[파이낸셜뉴스] 곽노정 SK하이닉스 대표이사(CEO)가 4일 "고대역폭메모리(HBM) 최대 용량인 48기가바이트(GB)가 구현된 16단 HBM3E을 개발 중이며, 내년 초 고객에게 샘플을 제공할 예정"이라고 발표했다. 16단 HBM3E는 기존 12단을 넘어선 HBM3E 최고층 제품이다.  곽 CEO는 이날 서울 강남 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋(SUMMIT) 2024' 행사 기조연설에서 ‘차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로’를 주제로 한 연설에서 이 같이 밝혔다.  HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐고, 기존 12단 HBM3E의 용량은 3GB D램 단품 칩 12개를 적층한 36GB였다. SK하이닉스는 HBM4부터 16단 시장이 본격적으로 열릴 것으로 보이는 가운데, 이에 대비해 기술 안정성을 확보하고자 16단 HBM3E 개발을 진행 중이다.  곽 CEO는 "16단 HBM3E를 생산하기 위해 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드 MR-MUF 공정을 활용할 계획이며, 백업 공정으로써 하이브리드 본딩 기술도 함께 개발하고 있다"고 설명했다. MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정을 의미한다.  아울러 SK하이닉스는 HBM4부터 '베이스 다이'에 로직 공정을 도입할 예정이다. 베이스 다이란 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행하는 만큼 HBM 성능과 직결된 부분이다. 특히 HBM4부터는 베이스 다이에 고객이 요구하는 로직이 들어가야 해 파운드리(반도체 위탁생산) 회사와 협업 중요성도 커지고 있다. 앞서 삼성전자도 지난 3·4분기 실적 발표에서 베이스 다이 관련 "커스텀(고객맞춤형) HBM은 고객의 요구사항을 만족시키는 게 중요하기 때문에 베이스 다이 제조와 관련된 파운드리 파트너 선정은 고객 요구를 우선으로 내·외부 관계없이 유연하게 대응할 계획"이라고 말하기도 했다.  곽 CEO는 베이스 다이 관련 "글로벌 1위 파운드리 협력사와의 원팀 파트너십을 기반으로 고객에게 최고의 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하겠다"고 전했다. 향후 새로운 제품에 대한 개발도 적극 이어간다. 곽 CEO는 "커스텀 HBM은 용량과 대역폭, 부가 기능 등 고객의 다양한 요구를 반영해 성능을 최적화한 제품으로, 향후 AI 메모리의 새로운 패러다임이 될 것"이라고 내다봤다.  이어 "AI 시스템 구동을 위해서는 서버에 탑재된 메모리 용량이 대폭 증가해야 하는데, 이를 위해 여러 메모리를 연결해 대용량을 구현하는 컴퓨트익스프레스링크(CXL)를 준비 중이며, 초고용량 쿼드레벨셀(QLC) 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)를 개발해 고객이 더 많은 데이터를 더 작은 공간에서 저전력으로 이용할 수 있도록 준비하겠다"고 했다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 31일 3·4분기 실적발표 후 진행 된 컨퍼런스콜에서 4·4분기 중 5세대 HBM3E 제품 관련 판매 확대가 가능할 것으로 전망했다. 삼성전자는 복수 고객사향 HBM3E 8단, 12단 판매 확대에 나설 것임을 밝혔다. HBM4 제품은 내년 하반기 양산을 목표로 개발 중이며 핵심인 '베이스다이'와 관련한 파운드리 파트너 선정은 고객 요구를 우선으로 유연 대응할 예정이라고말했다. 이날 삼성전자는 "HBM3E 양산 판매 중"이라면서 "주요 고객사 퀄 과정상 중요단계를 넘기며 유의미한 진전을 이뤘다"고 밝혔다. 삼성전자는 4·4분기 HBM3E 제품 판매확대가 가능할 것으로 예측했다. 