8인치 순수 파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 차세대 전력 반도체 질화갈륨(GaN)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발 완료를 목표로 박차를 가하고 있다고 19일 밝혔다. SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해 2022년 정식 팀을 구성, GaN 공정을 개발해 왔으며, 최근 650V GaN HEMT 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아 실리콘 기반 제품보다 방열 기구 비용을 감소시켜 기존 실리콘과 비교해 최종 고객의 시스템 가격이 큰 차이가 나지 않게 된다. 이는 실리콘 기반의 650V 제품으로 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 시장에서 비즈니스 중인 팹리스 고객들의 프리미엄 제품 개발에 유리한 장점으로 작용할 것이라는 게 회사 측의 설명이다. SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 깊은 관심을 보이는 다수의 기존 전력 반도체 공정 사용 고객에게 적극 프로모션에 나선다는 방침이다. GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. 시장조사기관 OMDIA에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억불에서 2032년 64억불까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망되며, 주로 전원 공급 장치, 하이브리드 및 전기차, 태양광 발전 인버터 등에 사용된다. SK키파운드리는 650V GaN HEMT를 기반으로 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이라고 관계자는 전했다. SK키파운드리 이동재 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며, "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다.

[파이낸셜뉴스] 순항하던 DB하이텍이 범용 제품인 8인치 파운드리(반도체 위탁생산) 수요 침체의 직격탄을 맞았다. 반도체 업계가 인공지능(AI) 호황에 올라타며 회복세에 진입했지만, DB하이텍은 8인치 기반 반도체 수요 위축으로 수익성 회복이 더디고 있다. DB하이텍은 신공정 개발과 연내 차세대 전력반도체 개발로 위기를 극복한다는 계획이다. DB하이텍은 올해 1·4분기 연결기준 매출 2615억원, 영업이익 411억원을 잠정 기록했다고 2일 공시했다. 전년 동기 대비 매출은 12%, 영업이익은 50% 감소했다. 30% 수준을 웃돌았던 영업이익률도 매 분기 하락하는 추세다. DB하이텍의 영업이익률은 지난해 1·4분기 28%에서 1년 만에 16%까지 떨어졌다. 업계에서는 글로벌 경기침체로 8인치 웨이퍼로 만드는 반도체 수요가 줄어들며 실적이 악화된 것으로 보고 있다. DB하이텍 관계자는 "경기 둔화에 따른 평균판매단가(ASP) 하락 지속과 자회사의 글로벌칩 실적 부진이 매출·영업이익 하락으로 이어졌다"고 전했다. 다만 매출은 자동차 수요 회복과 특정 고객사의 단발성 물량이 급증하며 △제품군별 '고전력 반도체(SJ MOSFET)' △응용분야별 '산업용' △지역별 '한국' 등의 매출 비중이 늘었다. DB하이텍은 오는 2·4분기 실적도 1·4분기와 비슷한 수준을 보인 뒤 하반기부터 실적이 회복세로 접어들 것으로 보고 있다. DB하이텍 관계자는 "상반기 가동률을 70% 중반대로 유지하고, 부가가치 제품(HV BCD, SJ MOSFET 등) 매출 비중을 확대해 수익성을 방어할 계획"이라고 말했다. DB하이텍은 차세대 전력반도체 소재인 질화갈륨(GaN)·실리콘카바이드(SiC) 8인치 공정 개발에 박차를 가해 실적 반등을 이뤄내겠다는 전략이다. 전략반도체는 모바일과 가전, 자동차 등 다양한 분야에서 사용 중인 만큼 경기 변동 영향을 상대적으로 받지 않는다는 설명이다. DB하이텍 관계자는 "차세대 전력반도체 개발이 순항하고 있다"라며 "GaN과 SiC를 개발 중으로, 연내 GaN 개발 완료가 목표"라고 말했다.   hoya0222@fnnews.com 김동호 기자

