[파이낸셜뉴스] SK키파운드리 노사가 ‘초록우산 어린이재단 충북지역본부’와 지난 13일 청주시 내 지역 소외계층 아동의 따듯한 겨울나기 지원을 위한 ‘사랑의 김장 봉사’ 활동을 가졌다고 14일 밝혔다.  경제적으로 어려운 가정의 아동에게 건강한 먹거리 제공과 따듯한 겨울 나기를 지원하기 위해, SK키파운드리 구성원들은 총 1000여 만원의 후원금을 매월 꾸준히 모금해 왔다. 해당 모금액으로 마련된 이번 김장 나눔 행사에는 총 40여 명의 구성원이 직접 참여해 2000㎏(200박스) 김장 김치를 함께 담갔다. 김치는 청주지역 70여개 지역아동센터, 청주사회복지관, 생활학교 및 한부모가족이 지내는 청주 ‘해오름마을’ 등에 전달됐다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] SK키파운드리는 고전압IC(HVIC) 공정을 출시했다고 24일 밝혔다. 이를 통해 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대·강화한다는 계획이다. HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS, 650V 이상의 부트스트랩 다이오드 등을 하나의 공정에 구현한 기술이다. 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있는 게 특징이다. HVIC 공정은 자동차용 품질 규격(AEC-Q100) 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기차용 온보드차저(OBC), 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대된다. SK키파운드리는 HVIC 공정 개발을 통해 650~1200V 수준의 게이트 드라이버 제품은 물론 고전압 BCD 공정 200V 이하 제품과 1500V 이상 초고전압 제품 라인업을 갖추게 됐다. psy@fnnews.com 박소연 기자

파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 HVIC(High Voltage Integrated Circuit) 공정 기술 출시를 통해 자사 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대 강화했다고 24일 밝혔다. SK키파운드리 HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS(Lateral Double diffused MOS), 650V 이상의 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode) 등을 하나의 공정에 구현해 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있는 것이 특징이며, 여기 포함된 25V 고전압 소자 및 650V nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다. 또한 Non-volatile 소자인 MTP(Multi Time Program) IP와 OTP(One Time Program) IP를 옵션으로 함께 제공해 고객이 하나의 디자인에서 다양한 제품 스펙 변경이 가능하다. SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발을 통해 기존 고전압 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정의 200V 이하 제품과 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션을 통한 1,500V 이상 초고전압 제품 라인업에 더해, 650V~1,200V 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 되었다. 특히 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용 OBC에 적합할 뿐 아니라 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대되고 있다. HVIC 공정을 사용하는 주요 제품에는 MCU(Micro Controller Unit)에서 제어 신호를 받아 고전압 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 또는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등의 게이트를 직접 구동하는 고전압용 게이트 드라이버 IC 등이 있으며, 이는 대형 백색 가전용 모터 드라이브, 데이터 서버용 전압 변환기, 자동차용 모터 드라이브 및 OBC(On Board Charger), 산업용 모터 드라이브 등 다양한 전력용 제품에 사용되고 있다. SK키파운드리 이동재 대표는 "HVIC 공정 기술 출시로 대형 가전과 차량용 모터 시장에서 SK키파운드리 경쟁력을 강화하게 되어 의미 있게 생각한다"며, "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능토록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 밝혔다.

8인치 순수 파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상된 4세대 0.18㎛ BCD 공정 출시를 통해 모바일 및 전력 반도체 성능 향상을 위한 솔루션을 제공한다고 11일 밝혔다. SK키파운드리의 이번 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공해 서버 및 노트북용 PMIC, DDR5 메모리용 PMIC, Mobile charger, Audio Amp., 차량용 Gate driver 등 다양한 응용 분야에서 고객 필요에 맞는 사양으로 사용 가능한 것이 특징이다. 또한 Trimming용 MTP(Multi-Time Programmable)/OTP(One-Time Programmable) memory, SRAM memory 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다. SK키파운드리의 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 Grade1을 만족했으며, Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션 제공을 통해 15,000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 Isolator 제품 설계 또한 가능하다. SK키파운드리는 3세대 0.18㎛ BCD 공정으로 쌓여온 대량 양산 경험과 고객의 높은 신뢰 수준을 바탕으로, 이번 4세대 0.18㎛ BCD공정이 모바일 디바이스의 배터리 수명 연장과 낮은 발열을 통한 안정된 성능 구현, 차량용 전력 반도체 에너지 효율 향상을 통한 성능 향상에 기여할 것으로 기대된다고 밝혔다. SK키파운드리 이동재 대표는 "개선된 성능의 새로운 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며, "SK키파운드리는 전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 Gate driver IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

