삼성전자가 평택캠퍼스 증설에 맞춰 이번 3·4분기 중 반도체 장비 발주를 진행한다. SK하이닉스는 새 반도체 생산기지인 청주 M15X에 대한 투자집행에 속도를 높일 계획이다. 이처럼 삼성전자와 SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 수요 확대에 대응해 생산능력 확대 경쟁에 돌입했다. 글로벌 HBM 시장 주도권을 둘러싼 양사의 HBM 투자경쟁이 본격화된 것으로 관측된다. 5일 반도체 업계에 따르면 삼성전자는 최근 선단 D램 신공장인 경기 평택 P4 공장의 건설공사를 재개한 데 이어 3·4분기 중 해외 장비업체들에 노광장비, 식각장비 등 핵심 장비를 주문할 계획이다. 이어 4·4분기부터는 클린룸(반도체 제조실) 장비와 공정자동화 장비, 전공정 장비, 검사장비, 후공정 장비 순으로 투자를 집행한다. 삼성전자의 하반기 장비 반입과 생산능력 확대는 내년부터 수요가 본격화될 HBM4 생산을 위한 6세대(1c) D램 공정에 초점이 맞춰져 있다. HBM4는 입출력단자 수가 앞 세대인 HBM3E(5세대) 대비 2배 이상 늘어나면서 반도체 칩 면적이 20% 이상 커진다. 수율(정상제품 비율) 확보를 위해서는 현재 HBM3E보다 더 많은 양의 웨이퍼가 투입된다. 생산능력 확보가 HBM4 경쟁의 핵심인 셈이다. 이에 따라 삼성전자는 내년 말까지 평택 P4 라인에서 월 6만장 이상의 웨이퍼 생산이 가능하게 하겠다는 목표다. 더불어 반도체 라인 개편도 병행하고 있다. 삼성전자는 현재 구형 메모리를 생산 중인 화성공장 H1 라인을 후공정(BEOL) 전용으로 전환했다. 이와 관련해 기존 생산인력 전환배치를 마쳤고, 최근에는 하이브리드 본딩설비 도입도 본격화했다. 하이브리드 본딩은 구리로 D램과 D램을 바로 붙이는 기술로, HBM 두께를 더 얇게 구현할 수 있어 차세대 고성능 패키지 핵심 기술로 꼽힌다. HBM4E부터는 하이브리드 본딩기술이 필수적일 것이란 전망이 나온다. 현재 글로벌 HBM 시장 1위를 달리고 있는 SK하이닉스도 투자 움직임을 가속화하고 있다. 증권가에 따르면 SK하이닉스의 HBM 생산능력은 올해 말까지 월 17만장, 내년 말까지는 월 22만장 수준으로 확대될 전망이다. 하반기 중 청주 M15X 공장에 대한 설비투자를 본격화하며, 월 5만장 이상 생산능력을 추가로 확보할 계획이다. 기존 M16 증설도 계속하고 있고, 선단 HBM 핵심인 1b(5세대) D램 캐파도 확대할 예정이다. '인공지능(AI) 전환기' 양사가 승부수를 띄웠다는 분석이 나온다. 실제 내년부터 엔비디아, AMD, 구글 등 주요 고객사들이 HBM4 기반 AI 반도체를 양산하는 만큼 선제적 생산능력 확충이 중요해졌다. SK하이닉스와 삼성전자 모두 올 상반기 주요 고객사들에 HBM4 시제품(샘플)을 전달한 상태다. 반도체 업계 관계자는 "글로벌 AI 인프라 투자가 국가 단위로 확산하면서 첨단 메모리 수요가 급격히 늘고 있다"며 "선제적 투자 없이는 자칫하면 글로벌 HBM 시장에서 배제될 수 있다는 위기감이 팽배하다"고 말했다. soup@fnnews.com 임수빈 강경래 기자