[파이낸셜뉴스]  시지트로닉스가 장중 강세다. 한국나노기술원이 차세대 전력반도체로 주목받고 있는 질화갈륨(GaN) 화학물반도체 에피웨이퍼 소재의 국산화 플랫폼을 구축했다는 소식이 전해지면서부터다. 21일 오후 1시 20분 현재 시지트로닉스는 전 거래일 대비 6.83% 오른 2만1000원에 거래되고 있다. 이날 관련 업계에 따르면 나노기술원은 GaN 화합물반도체 에피웨이퍼 소재 국산화 플랫폼을 구축했다고 이날 밝혔다. GaN 화합물반도체는 기존 실리콘반도체보다 2~3배 이상 큰 전압을 견딜 수 있고 고온에서도 정상 작동해 차세대 물질로 불리고 있다. 나노기술원은 반도체 소자 제조기업 시지트로닉스와 GaN 전력소자 연구과제를 공동으로 수행 중이다. 시지트로닉스에 전력반도체 제조용 6인치 'GaN on Si' 에피소재 기판을 제공해 고효율 전력변환 시스템 설계를 간소화하는 인핸스먼트 모드(E-mode) 전력반도체 소자를 최초로 구현하는 성과를 거뒀다. 나노기술원은 지난 7월 과학기술정통부 화합물반도체 분야 공공 나노 인프라 혁신사업의 일환으로 화합물반도체 에피센터 구축 사업도 수주했다. 이를 통해 앞으로 5년 내에 에피소재를 제공해 대구경 화합물반도체 소자의 국내 생태계를 조성할 계획도 세웠다. dschoi@fnnews.com 최두선 기자

[파이낸셜뉴스] SK실트론은 글로벌 에피택셜 웨이퍼 제조사인 영국 IQE와 전략적 협력 협약(SCA)을 체결했다고 11일 밝혔다. SK실트론은 이번 협약을 통해 무선통신용 반도체와 전력 반도체 소재로 각광받고 있는 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 시장에 본격 진출한다. 양사는 고객사 요구사항에 따라 맞춤형 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 아시아 시장 마케팅을 통한 시장 확대를 위해 협력한다. IQE는 첨단 화합물 반도체 웨이퍼와 소재 솔루션을 전세계 반도체 제조사에 공급하고 있는 글로벌 기업이다. 기술 진입장벽이 높은 화합물 에피택셜 웨이퍼 시장에서 글로벌 1위를 차지하고 있다. GaN 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 실리콘 카바이드 웨이퍼 위에 GaN 박막을 증착시키는 방법으로 만들어진다. 기존 웨이퍼에 비해 고전압 환경에서도 전력 변환 효율이 높은 특징을 가지고 있다. 급속 충전 등 고출력과 내열성을 요하는 전기차와 스마트기기, 5세대(5G) 기반의 고속 네트워크 장비 등 다양한 분야에서 사용된다. SK실트론 장용호 사장은 “첨단소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장의 기반을 마련했다”며 “IQE와의 협력이 획기적인 성공으로 이어져 더 다양한 분야에서의 협력 관계로 발전하길 기대한다”고 말했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스] RF머트리얼즈가 장중 강세다. 국내 연구진이 일본의 수출 규제 품목 중 하나인 핵심 반도체 부품 '질화갈륨(GaN) 전력소자'를 국산화하는데 성공했다는 소식에 영향을 받은 것으로 풀이된다. 29일 오전 10시 32분 현재 RF머트리얼즈는 전 거래일 대비 10.27% 오른 1만950원에 거래되고 있다. KBS는 전일 한국전자통신연구원이 질화갈륨 전력소자를 세계적 수준으로 국산화하는데 성공했다고 전일 보도했다. 이에 따르면 이번에 개발된 질화갈륨 전력소자는 출력 전력 300W, 전력 밀도 10W/mm 이상의 성능을 나타냈다. 기존 성능인 8.4W/mm 전력 밀도보다 우수한 특성을 나타내고 있어 투자자 관심이 쏠리고 있다. 이 가운데 RF머트리얼즈는 지난 5월 산업통상자원부가 진행하는 '산업용 고출력 레이저 다이오드 칩과 모듈 제조기술 국산화 과제'에 선정된 바 있어 기대감이 몰리는 것으로 풀이된다. 총 170억원의 정부지원금을 지원받는 본 과제는 RF머트리얼즈가 총괄사업자를 담당하고 옵토웰, 한국전자통신연구원과 한국광기술원이 질화갈륨 및 갈륨비소(GaAs) 에피 소재와 이를 이용한 레이저 다이오드 칩 개발에 참여한다. RF머트리얼즈는 광화합물 반도체인 인듐인과 갈륨비소를 비롯해 RF화합물 반도체인 질화갈륨과 갈륨비소를 트랜지스터와 전력증폭기에 안착시킬 수 있는 패키지를 제조, 판매하는 사업을 영위하고 있다. dschoi@fnnews.com 최두선 기자

