고 있으며 중국의 주요 반도체 기업들이 생산 확대를 위해 제품 공급량을 추가적으로 늘려달라는 요청을 지속적으로 하고 있다고 정 대표는 설명했다. 그는 "블랭크 마스크 기술은 똑같은 기계로 만들어도 품질이 다르다"며 "고도의 정밀성으로 인해 진입 장벽이 높아 기술적 우위는 물론, 시장에서의 수요 증가에 효과적으로 대응할 수 있다"고 강조했다. 올해는 극자외선(EUV) 블랭크마스크·펠리클로 주목받고 있다. EUV 공정은 기존의 심자외선(DUV) 공정보다 파장이 짧은 극자외선을 이용해 7나노 이하 초미세 반도체 회로를 제조하는 데 필수적이다. 현재 일본 기업 호야와 미쓰이화학이 시장을 각각 점유하고 있는 만큼 기술 의존도가 높은 분야다. 이에 소재 국산화를 통한 공급망 안정화 등을 위해 정부로부터 지난 5년 동안 R&D 자금을 지원 받는 등 EUV 제품 양산을 목표로 기술 고도화에 나섰다. 정 대표는 "EUV 블랭크마스크 기술은 높은 정밀도와 생산 난이도를 요구하는 분야로, 주요 고객사들과 최종 품질 조정 및 기술적 튜닝 작업을 마무리 중"이라며 "용인에 위치한 신공장의 생산 설비 구축을 올해 10월까지 마무리하고 내년 초부터 본격적인 양산 체제에 돌입할 것"이라고 설명했다. 정 대표는 EUV 기술이 본격적으로 상용화 될 경우 연매출 규모가 3000억원에서 최대 5000억원 이상까지 성장할 것으로 내다보고 있다. 그는 "필수 소재 기업으로서 기술 경쟁력을 높이기 위한 투자를 통해 국내 반도체 산업의 기술 자립을 견인하고, 글로벌 기업으로 성장할 것"이라고 덧붙였다. jimnn@fnnews.com 신지민 기자

[파이낸셜뉴스]  "블랭크마스크 양산 체제를 본격화 해 기술 국산화를 토대로 글로벌 반도체 시장에서 한국 입지를 강화할 것입니다." 정수홍 에스앤에스텍 대표이사는 23일 "반도체 산업 전반이 어렵다고 하지만 소재 부문은 성장세를 유지하고 있다"며 "올해도 실적이 20% 이상 개선될 것으로 보고 있다"고 자신감을 내비쳤다. 에스앤에스텍은 지난해 매출액 1760억1389만원, 영업이익 294억7869만원을 기록, 각각 전년 대비 17% 가량 증가했다. 정 대표가 지난 2001년 설립한 에스앤에스텍은 반도체와 디스플레이 제조 공정의 핵심 소재인 '블랭크마스크'를 제조·판매하는 기업이다. 블랭크마스크는 포토마스크의 원재료로, 고순도 쿼츠를 가공해 생산한다. 동그란 웨이퍼 위에 회로 패턴을 새기는 노광 공정에서 빛을 통과시키며 일종의 도화지 역할을 한다. 과거 블랭크마스크는 호야, 울코트 등 일본 기업의 전유물이었다. 그러나 지난 2003년 에스앤에스텍이 연구·개발(R&D)을 통해 국내 최초로 반도체용 바이너리 블랭크마스크 국산화에 성공하면서 시장을 흔들었다. 정 대표는 "당시 일본 기업들은 새로운 경쟁자가 나타나자 특허를 등록해 소송전을 벌였다"며 "우여곡절을 겪고 이제는 중소기업을 졸업해 중견기업으로까지 성장했다"고 설명했다. 에스앤에스텍은 주요 반도체·디스플레이 제조사와 협력하며 기술 및 제품 공급을 확대하고 있다. 디스플레이용 블랭크마스크는 주로 LCD나 OLED 패널 제조 과정에서 사용되며, 비교적 넓은 면적에 정밀한 패턴을 구현하는 것이 핵심이다. 반도체용의 경우 메모리·시스템 반도체와 같은 고밀도, 초미세 회로 구현에 사용되며 미세화 공정의 난이도가 높다. 