복수 고객사 향으로 HBM3E 8단, 12단 모두 진입과제 늘려가며 판매 확대에 나설 것이라고 말했다. 주요 고객사들의 과제에 맞춤형 최적화된 HBM3E 제품도 추가적으로 준비하며 내년 초 고객사들과 일정을 협의 중이라고도 덧붙였다. HBM4 제품의 경우 내년 하반기 양산 목표를 밝히며 "복수 고객사들과 커스텀(맞춤형)화에 나섰다"면서 "고객사들의 만족이 중요해 베이스다이 파운드리는 고객사 요구를 우선으로 내부와 외부 관계없이 유연하게 대응할 예정"이라고 말했다. 삼성전자 파운드리 사업부 외에도 TSMC 등 경쟁사와 협력할 가능성을 열어놓았다는 뜻으로 시장은 해석했다. rejune1112@fnnews.com 김준석 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 24일 3·4분기 실적 발표 후 진행한 컨퍼런스콜에서 "올해 초 HBM3E 8단 업계 최초로 공급했고 이번 분기에는 HBM3E 비중이 HBM3 넘어섰다"고 설명했다. 이어 "내년 HBM 시장 수요는 HBM3E 8단에서 12단으로 빠르게 전환할 것"이라고 전망했다. SK하이닉스는 "HBM3E 12단은 9월부터 양산했고 이번 분기부터 출하할 예정"이라면서 "HBM3E 12단은 내년 상반기중 8단 판매 물량 넘어설 것으로 보고 있고 내년 하반기에는 대부분 물량이 12단 제품이 될 것"이라고 예상했다. SK하이닉스는 "단수 증가로 공정 난도 높아지는 만큼 순조로운 양산 위한 제반 준비 미리 갖췄고 고객과의 협의로 12단 수요 선점하겠다"면서 "8단과 마찬가지로 12단 제품에서도 점유율 리드할 계획이고 제품 차별화를 통해 HBM 시장 선도하겠다"고 덧붙였다. rejune1112@fnnews.com 김준석 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 장 초반 강세다. 간밤 뉴욕 증시에서 반도체주가 상승세로 마감한 가운데, 고대역폭메모리(HBM) 최대 용량인 36기가바이트(GB)를 구연한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다는 소식에 연일 상승세를 보이고 있다. 27일 오전 10시 16분 SK하이닉스는 전 거래일 대비 2.76% 오른 18만5900원에 거래되고 있다. 장 초반 4.64% 상승한 18만9300원까지 오르기도 했다. 전날 SK하이닉스는 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 밝혔다. 양산 제품은 연내 고객사에 공급할 예정이다. SK하이닉스는 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 엔비디아에 납품한 바 있는데 6개월 만에 12단 양산에 돌입한 것이다. 이에 더해 간밤 뉴욕증시에서 반도체주가 상승 마감하면서 기대감이 몰린 것으로 풀이된다. 미국 최대 메모리 반도체 생산업체 마이크론은  2024 회계연도 4·4분기(6~8월) 실적에서 매출은 전년 동기 대비 93% 급증한 77억5000만달러, 주당순이익(EPS)은 1.18달러를 기록했다고 밝혔다. 모두 월가 예상치를 웃도는 깜짝 실적이다. 이러한 호실적에 마이크론 주가는 14.7% 상승 마감했다. 마이크론의 호실적으로 엔비디아와 알파벳, 브로드컴도 모두 상승했다. ASML은 4.19%, AMD는 3.38%, 퀄컴은 2.61% 상승하며 두각을 드러내기도 했다. nodelay@fnnews.com 박지연 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 현존 고대역폭메모리(HBM) 최대 용량인 36기가바이트(GB)를 구현한 HBM3E(5세대) 12단 신제품을 세계 최초로 양산하기 시작했다고 26일 밝혔다. 