中 기업에 삼성전자 반도체 기술 넘긴 혐의
[파이낸셜뉴스] 삼성전자와 하이닉스반도체(현 SK하이닉스) 임원을 지낸 최모씨가 기술유출 혐의로 재차 구속됐다.
6일 법조계에 따르면 서울중앙지법 김미경 영장전담 부장판사는 지난 5일 부정경쟁방지 및 영업비밀보호에 관한 법률 위반 혐의를 받는 최씨와 전직 삼성전자 수석연구원 오모씨에 대한 구속 전 피의자 심문(영장실질심사)을 열고 "도망 염려가 있다"며 구속했다.
이들은 삼성전자의 반도체 독자 기술을 중국 청두가오전에 유출한 혐의를 받는다. 20나노급 D램 반도체를 생산하는 데 필요한 온도, 압력 등 공정과 관련한 핵심 정보를 넘긴 것으로 전해졌다.
최씨는 삼성전자 상무, 하이닉스 부사장을 지낸 인물로, 지난 2021년 청두시로부터 투자를 받아 청두가오전을 설립한 바 있다. 그는 삼성전자 반도체 공장 설계도를 빼내 중국에 '삼성전자 복제공장' 설립을 시도한 혐의로 지난해 6월 구속기소 되기도 했다.
경찰은 지난 1월 삼성전자 수석연구원을 지낸 오씨에 대해 삼성전자가 독자적으로 개발한 D램 20나노 기술을 청두가오전에 넘긴 혐의로 영장을 신청했지만, 법원에서 기각됐다. 이에 경찰은 보완수사 후 영장을 다시 신청하면서, 최씨를 포함한 것으로 알려졌다.
jisseo@fnnews.com 서민지 기자
※ 저작권자 ⓒ 파이낸셜뉴스, 무단전재-재배포 금지