정 대표는 "삼성전자, SK하이닉스, LG디스플레이 등과 협력 중"이라며 "241건의 국내 특허를 출원, 104건을 등록했으며 지난 3년간 17건의 공동기술 개발실적을 달성했다"고 말했다. 해외시장 공략에도 적극적이다. 중국, 일본, 대만, 유럽 등에 제품을 공급하고 있으며 중국의 주요 반도체 기업들이 생산 확대를 위해 제품 공급량을 추가적으로 늘려달라는 요청을 지속적으로 하고 있다고 정 대표는 설명했다. 그는 “블랭크 마스크 기술은 똑같은 기계로 만들어도 품질이 다르다"며 "고도의 정밀성으로 인해 진입 장벽이 높아 기술적 우위는 물론, 시장에서의 수요 증가에 효과적으로 대응할 수 있다”고 강조했다. 올해는 극자외선(EUV) 블랭크마스크·펠리클로 주목받고 있다. EUV 공정은 기존의 심자외선(DUV) 공정보다 파장이 짧은 극자외선을 이용해 7나노 이하 초미세 반도체 회로를 제조하는 데 필수적이다. 현재 일본 기업 호야와 미쓰이화학이 시장을 각각 점유하고 있는 만큼 기술 의존도가 높은 분야다. 이에 소재 국산화를 통한 공급망 안정화 등을 위해 정부로부터 지난 5년 동안 R&D 자금을 지원 받는 등 EUV 제품 양산을 목표로 기술 고도화에 나섰다. 정 대표는 “EUV 블랭크마스크 기술은 높은 정밀도와 생산 난이도를 요구하는 분야로, 주요 고객사들과 최종 품질 조정 및 기술적 튜닝 작업을 마무리 중"이라며 “용인에 위치한 신공장의 생산 설비 구축을 올해 10월까지 마무리하고 내년 초부터 본격적인 양산 체제에 돌입할 것”이라고 설명했다. 정 대표는 EUV 기술이 본격적으로 상용화 될 경우 연매출 규모가 3000억원에서 최대 5000억원 이상까지 성장할 것으로 내다보고 있다. 그는 "필수 소재 기업으로서 기술 경쟁력을 높이기 위한 투자를 통해 국내 반도체 산업의 기술 자립을 견인하고, 글로벌 기업으로 성장할 것"이라고 덧붙였다. jimnn@fnnews.com 신지민 기자

삼성전자가 차세대 반도체 노광장비인 '하이 뉴매리컬애퍼처(NA) 극자외선(EUV) 노광장비'를 화성캠퍼스에 도입한 것으로 확인됐다. 하이 NA EUV는 2나노미터(1nm=10억분의1m) 이하 초미세 회로를 구현하는데 필수적인 장비로, 삼성전자가 2나노 이하 공정 완성도를 높이겠다는 조치로 풀이된다. 향후 삼성전자는 파운드리(반도체 위탁생산) 글로벌 1위 기업인 TSMC 추격을 위해 초미세공정 기술력을 확보하고, 대형 고객사를 유치하는 데 총력을 다할 계획이다. 11일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 이달 초 ASML이 생산하는 첫 하이 NA EUV 장비인 'EXE:5000'을 화성캠퍼스에 반입한 것으로 알려졌다. 해당 장비는 5000억원을 호가하는 고가의 장비로 전 세계에서 유일하게 ASML만 공급하고 있다. 삼성전자는 지난해부터 하이 NA EUV 설비에 대한 공정 적용 평가를 진행해왔고, 2나노 이하 차세대 반도체 공정에 활용할 계획으로 전해졌다. EUV 노광 장비는 반도체 웨이퍼에 극자외선을 쪼여 나노 단위로 회로를 그린다. 반도체는 회로 선폭이 좁을수록 소비 전력이 줄고 데이터 처리 속도는 빨라진다. 하이 NA EUV 장비는 기존 EUV 장비에서 성능을 한 차례 더 끌어 올렸다. 하이 NA는 렌즈와 반사경 크기를 늘려 빛의 집광능력을 나타내는 수치인 NA를 0.33에서 0.55로 끌어올린 장비다. 