젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 최태원 SK그룹 회장을 만나 HBM4 공급 일정을 6개월 앞당겨 달라고 요청하는 등 SK하이닉스와 엔비디아의 관계가 더욱 깊어지고 있다. SK하이닉스는 엔비디아에 사실상 고대역폭 메모리(HBM)를 독점 공급하고 있는데, HBM3·HBM3E에 이어 맞춤형(커스텀) 제품인 HBM4(6세대)까지 SK하이닉스가 공급하기로 한 것이다. SK그룹은 또 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 TSMC와도 파트너십을 공고히할 방침이다. 아울러 글로벌 협업을 통해 인공지능(AI) 발전을 막는 다양한 보틀넥(병목현상)을 해소하겠다는 목표다. ■SK-엔비디아-TSMC 삼각동맹 견고히 최 회장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024'에서 최근 젠슨 황 CEO와 만났던 에피소드를 소개하며 "젠슨 황 CEO는 뼛속까지 엔지니어인데 마치 한국인 같다"면서 "빨리빨리 일정을 앞당기길 원한다"고 말했다. 그러면서 "엔비디아는 새로운 그래픽처리장치(GPU)가 나올 때마다 SK하이닉스에 더 많은 HBM을 요구하고, 합의된 일정도 항상 앞당겨 달라고 요청한다"며 "지난번 젠슨 황과 만났을 때 HBM4 공급을 6개월 당겨달라고 했다"고 소개했다. 최 회장은 "곽노정 SK하이닉스 사장에게 '가능하겠냐'고 물었더니 최대한 해보겠다고 하더라"고 웃으며 말했다. SK하이닉스는 엔비디아에 지난 3월 HBM 5세대인 HBM3E 8단을 업계 최초로 납품하기 시작한 데 이어 지난달 HBM3E 12단 제품을 세계 최초로 양산을 시작해 4·4분기 출하할 계획이다. 48기가바이트(GB)가 구현된 16단 HBM3E을 개발 중이며, 내년 초 샘플을 공급할 예정이다. HBM4 12단 제품은 내년 출하하고 오는 2026년 수요 발생 시점에 맞춰 HBM4 16단 제품 출시도 준비한다는 목표다. 젠슨 황 CEO는 이날 영상 메시지에서 "SK하이닉스와 엔비디아가 함께한 HBM메모리 덕분에 무어의 법칙을 뛰어넘는 진보를 지속할 수 있었다"며 "더 넓은 메모리 대역폭으로 나아갔을 뿐만 아니라 더 높은 에너지 효율성을 달성했기 때문"이라고 전했다. 이어 "HBM 메모리의 기술 개발 및 제품 출시 속도는 매우 훌륭하다"면서도 "하지만 솔직히 말하면 더 많이 필요하고, SK하이닉스의 공격적인 제품 출시 계획이 빠르게 실현되는 것이 필요하다"고 했다. TSMC와의 동맹도 강화될 전망이다. SK하이닉스는 HBM4부터 '베이스 다이'에 로직 공정을 도입한다. 곽노정 SK하이닉스 CEO는 이날 베이스 다이 관련 "글로벌 1위 파운드리 협력사와의 원팀 파트너십을 기반으로 고객에게 최고의 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하겠다"고 거듭 강조했다. ■"파트너와 협업, AI 병목현상 해결" 이 같은 노력을 통해 SK는 궁극적으로 AI 병목현상을 해소하겠다는 목표다. 최 회장이 꼽은 주요 병목현상은 △투자를 회수할 대표 '유스 케이스(사용 사례)'의 부재 △AI 가속기 및 반도체 공급 부족 △AI 인프라 가동에 쓰이는 에너지(전력) 공급 문제 등이다. 그는 "SK와 파트너들의 다양한 솔루션을 묶어 AI의 병목현상을 해결하고 좀 더 좋은 AI가 우리 생활에 빨리 올 수 있도록, 글로벌 AI 혁신을 가속화하는데 기여하겠다"고 했다. SK는 마이크로소프트(MS)와 AI 데이터센터 및 에너지 솔루션 관련 협업을 논의하는 등 빅테크사와 파트너십도 이어가는 중이다. 이날 현장에서는 주요 계열사가 추진하고 있는 AI 관련 사업 현황도 발표됐다. SK텔레콤(SKT)은 전국에 'AI 고속도로'를 깔며 AI 인프라 확충에 속도를 낼 예정이다. 