이미지 센서에서 컬러필터를 제외해 공간 집약도를 극대화한 기술이 개발됐다.
정대성 교수(DGIST) 연구팀은 간섭계 전극을 이용해 컬러필터 없는 풀컬러 이미지 센서를 개발했다고 한국연구재단이 19일 밝혔다.
현재 사용되는 이미지 센서에는 대상의 색깔을 정확하게 촬영하는 기능을 위해 컬러필터가 포함돼 있다. 그러나 컬러필터 삽입으로 인한 전자소자의 효율 저하, 공정비용 증가, 센서의 두꺼운 부피 등 단점이 지적되고 있다.
연구팀은 기존 이미지 센서의 투명전극을 간섭계 구조의 전극으로 대체해, 전극과 컬러필터의 역할을 동시에 수행하도록 구현했다. 또한 이를 적용한 이미지 센서 시제품 제작에도 성공했다.
간섭계 구조에서 빛의 다중 간섭이 일어나 특정 파장의 빛만 투과되는 원리를 이용했다. 특히 간섭계 전극 구성요소의 성분과 두께를 조절함으로써, 전기전도성을 희생하지 않고도 적색(R)/녹색(G)/청색(B) 각각의 색 선택성을 높여주었다.
개발한 간섭계 전극을 가시광선 전 영역을 흡광하는 고성능 광다이오드 구조에 적용해 색 선택성 광다이오드를 제작하고, 이 광다이오드가 10×10 픽셀로 배치된 이미지 센서를 제작했다.
seokjang@fnnews.com 조석장 기자
정대성 교수(DGIST) 연구팀은 간섭계 전극을 이용해 컬러필터 없는 풀컬러 이미지 센서를 개발했다고 한국연구재단이 19일 밝혔다.
현재 사용되는 이미지 센서에는 대상의 색깔을 정확하게 촬영하는 기능을 위해 컬러필터가 포함돼 있다. 그러나 컬러필터 삽입으로 인한 전자소자의 효율 저하, 공정비용 증가, 센서의 두꺼운 부피 등 단점이 지적되고 있다.
연구팀은 기존 이미지 센서의 투명전극을 간섭계 구조의 전극으로 대체해, 전극과 컬러필터의 역할을 동시에 수행하도록 구현했다. 또한 이를 적용한 이미지 센서 시제품 제작에도 성공했다.
간섭계 구조에서 빛의 다중 간섭이 일어나 특정 파장의 빛만 투과되는 원리를 이용했다. 특히 간섭계 전극 구성요소의 성분과 두께를 조절함으로써, 전기전도성을 희생하지 않고도 적색(R)/녹색(G)/청색(B) 각각의 색 선택성을 높여주었다.
개발한 간섭계 전극을 가시광선 전 영역을 흡광하는 고성능 광다이오드 구조에 적용해 색 선택성 광다이오드를 제작하고, 이 광다이오드가 10×10 픽셀로 배치된 이미지 센서를 제작했다.
seokjang@fnnews.com 조석장 기자
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