이에 하이 NA EUV는 2나노 이하 차세대 파운드리 공정에 필수적인 장비로 평가된다. 글로벌 반도체 기업들도 하이 NA EUV 도입을 서두르고 있다. 인텔은 지난 2023년 ASML의 첫 하이 NA EUV를 납품받는 등 총 6대의 장비 구매 계약을 맺은 것으로 알려져 있다. TSMC도 최근 해당 장비를 반입하며 2나노 공정 도입을 가속화하고 있다. 이같은 장비 도입은 삼성전자에게 '역전의 카드'가 될 수 있다는 기대감이 따른다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 지난해 4·4분기 파운드리 시장 점유율은 67.1%로 지난 3·4분기보다 2.4%p(포인트) 상승했다. 반면 삼성전자는 같은 기간 9.1%에서 8.1%로 1%p 하락해 시장에서 고전을 면치 못하고 있다. 이처럼 격차가 벌어지는 가운데 삼성전자가 2나노 시장에서는 승부를 볼 것이란 이야기가 나온다. TSMC는 이미 지난해 말 진행한 2나노 시험생산에서 60%의 수율을 확보한 것으로 전해진다. 삼성전자도 이번에 초미세 회로 구현을 위한 준비에 나서면서 2나노 이하 반도체 공정에서의 경쟁은 더욱 치열해질 전망이다. 삼성전자는 하이 NA EUV 장비 설치를 마치고, 본격적인 생태계 구축에 나설 예정이다. 내부적으로도 전열을 가다듬고 있다. 한진만 삼성전자 파운드리사업부장 사장은 취임 후 임직원에게 보낸 첫 메시지에서 "GAA 공정 전환을 누구보다 먼저 이뤄냈지만, 사업화에서는 아직 부족함이 너무나 많다"며 2나노 공정의 빠른 램프업(생산능력 증가)을 첫 과제로 주문하기도 했다. soup@fnnews.com 임수빈 김준석 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 차세대 반도체 노광장비인 '하이 뉴매리컬애퍼처(NA) 극자외선(EUV) 노광장비'를 화성캠퍼스에 도입한 것으로 확인됐다. 하이 NA EUV는 2나노미터(1nm=10억분의1m) 이하 초미세 회로를 구현하는데 필수적인 장비로, 삼성전자가 2나노 이하 공정 완성도를 높이겠다는 조치로 풀이된다. 향후 삼성전자는 파운드리(반도체 위탁생산) 글로벌 1위 기업인 TSMC 추격을 위해 초미세공정 기술력을 확보하고, 대형 고객사를 유치하는 데 총력을 다할 계획이다.  11일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 이달 초 ASML이 생산하는 첫 하이 NA EUV 장비인 'EXE:5000'을 화성캠퍼스에 반입한 것으로 알려졌다. 해당 장비는 5000억원을 호가하는 고가의 장비로 전 세계에서 유일하게 ASML만 공급하고 있다. 삼성전자는 지난해부터 하이 NA EUV 설비에 대한 공정 적용 평가를 진행해왔고, 2나노 이하 차세대 반도체 공정에 활용할 계획으로 전해졌다.  EUV 노광 장비는 반도체 웨이퍼에 극자외선을 쪼여 나노 단위로 회로를 그린다. 반도체는 회로 선폭이 좁을수록 소비 전력이 줄고 데이터 처리 속도는 빨라진다. 하이 NA EUV 장비는 기존 EUV 장비에서 성능을 한 차례 더 끌어 올렸다. 하이 NA는 렌즈와 반사경 크기를 늘려 빛의 집광능력을 나타내는 수치인 NA를 0.33에서 0.55로 끌어올린 장비다.  이에 하이 NA EUV는 2나노 이하 차세대 파운드리 공정에 필수적인 장비로 평가된다. 