[파이낸셜뉴스]   미국이 한국 삼성전자, SK하이닉스, 대만 TSMC 등 동맹국들의 중국 반도체 공장에 대한 규제를 검토하고 있다고 월스트리트저널(WSJ)이 20일(현지시간) 보도했다. WSJ은 소식통들을 인용해 미 상무부 수출 통제 책임자가 세계 최고 반도체 업체들에 그동안 중단했던 규제를 재개하기를 원하고 있다고 밝혔다고 전했다. 중국에서 반도체를 만들 때 미국 반도체 장비나 기술을 이용하는 것을 금지하는 규정을 재개할 수 있다는 것이다. 다만 아직 최종 결정된 것은 아니라고 소식통들은 전했다. 현재 삼성, SK하이닉스, TSMC는 전면적인 규제 제외를 적용받고 있다. 덕분에 중국 공장에 미국산 반도체 장비를 들여가 반도체를 생산하고 있다. 반도체 장비를 반입할 때마다 면허를 받지 않아도 된다. 그러나 소식통들에 따르면 상무부 수출통제 책임자인 제프리 케슬러가 이번 주 들어 이 면제들을 모두 취소하려 하고 있다고 이들 3개 업체에 통보했다. 케슬러는 면제 취소 조처가 미 핵심 기술이 중국에 흘러 들어가는 것을 분쇄하려는 도널드 트럼프 행정부 대응의 일환이라는 점을 설명한 것으로 알려졌다. 이 방안이 현실화하면 미중 무역전쟁 휴전도 사실상 물거품이 될 수 있다. 앞서 양측은 지난 9~10일 영국 런던에서 만나 무역협상을 재개하기로 결정한 바 있다. 당시 합의에 따라 양측은 새로운 수출 통제나 상대방을 해치기 위해 고안된 방안들을 도입하지 않기로 합의했다. 백악관 관계자들은 반도체 수출 장비 통제 예외를 철회하는 것은 새로운 무역 통제 정책은 아니라고 강조했다. 중국이 희토류 수출에 적용하는 것과 유사하게 반도체 장비에 수출 면허제를 운용하는 것일 뿐이라는 것이다. 백악관 관계자들은 아울러 현재 양측이 런던 합의를 완료하고 무역 협상을 끝내기 위한 협상에서 진전을 보이고 있다고 말했다. 상무부 대변인은 “반도체 업체들은 계속해서 중국에서 가동할 수 있을 것”이라면서 “새 반도체 규제는 중국에 반도체를 수출하는 다른 업체들에게 적용되는 기준들을 적용하게 된다”고 밝혔다. 그는 “이를 통해 미국은 (중국과) 동등하고 호혜적인 절차를 갖게 될 것”이라고 덧붙였다. 그러나 WSJ은 새 조처가 시행되면 중국에서 영업하는 글로벌 반도체 업체들이 더 어려워지고, 중국은 런던 합의를 미국이 깨는 것으로 간주할 수 있다고 지적했다. 또 미국과 동맹인 한국, 대만 관계에도 긴장이 조성될 수 있다고 우려했다. 게다가 한국, 대만 반도체 업체들이 최근 미국에 대규모 투자를 약속한 터라 배신감도 느낄 수 있다. 세계 반도체 공급망도 심각한 타격을 받을 수 있다. 현재 문제가 되는 중국 반도체 공장에는 시안의 삼성 메모리 반도체 공장을 비롯해 글로벌 메모리, 논리, 기타 반도체 공급망 핵심들이 포함돼 있다. 이 공장들은 대체로 최첨단 기술을 활용하지는 않지만 이곳에서 생산되는 반도체들은 자동차, 가전 등 다양한 제품에 광범위하게 활용된다. 업계 관계자들은 미국이 반도체 장비 반입을 다시 규제하는 것이 곧바로 이들 공장 문을 닫게 만드는 것은 아니지만 차차 이들 공장의 효율적인 가동을 어렵게 만들 것이라고 우려하고 있다. 이렇게 되면 중국의 희토류 수출 규제와 같은 미중 무역전쟁이 촉발한 것과 같은 다른 문제들처럼 전세계 산업계가 어려움에 처할 수 있다고 이들은 경고하고 있다. 이 규제가 재개되면 반도체 업체들은 중국 공장에 미 반도체 장비를 반입할 때마다 수출 허가를 받아야 하고, 허가를 받지 못할 경우 반도체 장비를 갖고 갈 수 없다. 이에 따라 일본이나 유럽 산 장비로 갈아탈 가능성도 있다. 소식통들은 아직 반도체 장비 수출 규제 재개가 결정된 것은 아니라고 말했다. 케슬러가 관장하는 상무부 산업안보국이 국방부 같은 다른 정부 부처의 동의를 완전히 받은 상황은 아닌 것으로 알려졌다. 트럼프 행정부 내에서도 이 제한을 재개하면 결국에는 중국 기업들의 자체 생산을 독려하는 자충수가 될 수 있고, 중국이 이들 반도체 공장을 통제하도록 만들 수 있다며 반대하는 목소리들이 있다. 케슬러는 트럼프 2기 행정부가 출범한 뒤 부상한 강경파 가운데 한 명이다. 이들은 미 기술이 중국에 유입되는 것을 차단하는 강경한 방안들을 추진해야 중국의 첨단 분야 발전이 제한되고 전세계 공급망에 대한 중국의 영향력도 약화시킬 수 있다고 주장하고 있다. 