삼성전자가 차세대(6세대) 고대역폭메모리(HBM) 제품인 HBM4 개발을 완료, '6월 말 7월 초' 글로벌 주요 고객사들에 HBM4 샘플(시제품)을 전달했다. 글로벌 HBM 시장에서 선두에 선 SK하이닉스가 지난 3월 업계 처음으로 HBM4 샘플을 공급한 데 이어 약 3개월 간격으로 삼성전자도 본격 HBM4 경쟁궤도로 올라선 것이다. 내년부터 본격화될 HBM4 시장을 향해 삼성 반도체가 대추격전의 고삐를 바짝 조일 것으로 전망된다. 삼성전자는 31일 2·4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "10나노(1㎚=10억분의 1m)급 D램 '1c 공정'의 양산 전환 승인을 완료했고, 이를 기반으로 HBM4 제품 개발도 완료해 주요 고객사들에 샘플을 출하했다"고 밝혔다. 미국 마이크론테크놀로지(6월)와 거의 비슷한 시기에 삼성전자도 엔비디아 등 고객사들에 HBM4 시제품을 보낸 것으로 파악된다. 엔비디아는 내년 공식 출시할 차세대 그래픽처리장치(GPU)인 '루빈'과 AI 가속기부터 HBM4를 탑재하겠다고 밝힌 상태다. 삼성전자는 개발을 마친 HBM4에 대해 "최신의 미세 논리회로 공정 적용 및 설계 최적화로 HBM3E(5세대) 대비 성능 및 에너지효율을 크게 개선했다"며 "2026년 HBM4 수요 본격화에 맞춰 적기에 공급을 늘려나갈 예정"이라고 말했다. 2·4분기 삼성전자의 HBM 판매량(HBM3·HBM3E 등)은 전 분기 대비 30% 증가한 상태다. 전체 HBM 수량 중 HBM3E가 차지하는 비중도 하반기에는 90%까지 늘린다는 목표다. 엔비디아에 대한 HBM3E 공급 소식은 들리지 않고 있으나, AMD(HBM3E 12단)와 브로드컴(HBM3E 8단)에는 납품하고 있는 것으로 파악된다. 침체상태였던 파운드리(반도체 위탁생산) 사업도 최근 활기를 띠는 모습이다. 삼성전자는 테슬라와의 22조8000억원 규모 인공지능(AI) 반도체칩 위탁생산 계약을 시작으로 실적 반등에 속도를 내겠다는 입장이다. 내년엔 미국 텍사스주 테일러 신공장(파운드리 공장)에 대한 투자도 확대한다. 삼성전자는 상반기 실적 바닥을 끝으로 하반기부터는 실적 반등에 나선다는 목표다. 지난 2·4분기 삼성전자의 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문의 매출과 영업이익은 각각 27조9000억원, 4000억원으로 집계(확정실적)됐다. 반도체 부문의 영업이익은 2조원대 적자를 기록한 2023년 4·4분기 이후 최저다. ehcho@fnnews.com 조은효 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 차세대(6세대) 고대역폭 메모리(HBM)제품인 HBM4 개발을 완료, '6월말 7월초' 글로벌 주요 고객사들에게 HBM4 샘플(시제품)을 전달했다. 글로벌 HBM 시장에서 선두에 선 SK하이닉스가 지난 3월 업계 처음으로 HBM4 샘플을 공급한 데 이어 약 3개월 간격으로, 삼성전자도 본격 HBM4 경쟁궤도로 올라선 것이다. 내년부터 본격화될 HBM4 시장을 향해 삼성 반도체가 대추격전의 고삐를 바짝 조일 것으로 전망된다.  삼성전자는 7월 31일 2·4분기 실적발표 컨퍼런스콜에서 "10나노(나노·1㎚=10억분의 1m)급 D램 '1c 공정'의 양산 전환 승인을 완료했고, 이를 기반으로 HBM4 제품 개발도 완료해 주요 고객사들에게 샘플을 출하했다"고 밝혔다. 미국 마이크론테크놀로지(6월)와 거의 비슷한 시기에 삼성전자도 엔비디아 등 고객사들에게 HBM4 시제품을 보낸 것으로 파악된다. 