기존 HBM3E의 최대 용량은 3GB D램 단품 칩 8개를 수직 적층한 24GB였다. SK하이닉스는 양산 제품을 연내 고객사에 공급하겠다는 계획이다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한지 6개월만에 신제품 양산에 나섰다. SK하이닉스는 "당사는 2013년 세계 최초로 HBM 1세대(HBM1)를 출시한데 이어 HBM 5세대까지 전 세대 라인업을 개발해 시장에 공급해온 유일한 기업"이라며 "높아지고 있는 인공지능(AI) 기업들의 눈높이에 맞춘 12단 신제품도 가장 먼저 양산에 성공해 AI 메모리 시장에서 독보적인 지위를 이어가고 있다"고 밝혔다. 이번 제품의 동작 속도를 현존 메모리 최고 속도인 9.6Gbps로 높였다. 이는 이번 제품 4개를 탑재한 단일 그래픽처리장치(GPU)로 메타의 오픈소스 거대언어모델(LLM)인 '라마 3 70B'를 구동할 경우 700억개의 전체 파라미터를 초당 35번 읽어낼 수 있는 수준이다. 회사는 또 기존 8단 제품과 동일한 두께로 3GB D램 칩 12개를 적층해 용량을 50% 늘렸다. 이를 위해 D램 단품 칩을 기존보다 40% 얇게 만들고 실리콘관통전극(TSV) 기술을 활용해 수직으로 쌓았다. TSV 기술은 D램 칩에 수천 개의 미세한 구멍을 뚫어 상층과 하층 칩의 구멍을 수직으로 관통하는 전극으로 연결하는 어드밴스드 패키징 기술 중 하나다. 여기에 얇아진 칩을 더 높이 쌓을 때 생기는 구조적 문제도 해결했다. SK하이닉스는 자사 핵심 기술인 어드밴스드 매스리플로(MR)-몰디드언더필(MUF) 공정을 이번 제품에 적용해 전 세대보다 방열 성능을 10% 높였으며, 강화된 휨 현상 제어를 통해 제품의 안정성과 신뢰성을 확보했다. MR-MUF 공정은 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정으로 HBM 양산성을 확보에 핵심이 되는 공정이다. 김주선 SK하이닉스 사장(AI Infra담당)은 "앞으로도 AI 시대의 난제들을 극복하기 위한 차세대 메모리 제품을 착실히 준비해 '글로벌 1위 AI 메모리 공급자'로서의 위상을 이어가겠다"고 말했다. rejune1112@fnnews.com 김준석 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스 김주선 인공지능(AI)인프라 담당(사장)은 4일 "이번달 말부터 고대역폭메모리 5세대(HBM3E) 12단 제품 양산에 돌입할 계획"이라고 밝혔다. 김 사장은 이날 대만 타이베이에서 열린 대만 타이베이에서 개막한 아시아 최대 반도체 행사 '세미콘 타이완 2024'에 참석, 'AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다'를 주제로 진행한 강연에서 "AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요가 증가하고 있다"며 "이런 장애물들을 극복하기 위해 SK하이닉스는 현재 HBM3E, 고용량 서버 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM), 쿼드레벨셀(QLC) 기반 고용량 기업용솔리드스테이트드라이브(eSSD)와 저전력더블데이터레이트(LPDDR)5T를 시장에 공급하고 있다"고 설명했다.  앞서 SK하이닉스는 올 3·4분기 HBM3E 12단 양산 계획을 밝힌 바 있는데, 이보다 구체적인 양산 시점을 공개한 것이다. SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품은 지난 3월 말부터 양산한 뒤 엔비디아 등 주요 고객사에 납품하고 있다.  김 사장은 AI가 발전해 일반인공지능(AGI) 수준에 다다르기 위해서는 전력과 방열, 메모리 대역폭과 관련된 난제들을 해결해야 한다고 강조했다. 그는 "가장 큰 문제 중 하나는 전력에 대한 것"이라며 "2028년에는 데이터센터가 현재 소비하는 전력의 최소 두 배 이상을 사용할 것으로 추정되며, 충분한 전력 공급을 위해 소형모듈원전 같은 새로운 형태의 에너지가 필요할 수도 있다"고 말했다. 이어 "데이터센터에서 더 많은 전력이 사용되면 비례해서 발생하는 열도 늘어나는 만큼 AI 기술의 지속 발전을 위해서는 열 문제를 해결하기 위한 효과적인 방안을 찾아야 한다"면서 "이를 위해 SK하이닉스는 파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다"고 전했다. 