[파이낸셜뉴스] 키움증권은 22일 SK하이닉스에 대해 낸드 경쟁 심화가 예상된다며 목표주가를 기존 22만원에서 21만원으로 낮췄다. 다만 투자의견은 '매수'를 유지했다. 키움증권 박유악 연구원은 "전방 수요 부진과 푸젠진화반도체(JHICC), 키오시아(Kioxia) 등과의 경쟁 심화로 인해 범용 메모리의 판매 가격이 시장 예상치를 하회할 것으로 보인다"며 "실적에 대한 시장 기대치가 낮아져야 할 때"라고 말했다. 키움증권에 따르면 4·4분기 SK하이닉스의 영업이익은 7조4000억원으로 시장 전망치를 밑돌 전망이다. 내년도 1·4분기 역시 매출액 15조9000억원, 영업이익 5조4000억원을 기록하며 전 분기 대비 하락할 것으로 예상됐다. 박 연구원은 "수요 비수기 진입에 따른 출하량 감소와 판매 가격 하락이 아쉬운 실적으로 나타날 것"이라며 "1·4분기 단기 판매량과 실적이 우리의 예상치를 넘어설 수도 있어보이지만, 우려보다 빠르게 악화되고 있는 낸드의 업황 흐름에 집중해야 한다"고 설명했다. 다만 범용 디램(DRAM) 및 고대역폭메모리(HBM3e)의 업황 호조는 이어질 것이라는 시각이다. 박 연구원은 "HBM3e의 GB당 가격이 HBM3 대비 20% 이상 상승하고, 범용 디램의 가격도 내년도 2·4분기부터 반등하며 SK하이닉스 디램 부문의 실적 성장세를 이끌어 갈 것"이라고 말했다. hippo@fnnews.com 김찬미 기자

[파이낸셜뉴스] DB금융투자가 SK하이닉스 지분 가치가 하락했다며 SK스퀘어 목표주가를 9만9000원으로 하향했다. 투자의견은 매수를 유지했다. 22일 신은정 DB금융투자 연구원은 “SK스퀘어 주가가 주로 하이닉스 주가와 연동되지만 최근 2년간 시행했던 약 4100억원 규모의 자사주 매입 및 소각 또한 주가 우상향에 긍정적 영향을 미쳤을 것”이라며 “2024년에도 이어질 꾸준한 주주환원 정책으로 할인율 50%대 진입도 충분히 가능할 것으로 기대한다”고 밝혔다. SK스퀘어는 전날 밸류업 공시를 통해 △2027년까지 순자산가치(NAV) 할인율 50% 이하 △2025~2027년 자기자본비용(COE)를 초과하는 자기자본이익률(ROE) 실현 △2027년까지 주가수익비율(PBR) 1배 이상의 목표를 제시했다. 이에 따라 우선 연내 1000억원 규모 자사주 매입 후 소각 예정이며 2025년 초에도 2024년 4월 매입했던 자사주 1000억원을 소각할 것으로 전망된다. 특히 2025년에도 경상 배당 수입 및 쉴더스 매각 대금을 기반으로 2024년보다 큰 규모 자사주 활용 방안이 기대되며 이외에도 할인율 축소를 위해 자회사 이익 개선, 반도체 AI 영역 신규 투자 등을 진행할 것으로 보인다. 하지만 DB금융투자가 이번 목표주가를 하향한 배경은 SK하이닉스의 지분 가치가 하락했기 때문이다. SK스퀘어는 SK하이닉스 지분 20.1%를 보유한 1대주주로 SK하이닉스 주가 변동에 큰 영향을 받는다. 반면 같은 날 SK증권은 SK스퀘어 기업가치 제고계획 발표 이후 목표주가를 10만5000원으로 높여 잡았다. 최관순 SK증권 연구원은 “보유 자사주 소각 및 신규 자사주 취득을 통해 주주환원정책에 대한 신뢰도가 상승했으며, 2025년 추가적인 자사주 매입소각 가능성이 높다”며 “목표주가 산정 시 적용하는 NAV 대비 할인율을 기존 60%에서 55%로 하향 조정하면서 목표주가를 기존 9만4000원에서 10만5000원으로 상향한다”고 밝혔다. seung@fnnews.com 이승연 기자