엔비디아는 내년 공식 출시할 차세대 그래픽 처리장치(GPU)인 '루빈'과 AI가속기부터 HBM4를 탑재하겠다고 밝힌 상태다.  삼성전자는 개발을 마친 HBM4에 대해 "최신의 미세 논리회로 공정 적용 및 설계 최적화로 HBM3E(5세대)대비 성능 및 에너지 효율을 크게 개선했다"며 "2026년 HBM4 수요 본격화에 맞춰 적기에 공급을 늘려나갈 예정"이라고 말했다.  #OBJECT0# 2·4분기 삼성전자의 HBM 판매량(HBM3·HBM3E 등)는 전분기 대비 30%증가한 상태다. 전체 HBM 수량 중 HBM3E가 차지하는 비중도 하반기에는 90%까지 늘린다는 목표다. 엔비디아에 대한 HBM3E 공급소식은 들리지 않고 있으나, AMD(HBM3E 12단)와 브로드컴(HBM3E 8단)에는 납품하고 있는 것으로 파악된다.   침체상태였던 파운드리(반도체 위탁생산)사업도 최근 활기를 띠는 모습이다. 삼성전자는 테슬라와의 22조8000억원 규모의 인공지능(AI) 반도체칩 위탁생산 계약을 시작으로, 실적 반등에 속도를 내겠다는 입장이다. 내년엔 미국 텍사스주 테일러 신공장(파운드리 공장)에 대한 투자도 확대한다.  삼성전자는 상반기 실적 바닥을 끝으로, 하반기부터는 실적 반등에 나선다는 목표다. 지난 2·4분기 삼성전자의 반도체 사업을 담당하는 디바이스솔루션(DS)부문의 매출과 영업이익은 각각 27조9000억원, 4000억원으로 집계(확정실적)됐다. 반도체 부문의 영업이익은 2조원대 적자를 기록한 2023년 4·4분기 이후 최저다. 한편, 이날 박순철 삼성전자 최고재무책임자(CFO·부사장)는 한미 관세협상 타결에 대해 "양국 추가 논의 과정(반도체 품목 관세)을 예의주시하고 이에 맞춰 대응 방안을 마련할 것"이라고 밝혔다. 미국의 반도체에 대한 품목관세는 이번 상호관세 협상과 별개로, 8월 중순께 발표될 전망이다.  ehcho@fnnews.com 조은효 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 7월 31일 올해 2·4분기 실적 컨퍼런스콜에서 "2·4분기 당사 고대역폭메모리(HBM) 판매량은 비트 기준으로 전분기대비 30% 증가했고 전체 HBM 비중 중 HBM3E(5세대)가 차지하는 비중은 80% 후반까지 확대됐다"며  "HBM 사업을 정상화하는 것을  목표로 하반기에 HBM3E 판매량을 상반기 대비 상당 수준 증대해 갈 계획이고, 고객사별 양산 승인 완료와 함께 수요를 지속적으로 확보해나가고 있다"고 전했다.  이어 "HBM3E 판매 비중 90% 후반 수준을 상회할 것으로 예상된다"고 했다.  6세대인 HBM4 관련해선 "10나노(나노·1㎚=10억분의 1m)급 D램 1c 공정의 양산 전환 승인을 완료했고, 이를 기반으로 HBM4 제품 개발을 완료해서 주요 고객사들에게 샘플 이미 출하했다"고 말했다.  그러면서 "당사는 HBM4 베이스 다이의 선단 로직 공정을 적용하고 설계를 최적화 해서 HBM3E 대비 성능 및 에너지 효율을 크게 개선했다"며 "2026년 HBM4 수요 본격화에 맞춰 적기에 공급을 늘려나갈 예정이고, 이를 위해 1c 나노 캐파 확대에 필요한 투자를 지속 집행해 나가고 있다"고 덧붙였다.  soup@fnnews.com 임수빈 조은효 기자

