하이닉스반도체는 휴렛팩커드(HP)와 차세대 메모리 제품인 Re램(저항변화 메모리) 상용화를 위한 공동개발 계약을 체결했다고 1일 밝혔다.
Re램은 낸드플래시의 속도와 대용량화의 한계를 모두 극복할 수 있을 뿐만 아니라 효율적인 차세대 메모리로 평가받고 있다.
이번 계약은 Re램 구현 방법 중 하나인 HP의 '멤리스터' 기술력과 하이닉스의 메모리 반도체 기술경쟁력을 기반으로 이루어진 협력이다. 이에 따라 하이닉스는 Re램에 대한 상용화 기술력을 확보하게 됐다. 메모리와 저항의 합성어인 멤리스터 기술은 차세대 메모리인 Re램을 구현하는 방법 중 하나로 HP가 자체 개발했다. 멤리스터 기술을 적용한 Re램은 낸드플래시보다 쓰기 속도가 100배 이상 빠르고 더 많은 정보 저장이 가능하다. 주로 디지털 카메라와 MP3플레이어, 개인휴대단말기(PDA), 메모리 스틱 등에 적용될 수 있다.
스탠 윌리엄스 HP 연구소 소장은 "이번 공동개발을 통해 HP의 혁신적인 기술이 선두 메모리 회사인 하이닉스를 통해 세계 시장에 대량으로 공급될 수 있을 것으로 기대된다"고 전했다.
하이닉스 최고기술책임자(CTO)인 박성욱 부사장은 "HP와의 Re램 공동개발로 현재 개발 중인 P램, STT-M램과 더불어 차세대 메모리 분야에서도 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라며 "향후 시장 변화와 고객 요구에 능동적으로 대응해 미래지향적 사업 역량을 지속적으로 확충할 것"이라고 말했다.
/coddy@fnnews.com예병정기자
Re램은 낸드플래시의 속도와 대용량화의 한계를 모두 극복할 수 있을 뿐만 아니라 효율적인 차세대 메모리로 평가받고 있다.
이번 계약은 Re램 구현 방법 중 하나인 HP의 '멤리스터' 기술력과 하이닉스의 메모리 반도체 기술경쟁력을 기반으로 이루어진 협력이다. 이에 따라 하이닉스는 Re램에 대한 상용화 기술력을 확보하게 됐다. 메모리와 저항의 합성어인 멤리스터 기술은 차세대 메모리인 Re램을 구현하는 방법 중 하나로 HP가 자체 개발했다. 멤리스터 기술을 적용한 Re램은 낸드플래시보다 쓰기 속도가 100배 이상 빠르고 더 많은 정보 저장이 가능하다. 주로 디지털 카메라와 MP3플레이어, 개인휴대단말기(PDA), 메모리 스틱 등에 적용될 수 있다.
스탠 윌리엄스 HP 연구소 소장은 "이번 공동개발을 통해 HP의 혁신적인 기술이 선두 메모리 회사인 하이닉스를 통해 세계 시장에 대량으로 공급될 수 있을 것으로 기대된다"고 전했다.
하이닉스 최고기술책임자(CTO)인 박성욱 부사장은 "HP와의 Re램 공동개발로 현재 개발 중인 P램, STT-M램과 더불어 차세대 메모리 분야에서도 경쟁력을 더욱 강화할 것"이라며 "향후 시장 변화와 고객 요구에 능동적으로 대응해 미래지향적 사업 역량을 지속적으로 확충할 것"이라고 말했다.
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