오는 12월 판교 테스트베드를 시작으로 지역 거점마다 기가와트(GW)급 AI 데이터센터를 구축한다. 또 리벨리온의 신경망처리장치(NPU), SK하이닉스의 HBM 등 파트너사들이 보유한 AI 데이터센터 솔루션을 결합한 '한국형 소버린(주권) AI'도 구현한다. AI 인프라 기능 보완을 위해 이동통신 네트워크와 AI 컴퓨팅을 결합해 온디바이스AI 대비 대규모 AI 연산이 가능한 '에지AI' 역시 선보인다. 유영상 SKT 대표는 "'AI 인프라 슈퍼 하이웨이'를 구축해 대한민국이 AI '주요 3개국(G3)'으로 도약할 수 있도록 앞장설 것"이라고 했다. soup@fnnews.com 임수빈 장민권 기자

[파이낸셜뉴스] 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 최태원 SK그룹 회장을 만나 HBM4 공급 일정을 6개월 앞당겨 달라고 요청한 사실이 소개됐다. SK하이닉스는 엔비디아에 사실상 고대역폭 메모리(HBM)를 독점 공급하고 있는데, HBM3·HBM3E에 이어 맞춤형(커스텀) 제품인 HBM4(6세대)까지 SK하이닉스가 공급하기로 한 것이다. 최 회장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024'에서 최근 젠슨 황 CEO와 만났던 에피소드를 소개하며 "젠슨 황 CEO는 뼛속까지 엔지니어인데 마치 한국인 같다"면서 "빨리빨리 일정을 앞당기길 원한다"고 말했다. 그러면서 "엔비디아는 새로운 그래픽처리장치(GPU)가 나올 때마다 SK하이닉스에 더 많은 HBM을 요구하고, 합의된 일정도 항상 앞당겨 달라고 요청한다"며 "지난번 젠슨 황과 만났을 때 HBM4 공급을 6개월 당겨달라고 했다"고 소개했다. 최 회장은 "곽노정 SK하이닉스 사장에게 '가능하겠냐'고 물었더니 최대한 해보겠다고 하더라"고 웃으며 말했다. SK하이닉스는 엔비디아에 지난 3월 HBM 5세대인 HBM3E 8단을 업계 최초로 납품하기 시작한 데 이어 지난달 HBM3E 12단 제품을 세계 최초로 양산을 시작해 4·4분기 출하할 계획이다. HBM4 12단 제품은 내년 출하하고 오는 2026년 수요 발생 시점에 맞춰 HBM4 16단 제품 출시도 준비한다는 목표다. 젠슨 황 CEO는 이날 영상 메시지에서 "SK하이닉스와 엔비디아가 함께한 HBM메모리 덕분에 무어의 법칙을 뛰어넘는 진보를 지속할 수 있었다"며 "더 넓은 메모리 대역폭으로 나아갔을 뿐만 아니라 더 높은 에너지 효율성을 달성했기 때문"이라고 전했다. 이어 "HBM 메모리의 기술 개발 및 제품 출시 속도는 매우 훌륭하다"면서도 "하지만 솔직히 말하면 더 많이 필요하고, SK하이닉스의 공격적인 제품 출시 계획이 빠르게 실현되는 것이 필요하다"고 했다. 최 회장은 이날 기조연설에 나서 "SK는 반도체부터 에너지, 데이터센터 구축 및 운영, 통신까지 전부 커버가 가능한 전 세계에서 흔치 않은 기업"이라고 강조했다. 그러면서 SK와 글로벌 빅테크 기업과의 협력 현황을 소개했다. 사티아 나델라 MS 최고경영자(CEO)와 젠슨 황 엔비디아 CEO 등 SK와 협력 중인 주요 빅테크 기업 대표들이 영상으로 등장해 SK와 파트너십의 중요성에 관해 이야기했다. 나델라 CEO는 "SK와 파트너십을 중요하게 생각하고 있고, SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM)를 MS 데이터센터에 적용한 것부터 시작해 MS 패브릭을 통해 진행한 SK그룹 전반의 데이터 혁신까지 앞으로도 우리의 파트너십은 계속될 것”이라고 했다. 한편, SK AI 서밋은 SK 그룹 차원으로 매년 개최해왔던 행사로, 올해는 대규모 글로벌 행사로 확대했다. 이번 서밋에서는 AI 전 분야의 글로벌 대가들이 모여 범용인공지능(AGI) 시대의 공존법을 논의하고 AI 전 분야에 대한 생태계 강화 방안을 모색한다. psy@fnnews.com 박소연 기자