글로벌 반도체 기업들도 하이 NA EUV 도입을 서두르고 있다. 인텔은 지난 2023년 ASML의 첫 하이 NA EUV를 납품받는 등 총 6대의 장비 구매 계약을 맺은 것으로 알려져 있다. TSMC도 최근 해당 장비를 반입하며 2나노 공정 도입을 가속화하고 있다.  이같은 장비 도입은 삼성전자에게 '역전의 카드'가 될 수 있다는 기대감이 따른다. 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 TSMC의 지난해 4·4분기 파운드리 시장 점유율은 67.1%로 지난 3·4분기보다 2.4%p(포인트) 상승했다. 반면 삼성전자는 같은 기간 9.1%에서 8.1%로 1%p 하락해 시장에서 고전을 면치 못하고 있다.  이처럼 격차가 벌어지는 가운데 삼성전자가 2나노 시장에서는 승부를 볼 것이란 이야기가 나온다. TSMC는 이미 지난해 말 진행한 2나노 시험생산에서 60%의 수율을 확보한 것으로 전해진다. 삼성전자도 이번에 초미세 회로 구현을 위한 준비에 나서면서 2나노 이하 반도체 공정에서의 경쟁은 더욱 치열해질 전망이다. 삼성전자는 하이 NA EUV 장비 설치를 마치고, 본격적인 생태계 구축에 나설 예정이다.  내부적으로도 전열을 가다듬고 있다.  한진만 삼성전자 파운드리사업부장 사장은 취임 후 임직원에게 보낸 첫 메시지에서 "게이트올어라운드(GAA) 공정 전환을 누구보다 먼저 이뤄냈지만, 사업화에서는 아직 부족함이 너무나 많다"며 2나노 공정의 빠른 램프업(생산능력 증가)을 첫 과제로 주문하기도 했다.  soup@fnnews.com 임수빈 김준석 기자

[파이낸셜뉴스] 반도체, 디스플레이 공정 핵심 부품인 블랭크마스크 전문 기업 에스앤에스텍이 경기도 용인 반도체 산업단지에 위치한 공장에 신규 투자를 진행한다고 4일 밝혔다. 에스앤에스텍은 회사 유보자금 약 417억원을 투자해 극자외선(EUV)용 블랭크마스크 양산을 위한 시설 투자와 신규 장비를 도입한다. 이번 투자는 EUV용 블랭크마스크 검사 장비 투자에 집중될 예정이다. 에스앤에스텍은 "지난 2020년부터 약 4년 간의 연구 개발 결과로 시장의 수요 및 진입의 신호탄"이라고 설명했다. 특히 신규 투자 계획은 용인 반도체 벨트에 위치한 고객사의 요구에 신속히 대응하기 위해 개발과 양산 라인을 구축하는 것이다. EUV용 블랭크마스크는 EUV 노광 공정에서 웨이퍼에 회로를 새기는 데 활용되는 패턴 마스크의 원판으로 나노미터 수준의 얇은 다층막(멀티 레이어) 위에 흡수체인 기반 합금을 다시 적층하는 과정을 거쳐 제작된다. 에스앤에스택 관계자는 "2025년 준공 시점 전까지 EUV 제품에 대한 수요는 대구사업장에 투자한 장비로 대응이 가능하며 용인 사업장은 증가하는 시장 수요에 대응해 양산 생산라인을 마무리할 계획"이라고 밝혔다. jimnn@fnnews.com 신지민 기자

세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 TSMC가 최선단공정 제조에 필요한 '하이 뉴메리컬어퍼처(NA) 극자외선(EUV)' 노광장비를 이달 말 도입한다. 초미세공정 두고 주도권을 다투는 삼성전자보다 한 발 빠른 행보다. 인공지능(AI) 특수에 3나노 이하 초미세공정 매출 비중이 급격히 확대되자 최첨단 장비를 빠르게 선점해 2나노 이하 공정 완성도를 높이겠다는 조치로 분석된다. 10일 반도체 업계 및 대만 이코노믹데일리뉴스에 따르면 TSMC는 이달 네덜란드 ASML이 생산하는 첫 하이 NA EUV 장비 'EXE:5000'을 인도받는다. 