이런 주장들은 그러나 행정부 내 친기업 성향 관료들의 목소리와 충돌하고 있다고 WSJ은 전했다. 미국의 반도체 수출 통제는 미 기업들에도 심각한 타격을 주고 있다. 최근 트럼프 행정부가 첨단 반도체 대중 수출을 금지하면서 엔비디아와 AMD 등은 매출 수십억달러를 날렸다. 한편 WSJ에 따르면 한국과 대만 반도체 업체들은 정부가 대응에 나서기를 바라면서 자국 당국에 이 문제를 알렸다. 앞으로 수 주일 안에 마무리될 미국과 한국, 대만 무역협상에 반도체 수출 통제 문제를 포함해 협상이 이뤄지기를 바라고 있다. 이들 업체는 특히 자사 중국 반도체 공장이 중국 반도체 업체들과 경쟁에서 중요하다는 점을 강조하고 있다. 삼성은 미국의 기존 반도체 장비 반입 규제 면제 덕에 시안 공장에서 중국 양츠메모리(YMT)의 경쟁력을 압도하는 첨단 반도체들을 생산할 수 있다는 점을 강조하고 있다. WSJ은 미 군사 동맹인 한국, 그리고 대만은 미국과 함께 중국을 견제하는 기술 경쟁에 협력하고 있다면서 첨단 기술 중국 이전 제한 등에 이들이 동참하고 있다고 지적했다. 아울러 TSMC, 삼성, SK하이닉스 3개 업체는 모두 미 행정부의 후원 아래 미국 공장에 수십억달러를 이미 투자했다고 WSM은 덧붙였다. dympna@fnnews.com 송경재 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스의 반도체 핵심 기술을 중국 경쟁업체에 유출한 혐의로 재판에 넘겨진 협력사 부사장에게 실형이 확정됐다. 대법원 1부(주심 신숙희 대법관)는 12일 산업기술의 유출방지 및 보호에 관한 법률 위반 등 혐의로 기소된 A씨에게 징역 1년 6개월을 선고한 원심을 확정했다. 함께 재판에 넘겨진 연구소장 등 직원 3명은 징역 1년~1년 6개월을, 직원 1명은 징역 8개월에 집행유예 2년을 확정받았다. 행위자와 법인을 함께 처벌하는 양벌규정에 따라 기소된 협력사 법인에는 벌금 10억원이 확정됐다. A씨 등은 2018년 8월부터 2020년 6월까지 SK하이닉스의 HKMG 반도체 제조 기술과 세정 레시피 등 반도체 관련 핵심 기술 등을 중국 반도체 경쟁업체에 유출한 혐의로 재판에 넘겨졌다. HKMG는 누설 전류를 막고 정전용량을 개선한 차세대 공정으로, D램 반도체의 속도를 높이면서도 소모 전력을 줄일 수 있는 신기술이다. 삼성전자와 자회사인 세메스의 전직 직원들을 통해 몰래 취득한 세메스의 초임계(액체와 기체를 구분할 수 없는 상태) 세정장비 도면 등 반도체 첨단기술과 영업비밀을 활용해 중국 수출용 장비를 개발한 혐의도 있다. 1심은 A씨에게 징역 1년을 선고했지만 2심은 징역 1년 6개월로 형량을 높였다. 아울러 1심에서 징역형 집행유예를 선고받은 직원 3명은 징역 1년~1년 6개월의 실형으로, 1심에서 무죄를 선고받은 직원 1명은 징역 8개월에 집행유예 2년으로 형량이 올라갔다. 항소심이 1심과 달리 SK하이닉스와 공동 개발한 기술 정보를 다른 업체에 알려준 혐의를 유죄로 판단한 데 따른 것이다. 2심 재판부는 "피고인들의 범행은 피해 회사뿐 아니라 우리나라 산업 전반에 큰 영향을 미쳤다"며 "특히 부사장 A씨는 최종 결정권자로서 범행을 지휘하고 깊이 관여했다"고 지적했다. 검찰과 피고인 모두 불복했지만, 대법원은 원심 판단에 잘못이 없다고 보고 상고를 기각했다. jisseo@fnnews.com 서민지 기자

[파이낸셜뉴스] 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장이 "올 하반기에 관세 여파나 불확실성으로 변동성이 더 커질 것으로 예상된다"고 말했다.  11일 업계에 따르면 곽 사장은 전날 SK하이닉스 이천캠퍼스에서 '함께하는 더(THE) 소통행사'를 열고 임직원들에게 '향후 실적 전망'에 대해 "올해와 내년을 예측하긴 어렵지만 현재까지는 계획과 유사하게 가고 있으며 다 같이 합심해 (계획을) 달성하자"며 이같이 설명했다. SK하이닉스는 분기마다 최고경영자(CEO)가 직접 직원들의 이야기를 듣고 각종 경영 현안에 대해 설명하는 소통행사를 하고 있다. 이날 소통행사는 SK하이닉스 국내 전 사업장에 생중계됐다.  