[파이낸셜뉴스]  키움증권은 반도체 업체 SK하이닉스에 대해 22일 "4분기 영업이익 7조4000억여원으로 시장 예상치를 하회할 것"이라며 목표주가를 21만원으로 내렸다. SK하이닉스의 전날 종가는 16만8800원이었다. 박유악 연구원은 이날 보고서에서 "전방 수요 부진과 중국창신메모리(CXMT), 키옥시아 등과의 경쟁이 심화해 범용 메모리의 판매가가 예측치를 밑돌 것으로 보인다"며 "D램은 서버 수요 증가세가 이어지며 출하량이 늘지만 낸드플래시는 단품 가격 하락이 예상된다"고 분석했다. 박 연구원은 "D램 업체들이 설비투자(CapEX)를 하향 조정하면서 내년 범용 D램과 HBM3e칩의 업황이 좋아질 것이라는 종전 시각은 유지한다. HBM3e가 종전 HBM3 대비 가격이 20% 이상 오르고 범용 D램도 내년 2·4분기부터 반등할 것"이라고 내다봤다. 그는 "낸드플래시는 경쟁 심화에 따른 가격 하락이 예측보다 더 크게 나타날 것으로 보이는 만큼 실적에 대한 시장 기대치가 낮아져야 할 것"이라고 덧붙였다. psy@fnnews.com 박소연 기자

SK하이닉스가 고대역폭메모리(HBM)로 써 내려간 인공지능(AI) 메모리 성공 신화를 321단 1테라비트(Tb) 트리플레벨셀(TLC) 4D 낸드플래시 양산을 통해 낸드에서도 이어간다. HBM으로 대표되는 D램은 물론 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 갖춘 '종합 AI 메모리 프로바이더'로 거듭난다는 전략이다. 21일 SK하이닉스는 지난해 6월 직전 세대 최고층 낸드인 238단 제품을 양산, 시장에 공급한 데 이어 300단을 넘어서는 낸드를 가장 먼저 선보이며 기술한계를 돌파했다고 밝혔다. 쌓기 경쟁이 치열한 낸드에서 300층 이상을 쌓은 기업은 전 세계에서 SK하이닉스가 유일하다. 이번 321단 제품은 기존 세대 대비 데이터 전송속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 또 데이터 읽기 전력효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급, 시장의 요구에 대응해 나갈 계획이다. AI 시대가 본격화되면서 낸드 분야에서도 고성능·고용량 솔루션에 대한 고객의 요구가 커지고 있다. SK하이닉스는 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 분야 강자로, 업계에서 유일하게 60테라바이트(TB) 제품을 대량 공급하고 있다. SK하이닉스는 지난 9월에는 현존 HBM 최대 용량인 36기가바이트(GB)를 구현한 HBM3E 12단 신제품을 세계 최초로 양산하는 데 성공했다. SK하이닉스는 이 제품을 연내 고객사에 공급할 예정이다. 지난 3월 HBM3E 8단 제품을 업계 최초로 고객에게 납품한 지 6개월 만에 또 한번 압도적 기술력을 증명하게 됐다. SK하이닉스는 또 지난 8월엔 세계 최초로 10나노급 6세대 1c 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램 개발에 성공했다. 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 제품을 공급, 메모리 반도체 시장의 성장을 끌어나갈 계획이다. SK하이닉스 최정달 부사장(NAND개발담당)은 "300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 SSD, 온디바이스 AI 등 AI 스토리지(저장장치) 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다"며 "HBM으로 대표되는 D램은 물론 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 '풀스택(Full Stack) AI 메모리 프로바이더'로 도약할 것"이라고 말했다. psy@fnnews.com 박소연 기자

SK하이닉스가 세계 최고층인 321단 ‘4D 낸드 플래시’ 양산에 돌입했다. 지난해 8월 관련 기술을 선보인 후 약 15개월 만이다. SK하이닉스는 21일 321단 1Tb(테라비트) TLC(트리플 레벨 셀) 4D 낸드플래시를 양산하기 시작했다고 밝혔다. 지난해 6월 238단 4D 낸드플래시 반도체 양산을 시작한 데 이어 차세대 제품인 300단 이상 낸드도 세계 최초로 양산에 들어갔다. SK하이닉스는 내년 상반기부터 321단 제품을 고객사에 공급할 계획이다. 낸드플래시는 스마트폰·PC 같은 전자기기와 서버에 탑재되는 데이터 저장용 반도체다. 고용량을 구현하기 위해 데이터 저장 공간을 고층 건물처럼 높게 쌓는 것이 중요하다. 이번 신제품은 기존 세대 대비 데이터 전송 속도는 12%, 읽기 성능은 13% 향상됐다. 데이터 읽기 전력 효율도 10% 이상 높아졌다. SK하이닉스는 321단 낸드로 인공지능(AI) 맞춤형 저전력 고성능 시장에도 적극 대응해나간다는 방침이다. SK하이닉스는 이번 제품 개발 과정에서 생산 효율이 높은 ‘3-플러그(Plug)’ 공정 기술을 도입해 적층 한계를 극복했다. 이 기술은 세 번에 나누어 플러그 공정을 진행한 후 최적화된 후속 공정을 거쳐 3개의 플러그를 전기적으로 연결하는 방식이다. 최정달 SK하이닉스 낸드개발담당(부사장)은 “300단 이상 낸드 양산에 가장 먼저 돌입하면서 AI 데이터센터용 SSD, 온디바이스 AI 등 AI 저장장치 시장을 공략하는 데 유리한 입지를 점하게 됐다”며 “이를 통해 고대역폭메모리(HBM)로 대표되는 D램은 물론, 낸드에서도 초고성능 메모리 포트폴리오를 완벽하게 갖춘 AI 메모리 공급 업체로 도약하겠다”고 말했다. psy@fnnews.com 박소연 기자