글로벌 반도체 기업 가운데 하이 NA EUV 장비를 도입한 것은 인텔에 이어 TSMC가 두 번째다. 하이 NA는 렌즈와 반사경 크기를 늘려 빛의 집광능력을 나타내는 수치인 NA를 0.33에서 0.55로 끌어올린 장비다. EUV는 극자외선 파장의 광원으로 웨이퍼에 패턴을 그리는데, 해상도를 높여 더 정밀하고 미세한 패턴을 새길 수 있다. 기존 EUV와 비교해 성능 향상, 수율(양품 비율) 개선, 생산비용 감축 등이 가능해 1대당 가격이 5000억원에 달하는 초고가임에도 글로벌 반도체 기업간 치열한 장비 확보전이 벌어지고 있다. 당초 TSMC는 하이 NA EUV 조기 도입에 회의적이었다. 기존 EUV에 비해 지나치게 고가인데다 생산 최적화 난이도가 높아 수율(양품 비율) 안정화를 위해 초기 비용 부담이 크다는 이유에서다. 그러나 예상보다 AI향 초미세공정 수요가 빠르게 증가하자 원래 계획을 바꿔 차세대 EUV를 선점, 기술 우위를 선점하겠다는 판단을 내렸다는 분석이다. 인텔이 파운드리 사업에서 극심한 부진을 겪으면서 TSMC가 하이 NA EUV를 활용한 초미세공정 경쟁에서 발 빠르게 치고 나갈 수 있는 환경도 조성됐다. TSMC는 2027년 양산이 예정된 1.4나노(A14) 공정부터 하이 NA EUV 기술을 채택할 것으로 전망된다. 반면 삼성전자는 하이 NA EUV 확보전에서 뒤처지며 전략 수정이 불가피해졌다. 삼성전자는 2027년 하이 NA EUV 상용화를 준비하고 있다. 장비 확보 이후에도 생산라인 내 설치부터 가동 등 최적화 작업에 상당 시간이 소요된다는 점에서 하이 NA EUV 도입 시기를 앞당기는데 주력할 것으로 예상된다. 삼성전자는 TSMC 로드맵에 발맞춰 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 양산을 계획하고 있다. 삼성전자로선 TSMC 추격을 위해 초미세공정 기술력을 검증해 대형 고객사 확보가 필요하다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 2·4분기 TSMCC의 파운드리 시장 점유율은 62.3%로, 삼성전자(11.5%)와 격차는 50.8%에 달한다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

#OBJECT0# [파이낸셜뉴스] 세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 TSMC가 최선단공정 제조에 필요한 '하이 뉴메리컬어퍼처(NA) 극자외선(EUV)' 노광장비를 이달 말 도입한다. 초미세공정 두고 주도권을 다투는 삼성전자보다 한 발 빠른 행보다. 인공지능(AI) 특수에 3나노 이하 초미세공정 매출 비중이 급격히 확대되자 최첨단 장비를 빠르게 선점해 2나노 이하 공정 완성도를 높이겠다는 조치로 분석된다. 10일 반도체 업계 및 대만 이코노믹데일리뉴스에 따르면 TSMC는 이달 네덜란드 ASML이 생산하는 첫 하이 NA EUV 장비 'EXE:5000'을 인도받는다. 글로벌 반도체 기업 가운데 하이 NA EUV 장비를 도입한 것은 인텔에 이어 TSMC가 두 번째다.  