[파이낸셜뉴스]정부가 차세대 전력반도체 핵심 부품 5개 이상을 2025년까지 상용화 한다. 3300개의 전기차 전문정비소도 2025년까지 확충한다.  홍 부총리는 이날 정부서울청사에서 열린 제7차 혁신성장 BIG3 추진회의에서 이같이 밝혔다. 홍 부총리는 "차세대 전력반도체는 디지털·그린 뉴딜의 핵심 부품이나 생산규모·기술력 부족 등으로 90% 이상 수입에 의존하고 있다"며 "2025년까지 핵심제품 5개 이상을 상용화하는 등 국내 자립기반 구축을 위해 수요연계형 상용화, 핵심기술 개발, 제조역량 확충 등 3단계로 집중 지원하겠다"고 밝혔다. 우선 정부는 실리콘카바이드(SiC), GaN(질화갈륨), Ga2O3(갈륨옥사이드) 등 3대 핵심소재 기반 차세대 전력반도체 기술 개발에는 올해 100억원을 지원한다. 아울러 반도체와 충전기 등 상용화 과제 기획·발굴을 위해 수요·공급기업 간 연대협력협의회를 4월에 개최한다. 또 2022년까지 파워 반도체 상용화센터의 시제품 지원 물량을 월 600장으로 2배 확대하기 위해 인프라 증설을 추진한다. 팹리스·파운드리 등 민간과의 협력을 통해 기술 개발부터 웨이퍼 제조까지 국내 전주기 가치사슬을 조성한다. 민간 파운드리의 차세대 전력반도체 제조공정 구축을 지원하고 2022년까지 부산 파워반도체 상용화센터 내에 신뢰성 평가인증센터를 구축해 신뢰성 확보 방안도 마련한다는 방침이다. 전기차 전문정비소도 확충한다. 홍 부총리는 "친환경차 보급 확대에 따라 충전중 화재, 배터리 대규모 리콜 등이 이어지면서 안전성 문제에 대한 소비자 관심이 증대하고 있다"며 "친환경차의 안전기반을 확립하고 소비자 우려 불식을 위해 기업의 자율적 리콜 등 안전확보 노력과 함께 정부차원의 안전성 제고방안 마련하겠다"고 밝혔다. 정부는 2025년까지 전기차 전문정비소 3300개를 확충하기로 했다. 2019년 기준 전기차 전문정비소는 1100개인 상태다.  정부는 친환경차 정비 인프라와 인력 확대를 위해 자동차학과 교육과정을 개편하고, 현재 10개소인 수소차 검사소를 내년까지 23개소로 확충할 계획이다. 전기차 핵심부품인 배터리 안전성 시험항목은 11개로 늘리고, 충돌 안전성 평가대상에 전기차 4종을 추가한다. 수소버스 제작·안전기준도 신설한다. 새 유형의 차량 화재 대응기술과 장비 개발을 내년까지 완료하고, 일반 내연기관차 중심인 자동차안전연구원(KATRI)의 친환경차 결함조사 시설·장비도 단계적으로 확충할 방침이다. 전기차 충전설비 설치 시 전기안전공사 안전 점검을 의무화하고, 점검항목·이력 등에 대한 통합관리시스템 구축도 추진한다. beruf@fnnews.com 이진혁 기자

반도체 패키징 및 테스트 전문기업 에이티세미콘은 13일 독자적인 매칭 기술과 패키지 기술을 적용해 열 방출이 우수하고 소자 효율과 성능을 향상 시킨 갈륨나이트라이드(GaN) 전력 반도체 S대역(3GHz)과 X대역(9GHz) 패키지를 개발했다고 밝혔다. 이 기술은 한국전자통신연구원(ETRI)과 공동연구로 개발됐으며, 기존 반도체인 실리콘(Si)이나 갈륨비소(GaAs) 대신 갈륨나이트라이드(GaN)를 사용해 전력밀도를 최대 10배, 전력 효율을 최대 30%이상 향상시켰다. 또 GaN 전력반도체의 칩 본딩 시 열전도성이 높은 특수소재를 사용해 패키지의 방열 기능을 높여 소자의 효율을 높였다. 회사 측은 "현재 이동 통신용 GaN RF(고주파) 전력 소자 패키지와 증폭기 모듈 등도 공동 개발 중"이라며 "향후 이동 통신 분야에도 GaN RF 전력 소자 패키지나 증폭기 모듈 등의 수요가 점차 증가할 것으로 기대됨에 따라 연구개발에 속도를 내고 있다"고 말했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

2013 한국전자전의 부대행사로 SiC 및 GaN 전력반도체 실용화를 위한 핵심 기술 분석 세미나가 10월10일 경기 일산 킨텍스 컨퍼런스룸 205호에서 열린다. 이 행사에서는 차세대 파워디바이스 SiC/GaN시장동향 등에 대해 논의된다. hwyang@fnnews.com 양형욱 기자