[파이낸셜뉴스] 젠슨 황 엔비디아 최고경영자(CEO)가 최태원 SK그룹 회장을 만나 HBM4 공급 일정을 6개월 앞당겨 달라고 요청한 사실이 소개됐다. SK하이닉스는 엔비디아에 사실상 고대역폭 메모리(HBM)를 독점 공급하고 있는데, HBM3·HBM3E에 이어 맞춤형(커스텀) 제품인 HBM4(6세대)까지 SK하이닉스가 공급하기로 한 것이다. 최 회장은 4일 오전 서울 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋 2024'에서 최근 젠슨 황 CEO와 만났던 에피소드를 소개하며 "젠슨 황 CEO는 뼛속까지 엔지니어인데 마치 한국인 같다"면서 "빨리빨리 일정을 앞당기길 원한다"고 말했다. 그러면서 "엔비디아는 새로운 그래픽처리장치(GPU)가 나올 때마다 SK하이닉스에 더 많은 HBM을 요구하고, 합의된 일정도 항상 앞당겨 달라고 요청한다"며 "지난번 젠슨 황과 만났을 때 HBM4 공급을 6개월 당겨달라고 했다"고 소개했다. 최 회장은 "곽노정 SK하이닉스 사장에게 '가능하겠냐'고 물었더니 최대한 해보겠다고 하더라"고 웃으며 말했다. SK하이닉스는 엔비디아에 지난 3월 HBM 5세대인 HBM3E 8단을 업계 최초로 납품하기 시작한 데 이어 지난달 HBM3E 12단 제품을 세계 최초로 양산을 시작해 4·4분기 출하할 계획이다. HBM4 12단 제품은 내년 출하하고 오는 2026년 수요 발생 시점에 맞춰 HBM4 16단 제품 출시도 준비한다는 목표다. 젠슨 황 CEO는 이날 영상 메시지에서 "SK하이닉스와 엔비디아가 함께한 HBM메모리 덕분에 무어의 법칙을 뛰어넘는 진보를 지속할 수 있었다"며 "더 넓은 메모리 대역폭으로 나아갔을 뿐만 아니라 더 높은 에너지 효율성을 달성했기 때문"이라고 전했다. 이어 "HBM 메모리의 기술 개발 및 제품 출시 속도는 매우 훌륭하다"면서도 "하지만 솔직히 말하면 더 많이 필요하고, SK하이닉스의 공격적인 제품 출시 계획이 빠르게 실현되는 것이 필요하다"고 했다. 최 회장은 이날 기조연설에 나서 "SK는 반도체부터 에너지, 데이터센터 구축 및 운영, 통신까지 전부 커버가 가능한 전 세계에서 흔치 않은 기업"이라고 강조했다. 그러면서 SK와 글로벌 빅테크 기업과의 협력 현황을 소개했다. 사티아 나델라 MS 최고경영자(CEO)와 젠슨 황 엔비디아 CEO 등 SK와 협력 중인 주요 빅테크 기업 대표들이 영상으로 등장해 SK와 파트너십의 중요성에 관해 이야기했다. 나델라 CEO는 "SK와 파트너십을 중요하게 생각하고 있고, SK하이닉스의 고대역폭메모리(HBM)를 MS 데이터센터에 적용한 것부터 시작해 MS 패브릭을 통해 진행한 SK그룹 전반의 데이터 혁신까지 앞으로도 우리의 파트너십은 계속될 것”이라고 했다. 한편, SK AI 서밋은 SK 그룹 차원으로 매년 개최해왔던 행사로, 올해는 대규모 글로벌 행사로 확대했다. 이번 서밋에서는 AI 전 분야의 글로벌 대가들이 모여 범용인공지능(AGI) 시대의 공존법을 논의하고 AI 전 분야에 대한 생태계 강화 방안을 모색한다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 31일 3·4분기 실적발표 후 진행 된 컨퍼런스콜에서 4·4분기 중 5세대 HBM3E 제품 관련 판매 확대가 가능할 것으로 전망했다. 삼성전자는 복수 고객사향 HBM3E 8단, 12단 판매 확대에 나설 것임을 밝혔다. HBM4 제품은 내년 하반기 양산을 목표로 개발 중이며 핵심인 '베이스다이'와 관련한 파운드리 파트너 선정은 고객 요구를 우선으로 유연 대응할 예정이라고말했다. 이날 삼성전자는 "HBM3E 양산 판매 중"이라면서 "주요 고객사 퀄 과정상 중요단계를 넘기며 유의미한 진전을 이뤘다"고 밝혔다. 삼성전자는 4·4분기 HBM3E 제품 판매확대가 가능할 것으로 예측했다. 