업계에선 미국이 전방위적인 상호관세 부과 정책을 펼치고 있는 데다 반도체 대상의 품목별 관세까지 현실화할 경우 SK하이닉스도 영향권에 들 것으로 보고 있다. 아직까진 기존 계획과 예상대로 사업이 진행되고 있지만, 하반기 이후 불확실성이 더욱 커질 수 있다는 게 곽 사장의 시각이다. 다만 올해 반도체 시장 상황(시황)은 긍정적일 것으로 예상했다. 이상락 글로벌 세일즈마케팅(GSM) 담당 부사장은 "상반기 시황은 아주 좋았고 하반기도 비관적이진 않다"며 "우리의 경쟁력은 고대역폭메모리(HBM)이며 기존 D램도 경쟁력이 있다"고 말했다.  실제 SK하이닉스는 'AI 큰손' 엔비디아에 최신 HBM인 HBM3E(5세대)를 공급 중이고, 이미 올해 물량을 '완판'한 상태다. 차세대 제품인 HBM4(6세대)에서도 이미 엔비디아를 비롯한 주요 고객사에 샘플을 공급했으며 올 하반기 양산을 앞두고 있다. SK하이닉스는 이 같은 HBM 시장 지배력을 바탕으로 올해 1·4분기 33년 만에 삼성전자를 제치고 글로벌 D램 시장 1위를 차지했다. 시장조사기관 옴디아에 따르면 SK하이닉스의 1분기 D램 점유율은 36.9%였고, 삼성전자는 34.4%로 2위를 기록했다.  아울러 HBM 필수 제조장비인 'TC 본더'의 다변화 전략은 유지한다는 입장이다. 김영식 양산총괄 부사장은 "앞으로도 회사의 다변화 정책은 변화가 없을 것"이라며 "원래 회사와도 오래 일했지만, 다른 다변화 업체와도 오래 일했기 때문에 (올해 5월) 나눠서 발주한 것"이라고 밝혔다. SK하이닉스가 그동안 HBM3E 12단 제조에 한미반도체 TC 본더 장비를 전량 사용해왔지만, 올 초 한화세미텍 장비도 사용하기로 하면서 한미반도체와 불편한 기류가 형성된 바 있다. 당시 한미반도체는 그동안 고객서비스(CS)를 무상으로 제공해왔고 경쟁사 대비 싼값에 장비를 공급했다고 주장하며 SK하이닉스에 서비스 유료화와 장비 가격 인상을 요구한 것으로 알려졌다.  이에 김 부사장은 "무상으로 (서비스를) 제공한 것은 없고, 경쟁사 것을 비싸게 샀다고 하는 것도 꼭 그렇진 않다"며 "우린 자사 (가격 정책 등의) 룰대로 한 것"이라고 일축했다.  아울러 곽 사장은 성과급 제도 중 하나인 초과이익분배금(PS)의 새로운 기준안 마련에 대해 "룰이 애매모호하다는 이야기가 많은데, 각계각층의 의견을 받아 최적의 방법을 찾는 등 이번 기회에 룰을 좀 잘 만들어야겠다"고 말했다. 이어 "대토론회 같은 자리를 만들어서 재무 등에서 회사의 살림을 공유하면 불필요한 오해가 줄지 않을까 생각한다"고 덧붙였다.  PS는 연간 실적에 따라 매년 1회 연봉의 최대 50%(기본급의 1000%)까지 지급하는 인센티브다. SK하이닉스는 2021년부터 전년 영업이익의 10%를 재원으로 삼아 개인별 성과 등을 연계해 PS를 지급해왔다. 회사는 지난해 역대 최대 실적(영업이익 23조4673억원)을 달성하며 올해 초 기본급 1500%의 PS와 격려금 차원의 자사주 30주를 지급했지만, 이보다 높은 수준의 특별성과급이 지급돼야 한다는 노조의 주장에 따라 갈등이 빚어졌었다. 노조는 현재 임금 인상과 PS 초과분 협상 등을 논의하기 위한 임금 교섭을 진행 중이다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

SK하이닉스가 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공개했다. 기존 '셀 미세화 방식'에서 벗어나 '수직적으로 쌓는 방식'으로 전환하겠다는 게 핵심이다. 차세대 D램 시장의 기술표준을 선도하겠다는 것으로 풀이된다. SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(CTO·사진)은 10일 일본 교토에서 열린 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'의 기조연설자로 나서서, 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵으로, 수직공법에 대해 발표했다. 