[파이낸셜뉴스] "이미 '플럭스리스본더'를 수주한 뒤 연내 거래처에 납품할 예정입니다." 김정영 한미반도체 부사장은 30일 서울 여의도에서 진행한 기업설명회에서 이같이 밝혔다. '플럭스리스'는 고대역폭메모리(HBM) 공정에서 D램 메모리반도체끼리 붙일 때 쓰이는 소재 일종인 '플럭스'를 없앤 공정을 말한다. 현재 SK하이닉스, 미국 마이크론 등이 양산을 준비 중인 차세대 HBM 제품 'HBM4'에 플럭스리스 공정이 적용될 가능성이 높다. HBM4는 기존 8개 D램 메모리반도체를 쌓아 올리는 HBM3보다 4개 더 많은 12개 D램을 쌓아 올려야 한다. 이 과정에서 두께를 얇게 구현하기 위해 플럭스를 없애려는 작업이 한창이다. 한미반도체는 HBM에서 열과 압력을 이용해 D램과 D램을 정밀하게 붙이는 열압착장비(TC본더) 분야에서 전 세계 시장 1위 자리를 이어간다. 한미반도체는 TC본더 시장장악력을 앞세워 올해 2·4분기에도 기록적인 실적을 이어갔다. 매출액과 영업이익이 각각 전년 동기보다 46%, 56% 늘어난 1800억원, 863억원이었다. 이익률은 48%에 달했다. 한미반도체는 TC본더와 함께 플럭스리스본더를 앞세워 HBM4 시장에서도 선두 입지를 확고히 한다는 전략이다. 실제로 한미반도체는 HBM4 공정에 적용할 수 있는 TC본더 장비인 'TC본더4'를 최근 출시하기도 했다. 김 부사장은 "HBM4 본더를 양산 검증 중인 곳은 자사와 함께 해외 장비기업까지 2곳 뿐"이라며 "자사가 해외 경쟁사에 앞서 HBM4 본더를 수주할 것"이라고 말했다. 이어 "나아가 자사가 HBM4 주문량을 독점하게 될 것"이라고 자신감을 드러냈다. 한미반도체는 국내보다 해외 시장에 더 큰 기대를 걸고 있다. 한미반도체는 현재 SK하이닉스, 마이크론 등에 TC본더를 납품 중이다. 김 부사장은 "지난 2·4분기 전체 실적 중 90%가량이 해외에서 발생했다"며 "앞으로 3∼4년 동안 해외 실적이 국내보다 클 것"이라고 내다봤다. 한미반도체는 올해 매출액을 8000억∼1조1000억원으로 전망했다. 매출액이 1조원을 넘을 경우 한미반도체가 1980년 설립된 이래로 처음 1조원을 돌파하게 된다. 지난해 매출액은 5589억원이었다. 한미반도체는 TC본더, 플럭스리스본더에 이어 하이브리드본더 등 차세대 장비에 대한 로드맵도 이 자리에서 공개했다. '하이브리드본딩'은 범프 없이 구리로 D램과 D램을 붙이는 기술로 HBM 두께를 더 얇게 구현할 수 있다. 앞으로 HBM5, HBM6 제품에 하이브리드본딩 기술이 적용될 것으로 예상된다. 김 부사장은 "하이브리드본더를 오는 2027년 출시할 예정"이라며 "D램 메모리반도체뿐만 아니라 차세대 시스템반도체(비메모리)로 주목 받는 '칩렛'에 적용할 수 있는 하이브리드본더도 선보일 예정"이라고 덧붙였다. 한편 한미반도체는 최근 인천 서구 주안국가산업단지에 1000억원을 들여 연면적 1만4570㎡ 규모로 '하이브리드 본더 팩토리'를 건설한다고 발표했다. 내년 하반기 완공을 목표로 한다. 이번 투자로 한미반도체는 총 8만9530㎡ 규모 생산라인을 갖추게 된다. butter@fnnews.com 강경래 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 24일 열린 올해 2·4분기 실적 설명회에서 "6세대 고대역폭메모리(HBM)4는 저전력 성능을 위한 디자인 변화, 베이스 다이의 로직 프로세스 적용 등 기술적으로 많은 변화가 있는 제품"이라며 "HBM4는 원가 상승을 고려한 가격 정책을 최대한 반영할 수 있도록 하고 있다"고 밝혔다. 그러면서 "현재의 수익성을 유지하는 선에서 고객과 최적의 가격 수준을 형성, 인공지능(AI) 시장을 활성화하겠다"고 덧붙였다. kjh0109@fnnews.com 권준호 기자