복수 고객사 향으로 HBM3E 8단, 12단 모두 진입과제 늘려가며 판매 확대에 나설 것이라고 말했다. 주요 고객사들의 과제에 맞춤형 최적화된 HBM3E 제품도 추가적으로 준비하며 내년 초 고객사들과 일정을 협의 중이라고도 덧붙였다. HBM4 제품의 경우 내년 하반기 양산 목표를 밝히며 "복수 고객사들과 커스텀(맞춤형)화에 나섰다"면서 "고객사들의 만족이 중요해 베이스다이 파운드리는 고객사 요구를 우선으로 내부와 외부 관계없이 유연하게 대응할 예정"이라고 말했다. 삼성전자 파운드리 사업부 외에도 TSMC 등 경쟁사와 협력할 가능성을 열어놓았다는 뜻으로 시장은 해석했다. rejune1112@fnnews.com 김준석 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 24일 3·4분기 실적 발표 후 진행한 컨퍼런스콜에서 6세대 고대역폭메모리(HBM)인 HBM4와 관련 "예정대로 2025년 하반기 고객 출하 목표로 하고 있다"고 밝혔다. SK하이닉스는 "최고의 특성과 품질 가진 HBM 개발 위해 고객과 HBM 사전 기획 단계부터 기술적 이슈 도출하고 고객 피드백 통해 내부 베이스 라인 개선하는 등의 정합성 높이는 과정 통해 제품 완성도 높여왔다"고 설명했다. 이어 "HBM4에서는 저전력 성능 위해 새로운 스킴 적용되고 처음 로직 파운드리 활용하는 등 기술적으로 많은 변화 예상된다"면서 "기존 테스트 범위 넘어 깊이있는 기술 교류가 필요하고 당사와 파운드리 파트너사간 원팀 체계를 구축해 협업을 진행하고 있다"고 말했다. SK하이닉스는 "일반 D램과 달리 HBM은 고객 수요에 의해 생산 규모를 결정하므로 칩 사이즈 줄여 원가 낮추는 것 보다 고객 요구 수준 품질의 적기, 안정적 공급이 보다 중요하다"면서 "적기 안정적 품질 HBM4 제품 공급 위해 안정성과 양산성 검증된 1bnm 택, 어드밴스드 MR MUF 기술을 적용해서 준비중"이라고 밝혔다. rejune1112@fnnews.com 김준석 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스]  SK하이닉스가 HBM3를 넘어 곧 HBM4 시장에서 격돌을 준비하고 있다. 이에 따라 HBM4 시대에서 핵심 기술로 꼽히는 '하이브리드 본더'에 이목이 쏠리고 있는데, SK하이닉스는 한화정밀기계와 해당 본더를 공동 개발 중인 것으로 알려졌다. 8일 업계에 따르면 현재 HBM3 시장에서 절대적 강자는 SK하이닉스다. 하이닉스는 엔비디아에 HBM3E 8단을 납품하고 연내 HBM3E 12단 공급을 앞두고 있다. SK하이닉스의 5세대 HBM3E 12단 양산은 세계 최초다. 삼성전자는 SK하이닉스보다 앞서 세계 최초로 HBM3E 12단 개발에 성공했다고 지난 2월 발표했지만 실제 제품 양산 공급의 첫번째 주인공은 SK하이닉스였다. 업계는 SK하이닉스가 HBM3 시장에서 독주하고 있는 만큼 현재 진행 중인 삼성전자의 엔비디아 HBM 3E 8단, 12단 승인 평가는 추후 HBM4 시장 개화를 대비해 시장개척 의의가 더 크다는 시각이다. 이는 엔비디아 젠슨황 최고 경영자(CEO)가 올해 삼성전자 반도체 부문 경영진과의 만남에서 HBM3E 제작에 성공시 메인벤더 지위를 보장한다고 밝힌 것에서도 알 수 있다. 현재 HBM4 개발과 관련, 삼성전자는 하이브리드 본딩, SK하이닉스는 MR-MUF와 하이브리드 본딩 투 트랙 개발 중인 것으로 전해진다. 하이브리드 본딩은 기술적 난이도가 있기에 업계는 SK하이닉스가 일단 HBM4 초기 제품에 MR-MUF 방식을 적용하며 공급하고 하이브리드 본딩 적용을 꾸준히 연구 개발할 거라고 보고 있다. 하지만 결국은 SK하이닉스든 삼성전자든 어느 기업이 먼저 HBM4에 하이브리드 본딩을 성공하느냐가 HBM4 경쟁의 핵심이다. 무엇보다 엔비디아의 공급사 정책은 1차 공급사와 2차 공급사 차별이 커, MR-MUF가 적용된 HBM4와 하이브리드본딩이 적용된 HBM4는 다른 카테고리로 나눠질 수도 있다. 