차 원장은 "현재의 테크 플랫폼(여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 기술적인 틀)을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. '얼마나 더 작게 쪼개느냐'의 초미세화 공정 경쟁이 사실상 물리적 한계에 도달했다는 것을 말한다. 4F²(4F Square) VG(Vertical Gate) 플랫폼이란 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술을 말한다. 현재는 6F² 셀이 일반적이지만, 4F² 셀과 함께 회로부를 셀 영역 아래로 배치하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용하면 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 기대할 수 있다는 게 차 원장의 설명이다. IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며, 차세대 반도체, 인공지능(AI) 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다. 차 CTO는 4F² VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, 회사는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 아울러 구조적 혁신을 넘어 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 전했다. 차 CTO는 "2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 "앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다"고 밝혔다. soup@fnnews.com 임수빈 조은효 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공개했다. 기존 '셀 미세화 방식'에서 벗어나 '수직적으로 쌓는 방식'으로 전환하겠다는 게 핵심이다. 차세대 D램 시장의 기술표준을 선도하겠다는 것으로 풀이된다.  SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(CTO)은 10일 일본 교토에서 열린 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'의 기조연설자로 나서서, 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵으로, 수직공법에 대해 발표했다. 차 원장은 "현재의 테크 플랫폼(여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 기술적인 틀)을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. '얼마나 더 작게 쪼개느냐'의 초미세화 공정 경쟁이 사실상 물리적 한계에 도달했다는 것을 말한다.  4F²(4F Square) VG(Vertical Gate) 플랫폼이란 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술을 말한다. 현재는 6F² 셀이 일반적이지만, 4F² 셀과 함께 회로부를 셀 영역 아래로 배치하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용하면 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 기대할 수 있다는 게 차 원장의 설명이다.  IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며, 차세대 반도체, 인공지능(AI) 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다.  차 CTO는 4F² VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, 회사는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 아울러 구조적 혁신을 넘어 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 전했다. 차 CTO는 “2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 “앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다”고 밝혔다.  soup@fnnews.com 임수빈 조은효 기자