8인치 순수 파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 차세대 전력 반도체 질화갈륨(GaN)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발 완료를 목표로 박차를 가하고 있다고 19일 밝혔다. SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해 2022년 정식 팀을 구성, GaN 공정을 개발해 왔으며, 최근 650V GaN HEMT 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아 실리콘 기반 제품보다 방열 기구 비용을 감소시켜 기존 실리콘과 비교해 최종 고객의 시스템 가격이 큰 차이가 나지 않게 된다. 이는 실리콘 기반의 650V 제품으로 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 시장에서 비즈니스 중인 팹리스 고객들의 프리미엄 제품 개발에 유리한 장점으로 작용할 것이라는 게 회사 측의 설명이다. SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 깊은 관심을 보이는 다수의 기존 전력 반도체 공정 사용 고객에게 적극 프로모션에 나선다는 방침이다. GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. 시장조사기관 OMDIA에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억불에서 2032년 64억불까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망되며, 주로 전원 공급 장치, 하이브리드 및 전기차, 태양광 발전 인버터 등에 사용된다. SK키파운드리는 650V GaN HEMT를 기반으로 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이라고 관계자는 전했다. SK키파운드리 이동재 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며, "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다.

SK키파운드리(대표이사 이동재)가 차량용 전력 반도체 설계 기업들이 고성능 차량용 반도체 제품을 설계할 수 있도록 개선된 0.13㎛ BCD 공정을 제공한다고 25일 밝혔다. SK키파운드리의 개선된 0.13㎛ BCD 공정은 자동차 전자부품 신뢰성 평가 규정인 AEC-Q100의 Grade-0 인증을 충족해 최대 150℃까지의 사용 환경 온도를 견뎌야 하는 고성능/고신뢰성 차량용 반도체에 적합한 공정임을 인증 받았다. 특히 이번 공정은 120V급까지의 고전압 소자 제공과 동시에 15KV 이상의 절연 기술을 구현해 전기차에 사용되는 BMS IC, Isolated gate driver IC, DC-DC IC, CAN/LIN transceiver IC 등 고전압/고신뢰성 제품의 설계를 가능하게 한다. 또한 고전압 BCD 공정에서 고밀도 플래시 메모리 IP 사용이 가능해 MCU 기능이 필요한 Motor Driver IC, LED driver IC, Sensor controller IC, Power Delivery controller IC 등의 차량용 반도체에도 적합한 공정 기술이다. 특히 플래시 IP 프로그래밍이 10만회까지 가능해 반복적인 데이터 변경이 필요한 고성능 제품에도 고객들이 광범위하게 사용할 수 있는 것이 특징이다. 차량용 전력 반도체 시장은 거시적으로 전기차의 확산과 차량 내 전자기기 증가에 힘입어 향후 지속적인 확대가 예상되고 있다. 시장 조사기관 OMDIA에 따르면 차량용 전력 반도체 시장은 2023년 208억 달러에서 2028년 325억 달러 규모로 연평균 9.3% 성장이 전망되고 있다. SK키파운드리는 차량용 반도체에 적합한 고성능 공정 기술을 지속 개발하는 한편, 높은 품질 관리 수준으로 품질 요구 조건이 까다로운 글로벌 탑티어(Tier-1) 자동차 벤더들로부터 자동차 부품 대상의 생산 품질 심사(Audit)를 통과해옴으로써 고객 요구를 충족하는 파운드리 서비스를 제공하는 동시에 차량에 탑재 가능한 수준의 높은 공정 신뢰성을 확보한 것으로 평가되고 있다. SK키파운드리 이동재 대표는 “차량용 전력 반도체 공정을 제공하는 파운드리가 제한적인 상황에서도 당사는 최고 성능을 갖춘 차량용 고전압 BCD 공정 제공을 위한 개선을 지속해왔다.”며, “주요 차량용 팹리스 업체와의 10년 이상 축적된 양산 경험과 확보된 양산 품질을 바탕으로 향후 8인치 차량용 전력 반도체 시장에서 확고한 성장 기반 확보를 사업 전략으로 강하게 추진해 나갈 것”이라고 설명했다.