앞서 지난 2017년 SK하이닉스는 한미반도체와 현재 HBM3 독주에 지대한 공헌을 한 TC본더를 공동 개발을 공식화했다. SK하이닉스의 선견지명이 돋보이는 대목이다. 이후 한미반도체는 TC 본더 업체 중 유일하게 HBM부터 HBM3E까지 5세대를 전부 공급했다. 한미반도체의 초기 TC본더는 SK하이닉스에만 '몰빵' 수준으로 들어갔다. 한미반도체가 한국의 '슈퍼 을'기업이라고 불린 이유다. 현재 TC본더에 대해서는 ASMPT, 한화정밀기계 등의 경쟁사가 거론되고 있지만 한미반도체의 TC본더 수율은 여전히 독보적인 것으로 알려졌다. 사실상 경쟁자들이 나타나 점유율을 어느 정도 뺏긴다고 하더라도 TC본더 분야에서 한미반도체의 '원탑'은 지속 될 전망이다. 다만 눈에 띄는 건 하이브리드 본더에 대해서는 SK하이닉스가 공식적으로 한미반도체가 아닌 한화정밀기계와 공동개발을 공식화했다는 것이다. 실제 지난 한화 사업보고서에 따르면 SK하이닉스와 한화정밀기계의 하이브리드 본더 개발은 2021년부터 이뤄지고 있다. 한화정밀기계 역시 TC본더 보단 하이브리드 본더에서 승부수를 띄우겠다는 각오로 알려졌다. 한화 그룹사 차원에서도 해당 분야 지원을 하고 있다. 한미반도체도 하이브리드 본더를 개발 중이다. 다만 지난 2017년 SK하이닉스와의 TC본더 공동 개발과는 달리 SK하이닉스와의 공동개발을 공식화하지 않았다. 업계는 한미반도체의 고객사로 미국의 마이크론테크놀로지가 합류한 상황에 SK하이닉스 또한 한미반도체와의 협력은 유지해야한다고 봤다. 업계 관계자는 “미래 HBM4 시장 경쟁의 이면엔 하이브리드 본더 개발사들의 전쟁이 자리잡고 있다”라며 "한화정밀기계의 TC본더 기술력은 아직 한미반도체에 비해 떨어지는 것으로 알려졌지만 한미반도체에게 위협 요인이 되는 것만은 분명하다"라고 전했다. 이어 그는 "당장의 TC본더보단 추후 있을 하이브리드본더 경쟁 체제에서의 위협이 더 큰 것으로 보인다"라면서 “한화정밀기계의 하이브리드 본더 양산 성공은 SK하이닉스의 독주, 쎄메스의 성공은 삼성전자의 독주, 한미반도체의 성공은 SK하이닉스와 마이크론의 '경쟁'으로 이어질 확률이 크다”라고 언급했다. SK하이닉스, 삼성전자, 마이크론테크놀로지 뿐만 아니라 공급사인 한화정밀기계, 쎄메스, 한미반도체 모두 '더 빠른' 성공적인 개발과 양산이 절실한 이유다. 한편 업계에선 하이브리드 본더 개발 경쟁이 시간이 갈수록 더욱 더 치열해질 전망이라고 예상하고 있다. kakim@fnnews.com 김경아 기자

삼성전자 반도체(DS)부문이 고대역폭메모리(HBM) 분야 '2등 신세'에서 탈출하기 위해 6세대 HBM4에 승부수를 걸었다. 삼성전자는 5세대 HBM인 HBM3E 12단 제품 양산에 있어 SK하이닉스에 밀린 상태로, 이를 반전시킬 방안이 절실한 상황이다. 삼성전자 DS부문은 HBM4부터 HBM이 '고객맞춤형' 성격이 강해지는 것을 겨냥, '커스텀 HBM' 조직을 꾸리고 반전에 나서겠다는 전략이다. 3일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 DS부문은 HBM3E 승인작업과 별개로 새로운 격전지로 떠오를 6세대 HBM4 선점을 위해 메모리사업부 'HBM 개발팀' 산하에 '커스텀 HBM' 그룹을 두고 고객맞춤형 사업에 총력을 기울이고 있다. '커스텀 HBM' 그룹은 '커스텀 베이스 다이'부터 시작해서 고객사 맞춤형 HBM 제작에 대한 연구개발·양산을 이어갈 예정이다. 삼성전자는 HBM4부터 공정 난도가 대폭 올라간다는 점을 겨냥, 발 빠른 준비에 나섰다. HBM3E는 1024개 입출력 단자(I/O)로 데이터를 전송한다. 6세대 HBM4에서는 단자 수가 이보다 2배 많은 2048개로 확대된다. 비슷한 크기 칩에 단자 수가 2배 늘어나므로 전력소모를 줄일 필요성이 커 더 미세공정이 요구된다. 