[파이낸셜뉴스] 한미반도체가 차세대 인공지능(AI) 반도체 고대역폭메모리(HBM4) 전용 장비 'TC본더4' 양산에 돌입했다. 4일 한미반도체에 따르면 TC본더4는 지난 5월 프로토타입으로 출시한 장비로 올해 하반기부터 본격적인 공급에 나선다. 글로벌 HBM 제조사들은 하반기 HBM4 양산을 앞두고 있다. 한미반도체 TC본더4는 고도의 정밀도를 요구하는 HBM4 특성에 맞춰 이전 장비와 비교해 정밀도를 대폭 향상시키는 동시에 적층된 HBM의 구조적인 안정성을 높이는데 핵심적인 역할을 한다. 또한 소프트웨어 기능도 업그레이드 돼 사용자 편의성도 크게 개선했다. 업계 일각에선 HBM4 생산을 위해 차세대 본딩 기술이 필요하다는 시각이 있었다. 하지만 한미반도체는 기존 TC본더 성능을 대폭 강화하고 새로운 본딩 기술을 적용해 HBM4 생산이 가능하도록 하는데 성공했다. 또한 TC본더4 장비는 HBM 제조사 입장에서 플럭스리스와 하이브리드 본더와 비교해 구매 단가를 낮출 수 있어 유리하다. 6세대 HBM4는 기존 5세대(HBM3E)와 비교해 속도가 60% 향상되고 전력소모량은 70% 정도 낮아지는 등 성능을 혁신적으로 개선했다. 최대 16단까지 적층이 가능하며, D램 당 용량도 24Gb에서 32Gb로 확장됐다. 데이터 전송 통로인 실리콘관통전극(TSV) 인터페이스 수도 이전 세대 대비 2배인 2048개로 증가해 프로세서와 메모리 간 데이터 전송 속도가 크게 향상됐다. 한미반도체 관계자는 "당사는 TC본더4가 글로벌 메모리반도체 기업들의 HBM4 양산 계획에 차질 없이 대응할 수 있도록 대량 생산 시스템을 구축했다"며 "이번 HBM4 전용 장비 공급을 통해 글로벌 AI 반도체 시장에서 선도적 지위를 유지할 것”이라고 말했다. butter@fnnews.com 강경래 기자

삼성전자가 하반기 메모리 사업 경쟁력 강화를 위해 신임 메모리사업부장 선임과 고대역폭메모리(HBM) 제품 경쟁력 제고를 위한 패키징 조직 개편 등 대대적인 수술에 나선다. 33년 만에 글로벌 D램 시장점유율 1위를 경쟁사에 내주는 등 반도체(DS) 핵심인 메모리 사업에 대한 위기감이 반영된 조치로 풀이된다. 특히 향후 HBM 시장의 게임 체인저가 될 HBM4(6세대) 양산을 앞두고 전열을 재정비하는 분위기다. ■신임 메모리사업부장 인선 검토 2일 업계에 따르면 삼성전자 DS부문은 최근 메모리사업부장 인선을 검토한 것으로 파악됐다. 현재 메모리사업부장은 전영현 DS부문장이 겸직하고 있지만, 다른 경영진이 자리를 채울 것이란 관측이 따른다.  업계 관계자는 "지난해 연말 인사로 메모리사업부가 대표이사 직할 체제로 전환돼 전 부문장이 직접 챙기며 기틀을 잡았다"면서 "현재 메모리 사업 집중 강화를 위해 내부에서 여러 인사를 검토하고 있는 것으로 안다"고 말했다. 인사 검토와 함께 7월 조직 개편도 본격화되고 있다. 핵심은 차세대 HBM 경쟁력 강화로, 삼성전자는 우선 패키징 조직 손질에 나선다. HBM 제품 경쟁력의 마지막 고리인 '패키지 완성도'를 끌어올리겠다는 전략이다. 