[파이낸셜뉴스] '고대역폭메모리(HBM) 시장 1위'에 힘입어 SK하이닉스가 올해 1·4분기 삼성전자를 제치고 글로벌 D램 시장 1위 자리를 굳히고 있다.   3일 시장조사업체 트렌드포스에 따르면 올해 1·4분기 글로벌 D램 업계의 매출 규모는 전 분기보다 5.5% 감소한 270억1000만 달러(약 37조원)로 집계됐다. 이는 D램 계약 가격 하락과 HBM 출하량 감소에 따른 결과로 풀이된다.  SK하이닉스는 출하량 감소로 전 분기보다 매출이 97억2000만 달러로 7.1% 줄었으나, 분기 기준으로 처음 D램 시장 1위를 차지했다. 고부가 제품인 HBM3E(5세대) 출하량 비중이 증가한 영향이다.  SK하이닉스 점유율은 지난해 4·4분기 36.6%에서 36%로 소폭 하락했으나, 삼성전자 점유율이 39.3%에서 33.7%로 더 크게 내리면서 삼성전자를 제쳤다.  D램 점유율에서 SK하이닉스가 삼성전자를 앞선 것은 올해 1·4분기가 처음이다. 두 회사 점유율은 지난해 1·4분기에는 삼성전자 43.9%, SK하이닉스 31.1%로 10%p(포인트) 이상 차이 났지만, 일 년 새 분위기가 반전됐다. 앞서 시장조사업체 카운터포인트리서치가 집계한 글로벌 D램 시장 점유율에서도 올해 1·4분기에 SK하이닉스 36%, 삼성전자 34%로 SK하이닉스가 앞선 것으로 집계된 바 있다.  삼성전자는 매출이 전 분기보다 19.1% 줄어든 91억 달러를 기록하며 2위로 내려갔다. 이는 HBM을 중국에 직접 판매하지 못하고, 제품 재설계 이후 고가의 HBM3E 출하량이 감소한 영향이라고 트렌드포스는 설명했다.  이어 3위는 미국 마이크론으로 1·4분기에 매출 65억8000만 달러를 올리며 점유율 24.3%를 차지했다. 트렌드포스는 "2·4분기에는 PC 및 스마트폰 업체들이 90일간의 미국 상호관세 유예기간에 맞춰 재고 조정을 완료하고 생산량을 늘려 D램 공급업체의 출하량이 두드러지게 증가할 것"이라고 전망했다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] DB증권이 "SK하이닉스의 2·4분기 매출과 영업이익은 전년 동기 대비 각각 22%, 61% 증가한 20조1000억원, 8조8000억원으로 시장 예상치에 부합할 전망"이라고 분석했다.  서승연 DB증권 연구원은 3일 분석 리포트에서 "견조한 인공지능(AI) 수요, 관세 불확실성에 따른 고객사들의 메모리 선구매 수요, 더블데이트레이트4(DDR4)·저전력(LP)DDR4 감산에 따른 재고 비축 수요가 예상되기 때문"이라며 이같이 설명했다.  이어 "강력한 AI 반도체 수요가 지속되는 가운데, 2·4분기 SK하이닉스의 D램 매출 내 고대역폭메모리(HBM) 비중은 44%에 육박할 것"이라고 덧붙였다.  DB증권은 SK하이닉스의 올해와 내년 연간 영업이익을 각각 59%, 15% 증가한 37조4000억원, 42조8000억원으로 제시했다.  서 연구원은 "메모리 판가는 관세 및 레거시 공급 부족 우려로 3·4분기까지 상승세가 지속될 것으로 예상된다"며 "4·4분기와 내년 1·4분기는 선제적 재고 비축 수요의 높은 기저 효과, 계절적 비성수기로 단기 판가 하락이 예상되지만 2·4분기부터는 계절적 성수기가 재개되고, 타이트한 공급으로 판가가 반등할 것"이라고 평가했다.  아울러 SK하이닉스가 기술 경쟁력을 기반으로 HBM4(6세대) 시장도 선도할 것으로 봤다. 서 연구원은 "기술 경쟁력을 기반으로 HBM3E(5세대) 12단에 이어 HBM4 시장 역시 SK하이닉스가 선도할 가능성이 높다"며 "D램 공급사 재고 정점이 예상되는 내년 1·4분기 초 탄력적인 주가 상승이 예상된다"고 전했다.   soup@fnnews.com 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] 한국수자원공사(K-water)가 SK하이닉스에 대규모 수력에너지를 공급한다. RE100(재생에너지 100%) 달성과 탄소중립 실현을 위한 행보로 반도체 산업의 수출 경쟁력 강화에도 기여할 전망이다. 수자원공사는 30일 오후 경기 SK하이닉스 이천캠퍼스에서 남강댐 수력발전을 활용한 직접전력거래(PPA) 협약을 체결했다고 밝혔다. 