종합반도체기업(IDM)으로서 강점도 십분 발휘할 수 있다는 점 또한 삼성이 HBM4에 승부수를 던진 이유다. 관련업계 관계자는 "엔비디아가 한 회사에서 설계부터 패키징까지 진행되길 원하는 것으로 안다"면서 "메모리, 파운드리, 패키징 등 모든 역량을 갖고 있는 회사는 삼성전자가 현재 유일하다"고 말했다. HBM3E까지는 메모리반도체 기업이 로직 다이를 제조했지만, HBM4부터는 각각의 고객사가 요구하는 기능을 '맞춤형'으로 넣어야 하기 때문에 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 반드시 거쳐야 한다. HBM의 로직 다이는 D램을 쌓아 만드는 HBM의 가장 밑단에 배치되는 핵심 부품으로 꼽힌다. 삼성전자는 HBM4 패키징을 위해 'TSMC 영입인재'인 린준청 부사장을 필두로 HBM4 12단·16단 제품 생산에 필요한 '하이브리드 본딩' 기술을 비롯한 각종 선단 패키지기술도 연구개발(R&D) 중이다. HBM 시대로 접어들면서 패키징 역량도 강조되고 있다. 린 부사장은 AVP사업팀에서 반도체연구소 차세대 패키징랩으로 소속이 변경되며 HBM4 겨냥 패키징 기술개발을 전담하고 있다. soup@fnnews.com 임수빈 김준석 기자

#OBJECT0# [파이낸셜뉴스] 삼성전자 반도체(DS)부문이 고대역폭메모리(HBM)분야 '2등 신세'에서 탈출하기 위해 6세대 HBM4에 승부수를 걸었다. 삼성전자는 5세대 HBM인 HBM3E 12단 제품의 양산에 있어 SK하이닉스에 밀린 상태로, 이를 반전시킬 방안이 절실한 상황이다. 삼성전자 DS부문은 HBM4부터 HBM이 '고객 맞춤형' 성격이 강해지는 것을 겨냥해 '커스텀 HBM' 조직을 꾸리고 반전에 나서겠다는 전략이다. 3일 반도체 업계에 따르면 삼성전자 DS부문은 HBM3E 승인 작업과 별개로 새로운 격전지로 떠오를 6세대 HBM4 선점을 위해 메모리사업부 'HBM 개발팀' 산하에 '커스텀 HBM' 그룹을 두고 고객 맞춤형 사업에 총력을 기울이고 있다. '커스텀 HBM' 그룹은 '커스텀 베이스 다이'부터 시작해서 고객사 맞춤형 HBM 제작에 대한 연구·개발·양산을 이어갈 예정이다.  삼성전자는 HBM4부터 공정 난도가 대폭 올라간다는 점을 겨냥해 발 빠른 준비에 나섰다. HBM3E는 1024개 입출력 단자(I/O)로 데이터를 전송한다. 6세대 HBM4에서는 단자 수가 이보다 2배 많은 2048개로 확대된다. 비슷한 크기 칩에 단자 수가 2배 늘어나므로 전력 소모를 줄여야 할 필요성이 커 더 미세공정이 요구된다. 종합반도체기업(IDM)으로서의 강점도 십분 발휘할 수 있다는 점 또한 삼성이 HBM4에 승부수를 건 이유다.  관련 업계 관계자는 "엔비디아가 한 회사에 설계부터 패키징까지 진행되길 원하는 것으로 안다"면서 "메모리, 파운드리, 패키징 등 모든 역량을 갖고 있는 회사는 삼성전자가 현재 유일하다"고 말했다. 현재 AI 가속기는 엔비디아가 설계하고 TSMC가 후공정 패키징을 도맡고 있다. 메모리 업체인 SK하이닉스는 파운드리 파트너로 TSMC와 손잡고 HBM4 개발에 나섰다. HBM3E까지는 메모리반도체 기업이 로직 다이를 제조했지만, HBM4부터는 각각의 고객사가 요구하는 기능을 '맞춤형'으로 넣어야 하기 때문에 파운드리(반도체 위탁생산) 공정을 반드시 거쳐야 한다. HBM의 로직 다이는 D램을 쌓아 만드는 HBM의 가장 밑단에 배치되는 핵심 부품으로 꼽힌다. 삼성전자는 HBM4 패키징을 위해 'TSMC 영입인재'인 린준청 부사장을 필두로 HBM4 12단·16단 제품 생산에 필요한 '하이브리드 본딩' 기술을 비롯한 각종 선단 패키지기술도 연구개발(R&D) 중이다. HBM 시대로 접어들면서 패키징 역량도 강조되고 있다. 린 부사장은 AVP사업팀에서 반도체연구소 차세대 패키징랩으로 소속이 변경되며 HBM4 겨냥 패키징 기술 개발을 전담하고 있다. 