[파이낸셜뉴스] 예스티는 SK하이닉스로부터 고대역폭 메모리 반도체 생산 장비(e-Furnace) 주문을 받았다고 20일 공시했다.e-Furnace는 고성능 메모리 반도체인 HBM의 생산 공정을 최적화하는 핵심 장비다. 이 장비는 웨이퍼 완성 단계에 있는 반도체 칩들이 일정한 품질 수준에 도달했는지 확인하는 ‘EDS 테스트’ 공정 전에 웨이퍼의 전기적 특성을 개선한다. 이를 통해 HBM용 메모리 반도체의 전반적인 수율을 높이고 품질을 향상한다. 예스티는 이 장비를 통해 HBM3E를 층층이 쌓는 고품질 DRAM을 생산하려는 SK하이닉스에 기여하겠단 계획이다. 한편 예스티의 주요 고객사는 삼성전자로 최근까지 HBM용 가압 장비를 공급해왔다. fair@fnnews.com 한영준 기자

[파이낸셜뉴스]  올해 들어 삼성전자와 SK하이닉스의 미국 내 반도체 매출이 크게 늘어난 것으로 나타났다. 미국 내 인공지능(AI) 빅테크와 데이터센터 수요가 늘면서 고대역폭메모리(HBM)와 DDR5 등 고부가 반도체 판매를 확대한 영향이다. 특히 SK하이닉스는 HBM 5세대(HBM3E) 제품 공급에 힘입어 3·4분기 엔비디아에서만 6조원대 매출액을 올린 것으로 추정된다. 20일 금융감독원 전자공시시스템에 따르면 삼성전자 미국 반도체 판매법인(SSI)의 올 1·4~3·4분기 매출액은 30조4438억원으로 지난해 같은 기간(16조3185억원)보다 2배가량 증가했다. 더블데이트레이트5(DDR5), 서버용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등 고부가 D램과 낸드플래시 판매량이 확대된 영향으로 분석된다. 같은 기간 SK하이닉스도 미국 법인의 반도체 매출이 많이 증가했다. 올 1·4~3·4분기 SK하이닉스 아메리카 법인의 매출은 21조1584억원으로 전분기(7조7776억원)보다 3배 가까이 올랐다. 최대 고객사인 엔비디아에 HBM3E 8단 제품 공급이 늘면서 매출도 함께 커진 것으로 추정된다. SK하이닉스는 지난 3월부터 엔비디아에 HBM3E 제품을 공급하고 있다. 특히 SK하이닉스는 올 3분기 엔비디아에서만 매출 6조959억원을 올린 것으로 추정된다. 삼성전자와 SK하이닉스는 중국에서도 매출 상승세를 이어가고 있다. 삼성전자의 중국 시안 법인(SCS)의 1~3분기 매출은 8조6095억원으로 작년 동기(6조9017억원)보다 증가했다. SK하이닉스 중국 우시 법인도 같은 기간 5조2558억원에서 10조6166억원으로 2배가량 올랐다. psy@fnnews.com 박소연 기자

SK하이닉스 P&T(Package & Test)담당 최우진 부사장(사진)이 반도체 패키징 분야 기술혁신을 통해 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 향상을 이루어낸 공로로 동탑산업훈장을 받았다고 SK하이닉스가 19일 밝혔다. 시상식은 지난 7일 서울 여의도 FKI 타워에서 열린 '제48회 국가생산성대회'에서 개최됐다. 산업통상자원부가 주최하고 한국생산성본부가 주관하는 국가 생산성 대상은 탁월한 생산성 혁신을 달성한 기업과 유공자에게 수여된다. 최 부사장은 HBM 기술혁신을 바탕으로 인공지능(AI) 메모리 시장 선도 지위 확보, 소·부·장(소재·부품·장비) 글로벌 공급망 불안 해소, 제조·기술 혁신을 통한 생산성 향상 및 위기 극복 등의 공로를 인정받아 수훈의 영예를 안았다. psy@fnnews.com 박소연 기자