2일 오후 서울 상암동 CJ E&M 센터에서 엠카운트다운이 생방송으로 진행됐다. 이날 방송에는 FT아일랜드(최종훈, 이홍기, 이재진, 최민환, 송승현),엠블랙(승오, 지오, 이준, 천둥, 미르), 린, 틴탑(캡, 천지, 엘조, 니엘, 리키, 창조), 부가킹즈(바비 킴, 주비트레인, Gan-D), 브라이언, 써니힐(장현, 코타, 주비, 미성, 승아), 미료, 이현, 보이프렌드(동현, 영민, 광민, 민우, 현성, 정민), 나인뮤지스(세라, 민하, 은지, 이샘, 이유애린, 혜미, 현아, 경리), 레인보우 픽시(오승아, 김지숙, 조현영), 달샤벳(비키, 세리, 지율, 아영, 가은, 수빈), 블락비(지코, 재효, 태일, 유권, 피오, 박경, 비범), 레드애플(광연, 영준, 규민, 효석, 건우, 한별)이 출연해 멋진 무대를 펼쳤다. 한편 엠블랙이 '전쟁이야'로 2주연속 1위를 차지했다. /파이낸셜뉴스 스타엔 kowel@starnnews.com김한준 기자 기사제보 및 보도자료 press@starnnews.com 관련기사   ▶ [포토] KT 김현민 '덩크 후 세레모니는 시원한 상의탈의'   ▶ [포토] 얼짱시대6 9화다시보기 강혁민 '모두들 나를 따르라'   ▶ [포토] 가빈-이동준 '승준이형 응원왔어요~'   ▶ [포토] 황영진 '대장형 축하해주러 왔어요'   ▶ [포토] 송재호 임하룡 '윤택이가 장가를 가는구나'

63빌딩 외관 유리 전체를 조명판으로 활용하거나 254㎝(100인치) 발광다이오드(LED) TV를 저가에 양산할 수 있는 길이 열렸다. 삼성전자종합기술원은 10일 세계 최초로 '비정질 유리기판 위에 단결정 수준의 질화갈륨(GaN) LED를 구현하는 기술'을 개발했다고 발표했다. 5년여의 연구 끝에 개발에 성공한 이번 기술은 상용화 때 LED 제품의 대형화와 저비용화에 크게 기여할 것으로 보인다. 특히 이 신기술을 10세대(288×313㎝) 유리기판에 적용할 경우 종전 실리콘 기판의 100배, 사파이어 기판의 400배 크기에서 GaN LED를 대량 생산할 수 있다. GaN LED가 종전 사파이어나 실리콘 기판이 크기 제약으로 인해 대량 생산에 적합하지 않았던 단점을 보완해줄 수 있다는 의미. 그간 GaN은 깨지기 쉬운 특성으로 사파이어를 비롯한 단결정 기판을 통해서만 7.62∼10.16㎝(3∼4인치) 크기로 제조됐다. 그러나 삼성은 이번에 비정질 유리기판 위에 단결정 수준의 GaN을 성장시켜 GaN LED를 구현해냈다. 삼성은 유리기판 위에 GaN LED를 구현하기 위해 티타늄과 저온 GaN을 2중 박막으로 구성, 유리기판 위에 증착시키는 획기적인 방법을 활용했다. 이어 저온 GaN 박막을 다결정 구조로 만든 후 그 위에 이산화규소(SiO2) 홀 마스크를 형성했다. 이를 통해 GaN을 고온에서 성장시켜 유리기판에 단결정 수준의 GaN을 미세한 피라미드 형태로 만드는 데 성공했다는 것. 그 결과 삼성전자는 5×5㎜ 영역에서 안정적인 전자발광(EL) 특성을 확인했다. 최준희 삼성전자종합기술원 전문연구원은 "이번 연구는 단결정 구조의 GaN 성장이 사파이어와 같은 단결정 기판 위에서만 가능하다는 종래의 상식을 극복하고 비정질의 유리기판 위에서 GaN LED 구현 가능성을 세계 처음으로 증명했다는 의미가 있다"면서 "10년 후 대형 건물 유리창이 조명으로 디스플레이되는 시대가 올 것"이라고 말했다. 한편 삼성의 이번 연구 결과는 세계적 권위의 국제 학술지인 '네이처 포토닉스(Nature Photonics)' 인터넷판(10일자)에 게재됐다. /hwyang@fnnews.com양형욱기자