또 "AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요가 증가하고 있다"며 "챗GPT가 도입되기 전까지 대역폭과 관련된 문제는 그다지 중요하지 않았으나 AI 기술이 발전할수록 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 점점 더 커지고 있다"고 덧붙였다. 그는 일반 서버와 비교해 AI 서버는 4배 이상의 메모리 용량이 필요한데, 이를 위해 SK하이닉스는 실리콘관통전극(TSV) 기술 기반 서버용 256기가바이트(GB) DIMM을 공급 중"이라며 "또 SK하이닉스는 QLC 기반 고용량 eSSD를 양산하는 유일한 공급업체로, 향후 전력 효율과 공간 최적화에 크게 기여할 120테라바이트(TB) 모델을 선보일 계획이다. 마지막으로 LPDDR5T는 초당 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하는 온디바이스 AI에 최적화된 제품"이라고 설명했다. 김 사장은 HBM4(HBM 6세대) 등 차세대 제품과 기술 개발도 순조롭게 진행하고 있다고 강조했다. 그는 "베이스다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정이며 최고의 성능을 발휘하게 될 것"이라며 "저전력 컴프레션 어태치드 메모리 모듈(LPCAMM), 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL), 512GB 고용량 DIMM 등 차세대 메모리 제품을 착실히 준비하고 있다"고 전했다. 김 사장은 낸드 분야에서도 SK하이닉스는 최첨단 제품을 지속 개발할 것이라고 했다. 그는 "SK하이닉스는 최대 초당 40기가바이트(Gb)를 지원하는 업계 최고 성능의 그래픽더블데이터레이트(GDDR)7를 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰으며, 혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다"고 했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 31일 올해 2·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "올해 3·4분기 당사 HBM 내 HBM3E(HBM 5세대) 매출 비중은 10% 중반을 넘어설 것"이라며 "4·4분기에는 60% 수준까지 빠르게 확대될 것으로 전망한다"고 밝혔다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 25일 올해 2·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 고대역폭메모리(HBM) 5세대 제품인 HBM3E 12단(H) 양산과 관련 "지난 5월 고객사에 샘플을 제공했다"며 3·4분기 중 양산을 시작해 올 4·4분기 고객에게 공급을 시작할 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 "HBM3E 12단 제품의 수요는 내년부터 본격적으로 늘어날 것으로 전망한다"면서 "내년 상반기 중 HBM3E 12단 공급량이 HBM3E 8단 제품을 넘어설 것"이라고 언급했다. 이어 "HBM3E 12단은 8단에 비해 기술 난이도가 높아지긴 하지만, SK하이닉스는 HBM3(HBM 4세대) 12단 양산 경험이 있고, HBM3E 8단 제품도 성공적으로 개발·양산해 안정적 품질을 확보할 시간을 지킬 수 있을 것"이라고 전했다.  mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 25일 올해 2·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "고대역폭메모리(HBM) 3E(HBM 5세대)가 올해 당사 전체 HBM 출하량의 절반 이상을 차지할 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스는 "올해 2·4분기 수요가 본격화된 HBM3E 출하가 크게 확대됐다"면서 "올 3·4분기에는 HBM3E의 출하량이 HBM3(HBM 4세대)을 크게 넘어설 것"이라고 언급했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