하이 NA는 렌즈와 반사경 크기를 늘려 빛의 집광능력을 나타내는 수치인 NA를 0.33에서 0.55로 끌어올린 장비다. EUV는 극자외선 파장의 광원으로 웨이퍼에 패턴을 그리는데, 해상도를 높여 더 정밀하고 미세한 패턴을 새길 수 있다. 기존 EUV와 비교해 성능 향상, 수율(양품 비율) 개선, 생산비용 감축 등이 가능해 1대당 가격이 5000억원에 달하는 초고가임에도 글로벌 반도체 기업간 치열한 장비 확보전이 벌어지고 있다.  당초 TSMC는 하이 NA EUV 조기 도입에 회의적이었다. 기존 EUV에 비해 지나치게 고가인데다 생산 최적화 난이도가 높아 수율(양품 비율) 안정화를 위해 초기 비용 부담이 크다는 이유에서다. 그러나 예상보다 AI향 초미세공정 수요가 빠르게 증가하자 원래 계획을 바꿔 차세대 EUV를 선점, 기술 우위를 선점하겠다는 판단을 내렸다는 분석이다. 인텔이 파운드리 사업에서 극심한 부진을 겪으면서 TSMC가 하이 NA EUV를 활용한 초미세공정 경쟁에서 발 빠르게 치고 나갈 수 있는 환경도 조성됐다. TSMC는 2027년 양산이 예정된 1.4나노(A14) 공정부터 하이 NA EUV 기술을 채택할 것으로 전망된다. 반면 삼성전자는 하이 NA EUV 확보전에서 뒤처지며 전략 수정이 불가피해졌다. 삼성전자는 2027년 하이 NA EUV 상용화를 준비하고 있다. 장비 확보 이후에도 생산라인 내 설치부터 가동 등 최적화 작업에 상당 시간이 소요된다는 점에서 하이 NA EUV 도입 시기를 앞당기는데 주력할 것으로 예상된다. 삼성전자는 TSMC 로드맵에 발맞춰 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 양산을 계획하고 있다. 삼성전자로선 TSMC 추격을 위해 초미세공정 기술력을 검증해 대형 고객사 확보가 필요하다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 2·4분기 TSMCC의 파운드리 시장 점유율은 62.3%로, 삼성전자(11.5%)와 격차는 50.8%에 달한다. 업계 관계자는 "삼성전자는 3나노 이하 공정을 TSMC와 격차를 좁힐 최적의 전장으로 삼고 있다"며 "하이 NA EUV 장비 반입이 늦어질수록 기술 격차 확대 가능성이 커질 수 있다"고 말했다.  mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스]   SK증권은 "일본 미쯔이화학이 CNT 펠리클 시장에 진입한다는 소식에 전일 국내 EUV 펠리클 관련 업체의 주가 하락폭이 컸다"면서 "다만 일본 유명 소재업체의 진입은 오히려 시장의 가능성을 엿보았다는 의미"라고 평가했다. 14일 SK증권 이동주 연구원은 "미쯔이화학이 2025년 12월 공장 준공을 목표로 CNT 펠리클 시장에 진입한다는 소식이 센티먼트에 악영 향을 미치며 에프에스티가 -8%, 에스앤에스텍 -3.7% 하락했다"면서 "미쯔이화학은 작년 12월 벨기에 연구소인 IMEC과 2세대 카본 계열(CNT) 상용화를 위한 협력 관계를 구축해 이미 시장 진입을 시사한 바 있으며 1세대 폴리실리콘 계열의 EUV 펠리클을 유일하게 판매하고 있는 업체로 2세대 카본 계열로의 제품 진입은 자연스러운 흐름"이라고 밝혔다. 악재로 받아들여졌지만 시장 생태계 조성에서는 긍정적이라는 시각이다. 