경희권 산업연구원 부연구위원은 "반도체 시장이 먼저 선점하고 대량 양산에 나서는 게 중요해 현재까지는 SK하이닉스가 HBM 시장에서 유리한 게 맞다"면서도 "HBM4의 커스텀 성격이 강해지면서 파운드리 사업을 영위 중인 삼성전자도 강점이 있어 현 SK하이닉스 우세 구도가 이어질지는 지켜봐야 한다"라고 말했다. soup@fnnews.com 임수빈 김준석 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스 김주선 인공지능(AI)인프라 담당(사장)은 4일 "이번달 말부터 고대역폭메모리 5세대(HBM3E) 12단 제품 양산에 돌입할 계획"이라고 밝혔다. 김 사장은 이날 대만 타이베이에서 열린 대만 타이베이에서 개막한 아시아 최대 반도체 행사 '세미콘 타이완 2024'에 참석, 'AI 메모리 기술의 새로운 가능성을 열다'를 주제로 진행한 강연에서 "AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요가 증가하고 있다"며 "이런 장애물들을 극복하기 위해 SK하이닉스는 현재 HBM3E, 고용량 서버 듀얼 인라인 메모리 모듈(DIMM), 쿼드레벨셀(QLC) 기반 고용량 기업용솔리드스테이트드라이브(eSSD)와 저전력더블데이터레이트(LPDDR)5T를 시장에 공급하고 있다"고 설명했다.  앞서 SK하이닉스는 올 3·4분기 HBM3E 12단 양산 계획을 밝힌 바 있는데, 이보다 구체적인 양산 시점을 공개한 것이다. SK하이닉스는 HBM3E 8단 제품은 지난 3월 말부터 양산한 뒤 엔비디아 등 주요 고객사에 납품하고 있다.  김 사장은 AI가 발전해 일반인공지능(AGI) 수준에 다다르기 위해서는 전력과 방열, 메모리 대역폭과 관련된 난제들을 해결해야 한다고 강조했다. 그는 "가장 큰 문제 중 하나는 전력에 대한 것"이라며 "2028년에는 데이터센터가 현재 소비하는 전력의 최소 두 배 이상을 사용할 것으로 추정되며, 충분한 전력 공급을 위해 소형모듈원전 같은 새로운 형태의 에너지가 필요할 수도 있다"고 말했다. 이어 "데이터센터에서 더 많은 전력이 사용되면 비례해서 발생하는 열도 늘어나는 만큼 AI 기술의 지속 발전을 위해서는 열 문제를 해결하기 위한 효과적인 방안을 찾아야 한다"면서 "이를 위해 SK하이닉스는 파트너들과 함께 고용량, 고성능에도 전력 사용량을 최소화해 열 발생을 줄일 수 있는 고효율 AI 메모리 개발을 시도하고 있다"고 전했다. 또 "AI 구현에 적합한 초고성능 메모리 수요가 증가하고 있다"며 "챗GPT가 도입되기 전까지 대역폭과 관련된 문제는 그다지 중요하지 않았으나 AI 기술이 발전할수록 메모리 대역폭 향상에 대한 요구가 점점 더 커지고 있다"고 덧붙였다. 그는 일반 서버와 비교해 AI 서버는 4배 이상의 메모리 용량이 필요한데, 이를 위해 SK하이닉스는 실리콘관통전극(TSV) 기술 기반 서버용 256기가바이트(GB) DIMM을 공급 중"이라며 "또 SK하이닉스는 QLC 기반 고용량 eSSD를 양산하는 유일한 공급업체로, 향후 전력 효율과 공간 최적화에 크게 기여할 120테라바이트(TB) 모델을 선보일 계획이다. 마지막으로 LPDDR5T는 초당 9.6기가비트의 속도로 데이터를 처리하는 온디바이스 AI에 최적화된 제품"이라고 설명했다. 김 사장은 HBM4(HBM 6세대) 등 차세대 제품과 기술 개발도 순조롭게 진행하고 있다고 강조했다. 그는 "베이스다이에 로직 기술을 처음으로 적용하는 HBM4는 TSMC와 협업을 통해 생산할 예정이며 최고의 성능을 발휘하게 될 것"이라며 "저전력 컴프레션 어태치드 메모리 모듈(LPCAMM), 컴퓨트 익스프레스 링크(CXL), 512GB 고용량 DIMM 등 차세대 메모리 제품을 착실히 준비하고 있다"고 전했다. 김 사장은 낸드 분야에서도 SK하이닉스는 최첨단 제품을 지속 개발할 것이라고 했다. 