[파이낸셜뉴스]  SK하이닉스 P&T(Package & Test)담당 최우진 부사장이 반도체 패키징 분야 기술 혁신을 통해 고대역폭메모리(HBM) 경쟁력 향상을 이루어낸 공로로 동탑산업훈장을 수상했다고 SK하이닉스가 19일 밝혔다. 시상식은 지난 7일 서울 여의도 FKI 타워에서 열린 ‘제48회 국가생산성대회’에서 진행됐다. 산업통상자원부가 주최하고 한국생산성본부가 주관하는 국가 생산성 대상은 탁월한 생산성 혁신을 달성한 기업과 유공자에게 수여된다. 최 부사장은 HBM 기술 혁신을 바탕으로 인공지능(AI) 메모리 시장 선도 지위 확보, 소·부·장(소재·부품·장비) 글로벌 공급망 불안 해소, 제조·기술 혁신을 통한 생산성 향상 및 위기 극복 등의 공로를 인정받아 수훈의 영예를 안았다. 그는 "많은 도전과 변화 속에서도 우리가 모두 멈추지 않고 혁신과 성장을 추구해 온 덕분에, 제가 이런 큰 상을 받을 수 있었다고 생각한다"고 소감을 전했다. 최 부사장이 이끄는 P&T 조직은 반도체 생산공정 중 후(後) 공정에 해당하는 패키징과 테스트를 담당한다. 팹(Fab)에서 전(前) 공정을 마친 웨이퍼를 고객이 사용할 수 있는 제품 형태로 패키징하고, 고객이 요구하는 수준에 적합한 품질인지 테스트해 신뢰성까지 확보하는 역할이다. 패키징 기술력은 SK하이닉스 HBM 경쟁력의 핵심이다. SK하이닉스는 D램에 미세 구멍을 뚫어 칩들을 수직관통전극으로 연결하는 기술인 TSV와 층층이 쌓인 칩 사이 범프를 녹여 칩끼리 연결하고, 칩 사이에 보호재를 채워 내구성과 열 방출 효과를 높이는 기술인 매스 리플로우(MR)-몰디드 언더필(MUF)을 갖고 있다. 최 부사장은 지난 2019년 HBM 3세대 제품인 HBM2E 패키지에 최초로 MR-MUF 기술을 도입해 열과 압력으로 인한 품질 문제를 개선했으며, 수율을 개선하고 생산량을 끌어올려 시장 판도를 바꿨다. 또 MR-MUF 기술을 고도화한 ‘어드밴스드 MR-MUF’ 기술을 개발해 4세대 HBM3 12단과 5세대 HBM3E 개발 및 양산까지 성공으로 이끌었다. 최 부사장은 구성원들에게 "마지막까지 품질 향상에 대해 깊이 고민하기 바란다"며 "‘기술’과 ‘품질’이라는 기본을 잊지 않고, 도전 정신을 발휘한다면 위기가 다시 닥쳐와도 우리는 그것을 또 다른 ‘기회’로 만들 수 있을 것"이라고 말했다. psy@fnnews.com 박소연 기자

[파이낸셜뉴스] 국내 500대 기업의 3·4분기 매출이 전년 동기 대비 4% 올랐다. 영업이익은 30% 이상 급증했다.3·4분기 영업이익이 가장 많은 기업은 삼성전자, 전년 동기 대비 영업이익이 가장 많이 증가한 기업은 SK하이닉스다. 두 반도체 양강 기업 덕분에 IT전기전자 업종의 영업이익은 전년 동기 대비 520% 이상 급증했지만, 석유화학 업종은 적자 전환했다. 15일 기업데이터연구소 CEO스코어가 국내 매출 500대 기업 중 지난 14일까지 분기 보고서를 제출한 332개 사를 대상으로 올 3·4분기 실적을 조사한 결과, 이들 기업의 3·4분기 영업이익은 58조6151억원으로 집계됐다. 전년 동기(43조7881억원) 대비 14조8270억원(33.9%) 증가했다. 이들 기업의 3·4분기 매출액도 776조9907억원으로 전년 동기(743조9593억원) 대비 33조314억원(4.4%) 늘었다. 기업별로 보면 삼성전자의 3·4분기 영업이익이 가장 많았다. 지난해 동기(2조4335억원) 대비 6조7499억원 늘어난 9조1834억원을 기록했다. 2위는 7조300억원의 영업이익을 낸 SK하이닉스다. 이어 현대자동차(3조5809억원), 한국전력공사(3조3961억원), 기아(2조8813억원) 순이다. 3·4분기 영업이익이 가장 많이 증가한 곳은 SK하이닉스다. 전년 동기 대비 8조8220억원(흑자전환) 급증했다. 인공지능(AI) 붐을 탄 고대역폭메모리(HBM), 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD) 등 AI 메모리 특수 덕분이다. 삼성전자가 2위다. 지난해 같은 기간 대비 6조7499억원(277.4%) 늘었다.  3·4분기 영업이익이 전년 동기 대비 가장 많이 감소한 곳은 GS칼텍스로, 전년 동기 대비 1조5582억원(적자 전환) 줄었다. psy@fnnews.com 박소연 기자