김 연구원은 "EUV 펠리클이 여전히 미개척 시장임을 감안하면 일본 유명 소재 업체의 진입은 오히려 시장의 가능성을 엿보았다는 의미와 함께 생태계 조성 차원에서 긍정적"이라며 "주요 제조사의 전공정 미세화도 진행 중으로 High NA 장비에 대응하는 펠리클 요구도 커지고 있다"고 했다. 이어 "고객사가 양산용에 본격 적용하고 싶어하는 제품은 2세대(카본 계열) 펠리클"이라며 "국내 업체인 에프에스티와 에스앤에스텍 역시 2세대 제품을 준비 중이고 개발 속도를 감안하면 오히려 국내 업체는 선두 주자의 위치"라고 덧붙였다. cynical73@fnnews.com 김병덕 기자

이재용 삼성전자 회장이 파운드리(반도체 위탁생산) 사업 경쟁력 강화를 위해 독일로 향했다. 칼 람프레히트 자이스그룹 최고경영자(CEO)를 만나 성능 개선과 수율 향상 등을 위한 첨단 반도체 장비 협력 확대를 논의했다. 향후 자이스가 한국에 연구개발(R&D)센터를 구축하면, 삼성전자와의 전략적 협력이 한층 강화될 것으로 전망된다. ■삼성전자 '파운드리' 경쟁력 제고 이재용 삼성전자 회장은 26일(현지시간) 독일 오버코헨에 위치한 자이스(ZEISS) 본사를 방문해 칼 람프레히트 CEO 등 경영진과 협력 강화 방안을 논의했다. 자이스는 2000개가 넘는 극자외선(EUV) 관련 핵심 특허를 보유한 글로벌 강확 기업으로, 반도체 생산에 협력이 필수적이다. 반도체 초미세공정 핵심 장비인 네덜란드 ASML의 EUV 노광장비 1대에 탑재되는 자이스 부품은 3만개가 넘는다. 이 회장은 송재혁 삼성전자 반도체(DS)부문 최고기술책임자(CTO), 남석우 삼성전자 DS부문 제조&기술담당 사장 등과 자이스 공장을 방문해 최신 반도체 부품과 장비가 생산되는 모습을 직접 살펴봤다. 이후 자이스 경영진과 반도체 핵심 기술 트렌드와 양사의 중장기 기술 로드맵에 대한 논의했다. 이 회장의 자이스 방문은 파운드리와 메모리 사업 경쟁력 강화 행보로 풀이된다. 삼성전자는 EUV 기술력을 바탕으로 파운드리 시장에서 3나노 이하 초미세공정 시장을 주도하고, 연내에 EUV 공정을 적용해 6세대 10나노급 D램을 양산할 계획이다. 실제 삼성전자와 자이스는 이날 "EUV 기술과 첨단 반도체 장비 관련 분야의 협력을 더욱 확대한다"고 밝혔다. 삼성전자는 자이스와의 기술 협력을 통해 차세대 반도체의 △성능 개선 △생산 공정 최적화 △수율 향상을 달성해 사업 경쟁력을 끌어올릴 수 있을 것으로 기대된다. 자이스는 2026년까지 480억원을 투자해 한국에 연구개발(R&D) 센터를 구축할 계획이다. 한국에 R&D 거점이 마련되면 삼성전자와의 전략적 협력을 한층 강회될 것으로 전망된다. ■초미세공정 핵심 '수율' 향상 기대 메모리 반도체를 주도하고 있는 삼성전자는 시스템반도체 사업 분야로 영향력을 확대하고 있다. 2022년 세계 최초 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노 양산에 성공하며 기술 경쟁력을 강화하고 있다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 향후 3나노 이하 파운드리 시장 성장률은 64.8%로, 전체 시장 성장률(연평균 13.8%)를 크게 상회할 전망이다. 시장에서는 아직 대만 TSMC와 삼성의 파운드리 점유율 격차가 크지만, 향후 3나노 이하 초미세공정 경쟁력을 보유한 삼성의 수혜가 확대될 것으로 예상된다. 이번 자이스와의 협력으로 삼성전자의 '수율' 측면에서 기대감이 높아지고 있다. 