SK하이닉스는 2일 국내 8인치(200㎜) 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 키파운드리 인수 절차를 완료했다고 밝혔다. SK하이닉스는 지난해 10월 매그너스반도체 유한회사로부터 키파운드리 지분 100%를 5758억원에 매입하는 계약을 체결한 후 인수 절차를 진행해왔다. 이후 올해 상반기 한국, 중국 등의 기업결합심사 승인을 받았다. 키파운드리는 8인치 웨이퍼 기반으로 1979년 설립된 LG반도체가 모체다. 1999년 현대전자와 합병하면서 하이닉스반도체가 됐고, 2004년 하이닉스가 구조조정 과정에서 비메모리 부문을 분리한 뒤 매그나칩반도체를 세워 해외 CVC캐피탈에 매각했다. 매그나칩 충북 청주 파운드리 라인만 별도 떼내 세운 회사가 키파운드리다. 전력반도체, 디스플레이구동칩, 마이크로컨트롤러유닛(MCU) 등 비메모리 반도체를 위탁 생산하고 있다. 2021년 기준 매출액은 6160억원이다. 이번 인수로 SK하이닉스의 8인치 웨이퍼 생산량은 종전 두 배인 월 20만장 수준으로 증가한다. 키파운드리의 신임 대표이사는 이동재 SK하이닉스시스템IC 대표가 맡는 것으로 알려졌다. SK하이닉스 관계자는 "8인치 파운드리 자회사인 SK하이닉스시스템IC와 키파운드리의 역량을 활용해 글로벌 반도체 공급 안정화와 국내 시스템 반도체 생태계 발전에 기여하겠다"고 말했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스]SK하이닉스는 2일 국내 8인치(200㎜) 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 키파운드리 인수 절차를 완료했다고 밝혔다. SK하이닉스는 지난해 10월 매그너스반도체 유한회사로부터 키파운드리 지분 100%를 5758억원에 매입하는 계약을 체결한 후 인수 절차를 진행해왔다. 이후 올해 상반기 한국, 중국 등의 기업결합심사 승인을 받았다. 키파운드리는 8인치 웨이퍼 기반으로 1979년 설립된 LG반도체가 모체다. 1999년 현대전자와 합병하면서 하이닉스반도체가 됐고, 2004년 하이닉스가 구조조정 과정에서 비메모리 부문을 분리한 뒤 매그나칩반도체를 세워 해외 CVC캐피탈에 매각했다. 매그나칩 충북 청주 파운드리 라인만 별도 떼내 세운 회사가 키파운드리다. 전력반도체, 디스플레이구동칩, 마이크로컨트롤러유닛(MCU) 등 비메모리 반도체를 위탁 생산하고 있다. 2021년 기준 매출액은 6160억원이다. 이번 인수로 SK하이닉스의 8인치 웨이퍼 생산량은 종전 두 배인 월 20만장 수준으로 증가한다. 키파운드리의 신임 대표이사는 이동재 SK하이닉스시스템IC 대표가 맡는 것으로 알려졌다. SK하이닉스 관계자는 “8인치 파운드리 자회사인 SK하이닉스시스템IC와 키파운드리의 역량을 활용해 글로벌 반도체 공급 안정화와 국내 시스템 반도체 생태계 발전에 기여하겠다"고 말했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스] 코아시아가 정부의 삼성과 SK하이닉스 등에 대만의 TSMC와 같은 수준의 지원을 하겠다는 소식에 강세를 보이고 있다. 30일 오전 11시 9분 현재 코아시아는 전날보다 4.19% 오른 8700원에 거래되고 있다. 이날 한 언론에 따르면 대통령직인수위원회가 삼성전자 등 국내 반도체 기업에 TSMC 수준의 인프라 지원 방안을 검토한다. 특히 산업통상자원부가 인수위 경제2분과에 제출한 업무보고 자료에는 삼성전자와 SK하이닉스 등에 TSMC와 같은 '해외 선진업체 수준의 인프라 지원을 하겠다'는 내용이 명시돼 있다고 보도했다. 여기에 이날 공정거래위원회가 SK하이닉스의 키파운드리 인수를 승인한 것도 호재로 작용하고 있는 모습이다. 공정위는 SK하이닉스가 키파운드리를 인수하는 건을 심사한 결과 시장 경쟁 제한 우려가 없다고 판단해 이를 승인했다. 한편 코아시아 국내유일 삼성 반도체 핵심 파운드리 파트너사로 알려져 있다. 코아시아는 지난 2020년 삼성 SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 프로그램의 DSP(디자인 솔루션 파트너)로 선정됐다. dschoi@fnnews.com 최두선 기자

[파이낸셜뉴스] 공정거래위원회가 SK하이닉스의 키파운드리 인수를 승인했다. 30일 공정위는 SK하이닉스가 키파운드리를 인수해도 반도체 성숙제품 파운드리 시장에서 경쟁제한 우려가 없다고 판단한다고 밝혔다. 반도체 성숙제품은 비교적 개발된 지 오래 된 90나노미터 이상의 테크노드제품을 말한다. 첨단, 주류 다음 단계 제품이다. SK하이닉스는 매그너스반도체로부터 키파운드리 주식 100%를 약 5758억 원에 취득하는 계약을 체결한 후 지난해 12월27일 기업결합을 신고했다. 공정위는 두 기업이 결합을 해도 중첩되는 영역인 전세계 성숙제품 파운드리 시장 점유율이 5%대에 머물러 경쟁제한 우려가 적다고 설명했다. 수직결합 측면에서도 경쟁제한 우려는 미미하다고 분석했다. 공정위는 "앞으로도 변화 속도가 빠른 반도체·전기차 등 혁신기반 산업 기업결합은 최대한 신속히 심사, 혁신 생태계 구축을 뒷받침할 것"이라며 "다만 경쟁제한적 기업결합으로 연구개발(R&D) 등의 경쟁이 줄어 혁신성장이 저해되지 않도록 하는 감시도 강화해 나가겠다"고 밝혔다. onsunn@fnnews.com 오은선 기자