대표적으로 반도체연구소 산하 S.PKG(구 어드밴스드 패키징·AVP) 조직 인력을 일선 사업부 및 TSP(테스트 앤 시스템 패키지) 총괄에 재배치할 전망이다. 이는 전 공정의 유기적 연결과 시너지 확보를 위한 조치다. 삼성전자는 지난 6월말 HBM4 코어다이에 해당하는 10나노급 6세대(1c) D램의 양산 승인(PRA)을 마친 상태다. PRA는 회사 내부 기준을 충족한 것으로 양산 직전 단계를 의미한다. SK하이닉스는 D1b D램을 HBM4에 적용할 예정이지만, 삼성전자는 D1c D램으로 반전을 노릴 계획이다. 하반기 양산을 목표로 최선단 D램 수율(양품 비율) 잡기부터 패키징 단계까지 전담 조직과 인력을 보강하며 HBM4 총력전에 나서는 모양새다. ■"HBM4 승기 잡아야" 내부 절박함 이같은 움직임은 차세대 HBM 시장의 '골든타임'을 놓치지 않기 위한 삼성의 절박함이 반영된 것으로 해석된다. 글로벌 시장조사업체 카운터포인트리서치에 따르면 올해 1·4분기 D램 시장에서 SK하이닉스가 매출액 기준 점유율 36%를 차지했으며, 삼성전자가 34%, 마이크론이 25%로 그 뒤를 쫓은 것으로 나타났다. D램 점유율에서 SK하이닉스가 삼성전자를 앞선 것은 올 1·4분기가 처음이다. SK하이닉스가 HBM 시장에서 1위를 굳히며 순위가 반전된 셈이다. 차세대 HBM4 시장에서도 SK하이닉스의 선두 기조가 이어질 가능성이 크다는 분석이 나온다. 메모리 업계 3등인 미국 마이크론 마저도 삼성전자보다 한 발 앞서 HBM4 샘플 공급에 나선 것으로 알려져 내부적으로 위기감이 더 고조된 상황이다. 한 업계 관계자는 "양산 시기와 고객 대응에서 한 발만 늦어져도 시장 주도권을 빼앗길 수 있다는 위기감이 큰 상태"라며 "이번 조직 손질 및 인사 검토는 단기 성과를 끌어올릴 수 있는 실질적 대응력 확보에 방점이 찍힐 것"이라고 설명했다. soup@fnnews.com 임수빈 김준석 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 10나노급 6세대(1c) D램 개발을 완료하며 고대역폭메모리(HBM) 차세대 제품 'HBM4' 양산을 향한 발판을 마련했다.  6월 30일 업계에 따르면 삼성전자는 이날 1c D램 개발에 성공해 양산 승인(PRA)을 마친 것으로 확인됐다. PRA는 회사 내부 기준을 충족한 것으로 양산 직전 단계를 의미한다.  10나노급 D램 공정은 1x(1세대)-1y(2세대)-1z(3세대)-1a(4세대)-1b(5세대)-1c(6세대) 순으로 개발되고 있다. 다음 세대로 넘어갈수록 반도체 회로 선폭이 좁아져 성능 및 에너지 효율이 높아진다. 삼성전자는 2022년 12월 5세대(1b) D램을 개발하고 이듬해 5월 양산을 발표했으며, 이후 약 2년이 지나 이번에 6세대 개발에 성공한 것이다.  삼성전자는 1c D램을 사용한 HBM4를 개발 중이며, 하반기 양산이 목표다. 이보다 한 세대 이전인 1b D램을 사용해 HBM4를 만드는 SK하이닉스에 앞서 나가기 위한 전략으로 풀이된다. SK하이닉스는 지난 3월 HBM4 샘플을 이미 고객사에 제공했고, 하반기 양산이 목표다. 삼성전자가 1c D램 개발을 완료한 만큼 하반기 중 HBM4 샘플 제공과 엔비디아 퀄(품질) 테스트 통과가 가능할지 관심이 몰리고 있다. 삼성전자는 HBM3E(5세대) 12단의 엔비디아 퀄 테스트 통과도 기다리는 중이다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