삼성전자가 인공지능(AI)용 고대역폭메모리(HBM) 시장 최대 '큰 손' 엔비디아 공급망에 편입된다. 엔비디아의 HBM3(HBM 4세대) 퀄 테스트(품질 검증) 문턱을 넘으며 삼성전자 기술력이 본궤도에 진입했다는 시장의 기대감이 커지고 있다. 삼성전자가 시장 주도권 탈환의 승부수로 내건 세계 최대 용량 36기가바이트(GB) HBM3E(HBM 5세대) 12단(H) 제품의 퀄 테스트 통과 가능성에도 청신호가 켜진 것으로 분석된다. SK하이닉스가 주도하고 있는 HBM 시장에 삼성전자가 본격적으로 참전하면서 시장 지형이 바뀌는 계기가 마련될지 주목된다. ■엔비디아 밸류체인 핵심 축 부상24일 반도체 업계 및 외신에 따르면 삼성전자는 최근 세계 최대 그래픽처리장치(GPU)업체 엔비디아의 HBM3 퀄 테스트를 처음으로 통과했다. 퀄 테스트는 해당 제품의 품질이 납품 가능한 수준인지 성능을 시험하는 단계다. 퀄 테스트를 통과하면 본계약 절차를 밟아 본격적인 제품 공급이 시작된다. 사실상 SK하이닉스가 독점 공급하고 있는 엔비디아의 HBM 밸류체인의 한 축을 삼성전자가 담당하는 것이다. 이에 대해 삼성전자는 '고객사 관련 사안은 확인할 수 없다'는 입장이지만, 반도체 업계는 삼성전자가 이미 HBM3 양산을 시작해 엔비디아에 납품 중인 것으로 보고 있다. 삼성전자가 공급하는 HBM3는 엔비디아의 저성능 그래픽 GPU인 'H20'에 우선 탑재될 것으로 알려졌다. H20은 엔비디아가 미국 첨단산업 규제에 대응해 기존 GPU보다 성능을 낮춰 중국에 수출하고 있는 제품이다. 삼성전자는 업계 1위 SK하이닉스와의 점유율 격차를 좁힐 발판을 마련했다. SK하이닉스는 가장 먼저 AI용 HBM 양산 체제를 구축해 엔비디아와 공고한 협력 체제를 구축했다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 지난해 글로벌 HBM3 시장에서 SK하이닉스는 점유율 53%로 1위, 삼성전자는 38%로, 양사 점유율 격차는 15%p를 나타냈다. ■HBM3E 12단도 퀄 테스트 통과 기대삼성전자는 HBM3에 이어 HBM3E 퀄 테스트 통과에 총력을 쏟고 있다. 생성형 AI 열풍으로 폭발적으로 늘어나고 있는 상황에서 업계 첫 엔비디아향 HBM3E 12단 납품에 성공할 경우 단숨에 시장 주도권을 확보할 기회를 잡을 것으로 예상된다. 삼성전자는 지난 2월 36GB 용량의 HBM3E 12단 제품을 세계 최초로 개발한 후 현재 엔비디아 퀄 테스트를 진행 중이다. SK하이닉스는 지난 3월 말부터 대량 양산해 엔비디아에 공급하고 있는 HBM3E 제품은 8단이다. SK하이닉스도 올해 3·4분기 HBM3E 12단 양산에 나서 양사 간 주도권 경쟁이 심화될 전망이다. 성능과 용량이 향상되는 차세대 AI 칩에는 더 많은 HBM을 필요로 한다. 엔비디아의 주력 AI 가속기인 'H200'에는 HBM3E 6개가 탑재되는데, 올 3·4분기 출시될 차세대 GPU 블랙웰 기반 'B100'에는 HBM3E 8개가 들어간다. 엔비디아 역시 삼성전자의 공급망 편입이 필요한 상황이다. HBM 수요가 공급을 훌쩍 뛰어넘는 공급자 우위 시장을 맞아 SK하이닉스 의존도를 낮춰 가격 협상력을 높이는 동시에 안정적 제품 수급을 기대할 수 있기 때문이다. 삼성전자는 최근 일부 외신에서 제기된 엔비디아 HBM3E 납품 테스트 실패 보도를 적극 반박하는 등 HBM3E 퀄 테스트 통과에 자신감을 보이고 있다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자