삼성전자는 TSMC보다 수율에서 상대적으로 뒤처졌다는 평가를 받고 있다. 이를 극복하기 위해 내년부터 반도체 공정에 인공지능(AI)과 빅데이터를 활용한 '디지털 트윈' 기술도 시범 적용할 예정이다. 자이스는 반도체 공정의 첫 단추이자 수율에 직접적 영향을 미치는 '포토마스크' 공정제어 솔루션을 보유하고 있다. 반도체 단층 촬영과 계측 등을 통해 불량을 확인할 수 있고, 작은 결함조차 찾아낼 수 있어 삼성전자 반도체 수율 향상이 기대된다. 이 회장은 AI 반도체 시장을 선점하고 미래 먹거리 확보에도 총력을 다하고 있다. 올해 2월 마크 저커버그 메타 CEO와의 만남을 갖고 AI반도체와 XR(확장현실) 사업 협력 방안을 논의한 것으로 알려졌다. 앞서 지난해 12월에는 피터 베닝크 ASML CEO, 지난해 5월에는 젠슨 황 엔비디아 CEO 등 글로벌 빅테크 수장들과 잇따라 만나며 미래 협력을 논의했다. 한편, 업계에 따르면 이 회장은 독일 방문 이후 프랑스, 이탈리아 등을 방문해 비즈니스 미팅과 유럽시장 점검 주재원 간담회 등을 일정을 소화할 예정으로 알려졌다. hoya0222@fnnews.com 김동호 기자

[파이낸셜뉴스]  지오엘리먼트의 주가가 강세다. 최근 삼성전자와 SK하이닉스 등이 차세대 반도체 생산을 위한 EUV(극자외선) 공정 적용을 늘리면서 관련 수혜주로 재부각되고 있기 때문이다. 11일 오후 2시 56분 현재 지오엘리먼트는 전일 대비 410원(+3.27%) 상승한 1만 2930원에 거래되고 있다. 관련 업계 등에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스가 차세대 D램인 '6세대 10나노 D램'을 동시에 양산하며 올해 치열한 고객 확보 경쟁에 나설 전망이다. 양산 시기를 비롯해 제품의 전력 효율, 극자외선(EUV) 노광장비의 적용 범위 등이 관건이다 양산 시기에 이어 전력 효율도 6세대 10나노 D램 시장을 선점할 기준으로 꼽힌다. 양사의 제품은 당초 정해진 규격에 따라 제조되고 있어, 전력 소비를 줄일 수 있는 전력 효율성이 고객사들의 선택에 적지 않은 영향을 줄 것으로 보인다. 그런 만큼 EUV가 적용되는 레이어의 개수도 관건이 될 전망이다. 통상 EUV는 반도체 웨이퍼에 미세한 회로를 넣는 최첨단 장비로 이를 활용하면 반도체의 생산성과 전력 효율이 높아진다. D램은 통상 수십개의 레이어(층)을 쌓아 만든다. 삼성전자와 SK하이닉스의 주력 D램인 4세대·5세대 10나노급 D램은 4~5개의 레이어를 EUV로 작업한다. EUV 장비를 얼마나 많은 레이어에 활용하는 지가 성능 향상에 영향을 미칠 수 있는 셈이다 EUV 노광장비 출하량이 늘수록 ALD(Atomic Layer Deposition, 원자층 증착) 수요가 확대되는데, 지오엘리먼트는 ALD 증착 공정에 필수인 캐니스터(Canister)와 레벨 센서를 생산하고 있다. 지오엘리먼트는 지난 2021년 국내 기준으로 해당 캐니스터 제품군 내에서 95% 수준의 시장점유율을 보유하고 있다. 주요 고객사도 주성엔지니어링, 원익IPS 등 공정장비기업을 비롯해 삼성전자, SK하이닉스 등 종합반도체 기업부터 ASM 등 글로벌 반도체 공정장비 업체까지 다양하게 분포돼 있는 점이 부각되면서 기대 매수세가 몰린 것으로 보인다. kakim@fnnews.com 김경아 기자