그는 "SK하이닉스는 최대 초당 40기가바이트(Gb)를 지원하는 업계 최고 성능의 그래픽더블데이터레이트(GDDR)7를 양산할 준비가 마무리 단계에 들어섰으며, 혁신적인 대역폭과 전력을 갖춘 LPDDR6도 개발하고 있다"고 했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM) 의 에너지 효율 및 열 방출(방열 성능) 측면에서 압도적인 제품 경쟁력을 갖춘 패키징 기술 완성도를 빠르게 높여 내년 하반기 양산 예정인 HBM4 12단 등 차세대 HBM 제품 개발·양산에 속도를 낸다. 이강욱 SK하이닉스 패키징 개발 담당 부사장은 3일 대만 타이베이에서 열린 '세미콘 타이완'에 참가, '인공지능(AI) 시대를 대비하는 HBM과 어드밴스드 패키징 기술'을 주제로 한 기조연설에서 이 같이 말했다. 그는 "응용제품에 따라 다르지만 HBM 세대가 발전하며 훈련, 추론 AI 서버에 탑재되는 평균 채택 숫자도 더 늘어날 것"으로 전망했다.  이 부사장은 "현재의 8단, 12단 HBM3E(HBM 5세대)는 초당 1.18테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리하며 최대 36기가바이트(GB)의 용량을 지원하는데, HBM4는 12, 16단으로 공급되며 용량은 최대 48GB까지, 데이터 처리 속도는 초당 1.65TB 이상으로 성능이 발전한다"면서 "HBM4부터는 베이스 다이에 로직 공정을 적용함으로써 성능 및 에너지 효율 향상을 기대하고 있다"고 전했다. 이어 "이러한 HBM 성능 발전에 따라 HBM에 대한 수요도 AI 시장에서 더 늘어날 것으로 전망된다"며 "2023년부터 2032년까지 생성형 AI 시장은 연평균 27% 성장할 것으로 예상되는데, HBM 시장은 2022년부터 2025년까지 이미 연평균 109%의 성장이 예상된다"고 덧붙였다. SK하이닉스가 HBM 제품에 적용한 매스 리플로우 몰디드 언더필(MR-MUF) 패키징 기술은 낮은 본딩(칩 접합) 압력·온도 적용과 일괄 열처리가 가능해 생산성과 신뢰성 측면에서 타 공정 대비 유리하다고 이 부사장은 언급했다.  높은 열전도 특성을 갖는 갭 필(빈 공간을 채우는 물질) 및 높은 밀도의 메탈 범프(HBM D램을 수직으로 적층할 때 회로 연결 역할을 하는 초소형 돌기 형태의 소재) 형성이 가능해 타 공정 대비 열 방출 면에서 30% 이상의 성능 장점을 지닌다는 설명이다. 이 부사장은 "SK하이닉스는 HBM3와 HBM3E 8단 제품에 MR-MUF, 12단 제품에 어드밴스드 MR-MUF 기술을 적용해 양산을 하고 있다"면서 "내년 하반기 출하 예정인 HBM4 12단 제품에도 어드밴스드 MR-MUF를 적용해 양산할 계획"이라고 했다. 그러면서 "16단 제품을 위해 어드밴스드 MR-MUF와 하이브리드 본딩 방식 모두에 대한 준비를 하고 있으며, 고객 니즈에 부합하는 최적의 방식을 선택할 계획"이라고 부연했다. 그는 "SK하이닉스는 16단 제품 대응을 위한 기술을 개발 중인데, 최근 연구에서 16단 제품에 대한 어드밴스드 MR-MUF 기술 적용 가능성을 확인했다"며 "하이브리드 본딩 기술을 적용할 경우 제품 성능, 용량 증가 및 열 방출 측면에서 장점이 있으나, 기술 완성도 및 양산 인프라 준비 측면에서 해결해야 할 여러 선결 과제들이 있다. 두 가지 방식에 대한 기술 완성도를 빠르게 높여 메모리 고용량화에 대한 고객 니즈에 선제적으로 대응하고자 한다"고 강조했다. 이 부사장은 "HBM4 및 이후 세대 제품 개발을 준비하고 있으며, 대역폭, 용량, 에너지 효율 측면에서의 기술적 난제들을 해결하기 위해 2.5차원(D) 및 3D 시스템인패키지(SiP) 등을 포함 다양한 대응 방안을 검토하고 있다"고 전했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자