이에 따라 오는 6월 1일부터 남강댐 수력발전소에서 생산한 전력이 SK하이닉스에 직접 공급된다. 특히 이번 협약은 수력발전 분야에서 수자원공사가 체결한 최대 규모의 PPA다. SK하이닉스의 탄소배출 저감과 RE100 목표 달성을 지원함으로써 무역장벽 해소와 글로벌 반도체 경쟁력 강화에 기여할 것으로 기대된다고 회사는 설명했다. 남강수력발전소는 경남 진주시에 위치한 18㎿ 규모의 대형 수력설비로, 연간 약 6만6954㎿h의 친환경 전력을 생산한다. 이는 약 2만3000가구가 1년간 사용할 수 있는 수준이다. 최근 글로벌 시장에서는 기후위기 대응을 위한 환경 규제가 엄격해지는 가운데 RE100 이행 여부가 주요 수출품목의 납품조건으로 작용하는 등 기업들의 재생에너지 확보가 중요한 과제가 되고 있다. 수자원공사 장병훈 수자원환경부문장은 "이번 협약은 국가 반도체 산업의 큰 축을 담당하는 대표적인 기업의 RE100 달성을 지원하고, 함께 기후변화 대응을 위해 나아가는 계기가 될 것"이라고 말했다. en1302@fnnews.com 장인서 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스 기술사무직 노동조합이 사측에 8%대 임금 인상안을 제시했다.30일 업계에 따르면 SK하이닉스 기술사무직 노조는 지난 28일 이천캠퍼스에서 사측과 2025년 1차 임금교섭을 진행했다. 노조는 임금 8.25% 인상을 비롯해 연봉 상한선 상향, 차량 유지비 및 유류비 등 통상임금 확대, 인사평가 개선 구성원 대상 업적금 800% 보장, 초과이익분배금(PS) 배분율 상향 및 상한 폐지 등을 요구했다. SK하이닉스는 2021년부터 PS를 전년 영업이익의 10%를 재원으로 삼아 개인별 성과 등을 연계해 지급했다. 노조는 "과거 외부 요인에 의해 임금 인상이 됐다면 이제 구성원이 수용할 수 있는 합리적 (임금 인상) 수준이 필요하다"고 설명했다. 사측은 대내외 경영 환경과 보상 경쟁력 수준 등을 포함해 데이터 기반의 다양한 지표를 종합적으로 고려하겠다는 입장이다. 사측은 "향후 임금 교섭 과정에서 건설적이고 생산적인 논의가 이뤄지길 기대한다"고 했다. 앞서 지난해 SK하이닉스 노사가 최종 합의한 임금 인상률은 5.7%다. 노조는 작년에도 당초 8%대 인상을 요구했으나 2022년 5.5%, 2023년 4.5%보다 인상률을 소폭 올리는 수준에서 접점을 찾았다.  SK하이닉스는 지난해 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력을 발판으로 23조4673억원의 영업이익을 달성했다. 역대 최대다. SK하이닉스는 복수노조 체제를 갖추고 있다. 민주노총 산하 기술사무직 노조, 한국노총 소속의 이천·청주공장 전임직 노조가 있고 따로 임금 협상을 한다. kjh0109@fnnews.com 권준호 기자

[파이낸셜뉴스] 곽노정 SK하이닉스 사장을 비롯해 SK하이닉스의 C레벨(최고경영진)이 미국 실리콘밸리에서 인공지능(AI)인재 확보에 나섰다. SK하이닉스는 풀 스택 AI 메모리 프로바이더로서의 비전을 함께 실현할 글로벌 인재를 찾아 이달 30일부터 6월 1일(현지시간)까지 미국 캘리포니아주 산타클라라에서 '2025 SK 글로벌 포럼'을 개최한다고 29일 밝혔다. SK 글로벌 포럼은 미국 내 인재들을 초청, 회사의 성장전략을 공유하는 자리로, 현지 우수인재를 발굴하는 기회의 장으로 활용돼 왔다. 이번 행사에는 곽노정 대표이사 사장( 사진)을 필두로, 김주선 AI Infra 사장(CMO·최고마케팅책임자), 안현 개발총괄 사장(CDO·최고개발책임자),차선용 미래기술연구원장(CTO, 최고기술책임자)등 C레벨 경영진이 직접 참석해 초청 인재들과 교류에 나선다. 곽 CEO는 개막 기조연설을 통해 AI 시대에 대응하는 회사의 비전과 전략을 제시한다. 안 CDO는 차세대 메모리 기술과 제품 개발 로드맵에 대해 소개할 예정이다. SK하이닉스 관계자는 이번 포럼에 대해 "AI 메모리 생태계를 전방위로 확장하기 위해 컴퓨팅 시스템에 대한 역량을 강화할 시점"이라며 "이 분야에서 전문성을 가진 인재들과 교류를 확대하기 위해 올해 포럼에 시스템 아키텍처 세션을 신설했다"고 밝혔다.  ehcho@fnnews.com 조은효 기자