#OBJECT0#[파이낸셜뉴스] '메모리 업계 3등'인 미국 마이크론이 삼성전자보다 한 발 앞서서 6세대 고대역폭 메모리(HBM)4 샘플 공급에 나섰다. SK하이닉스에 이어 두 번째다. 구체적인 고객사 명을 밝히지는 않았지만, 업계는 여기에 글로벌 반도체 업체 엔비디아가 포함됐을 것으로 보고 있다. HBM 시장 추격에 나선 삼성전자의 압박이 커지고 있는 상황이다.  ■"전 세대 比 성능 60%, 전력 효율 20% 향상"마이크론은 10일(현지시간) 주요 고객사에 HBM4 36기가바이트(GB) 12단 샘플을 공급했다고 공식 발표했다. 이전 세대 대비 성능이 60% 향상됐으며, 전력효율도 20% 개선된 제품이다. 빠른 통신과 고처리량 설계를 통해 연쇄 추론 시스템의 성능을 개선한 점, 10나노급 5세대(1b) D램을 쌓아 만든 점 등도 특징이다. 마이크론은 "샘플 공급으로 인공지능(AI) 애플리케이션을 위한 메모리 성능 및 전력 효율성 분야에서 선도적인 입지를 더욱 공고히 하게 됐다"고 자신했다.  엔비디아 공급 가능성이 주목되는 상황이다. 샘플 테스트가 통과된다면, 엔비디아가 올해 3월 연례 개발자 콘퍼런스 'GTC 2025'에서 밝힌 '루빈'에 장착될 수 있다. 루빈은 엔비디아 AI 칩 가운데 HBM4가 처음 사용되는 제품으로 내년 하반기 출시를 앞두고 있다. 마이크론은 현재 엔비디아에 5세대 HBM, HBM3E도 공급하고 있다. 마이크론의 HBM4 샘플 출하에 대응한 SK하이닉스, 삼성전자의 행보도 주목되고 있다. SK하이닉스는 올해 3월 엔비디아 등에 HBM4 샘플을 공급했지만 아직 양산에 돌입하지는 않았다. SK하이닉스는 올해 하반기 양산을 개시한다는 계획이다. 업계는 마이크론이 샘플 제품을 납품한 만큼 양산에도 속도가 붙을 것으로 보고 있다. 마이크론이 양산에 성공할 경우 SK하이닉스의 점유율은 낮아질 수밖에 없다. ■HBM3E도 급한 삼성전자, 잰걸음 주목  업계의 시선은 삼성전자로 향하고 있다. 삼성전자는 아직 엔비디아에 HBM3E 품질 인증(퀄 테스트)도 공급하지 못하고 있는 상황이다. 당초엔 이달 중으로 퀄 테스트를 통과할 수 있다는 관측이 나왔지만, 쉽지 않다는 게 중론이다. 최근 삼성전자 반도체(DS)부문 내부 회의에서도 "6월 (엔비디아) 퀄 테스트는 어려울 것 같다"는 우려가 제기된 것으로 전해졌다. 삼성전자는 현재 HBM3E와 HBM4를 동시 개발하고 있다. 특히 HBM4에는 D1b보다 한 단계 개선된 10나노급 6세대(1c) D램을 활용할 예정인데, 아직 HBM3E의 퀄 테스트도 통과하지 못한 만큼 자칫 잘못하면 두 마리 토끼를 다 놓칠 수 있다는 지적도 나온다. 업계 관계자는 "삼성전자의 HBM3E 엔비디아 퀄 테스트가 올해 4·4분기로 밀릴 수 있다는 이야기도 나오고 있다"며 "HBM4가 향후 주류 제품이 될 가능성이 높기 때문에 좀 더 빠른 대처가 필요해 보인다"고 전했다. 한편, 시장조사업체 옴디아에 따르면 올해 1·4분기 전 세계 D램 점유율은 SK하이닉스 1위(36.9%), 삼성전자 2위(34.4%), 마이크론 3위(25%) 순이다.  kjh0109@fnnews.com 권준호 기자