美행사서 발표…AMD와 메모리 확장 설루선 공동 시연도
[파이낸셜뉴스]삼성전자가 미국 실리콘밸리에서 열린 글로벌 정보기술(IT) 인프라 행사에서 속도와 확장성, 영속성에 초점을 맞춘 새 메모리 전략을 공개했다.
심호준 삼성전자 DS부문 메모리사업부 AE팀 상무는 12일(현지시간) 미국 캘리포니아주 새너제이컨벤션센터에서 열린 'OCP(오픈컴퓨트프로젝트) 글로벌 서밋'에서 이 같은 내용을 발표했다.
심 상무는 AI 모델이 대형화하고 추론 과정에서 처리해야 할 데이터와 KV캐시(임시저장 키값) 용량이 급증하면서 메모리 대역폭을 넘어 용량 확장과 데이터 저장 기술이 핵심으로 부상함에 따라 이들 전략이 중요해졌다고 설명했다.
우선 속도 측면에서 삼성전자는 최첨단 '고대역폭 메모리(HBM)5'와 맞춤형 HBM, 연산칩 위에 메모리를 적층하는 zHBM, 간단한 연산은 메모리 내에서 수행하는 PIM 등을 준비하고 있다.
메모리 확장성 측면에서는 연산을 담당하는 AI 가속기와 메모리를 효율적으로 연결해주는 대체 기술 '컴퓨트익스프레스링크'(CXL)와 이를 활용한 메모리 모듈인 CMM-D(CXL Memory Module-DRAM) 기반 기술로 데이터 관리 효율을 개선할 방침이다.
마지막으로 데이터 영속성 측면에서는 차세대 기업용 반도체디스크(SSD) 등 최신 스토리지 기술을 통해 대규모 AI 데이터의 저장 성능과 용량 극대화를 꾀한다.
삼성전자는 이번 행사의 전시 공간을 통해 HBM5의 모형(Mockup)과 웨이퍼 등 이들 3대 전략의 핵심 축이 되는 제품을 전시한다.
심 상무는 이러한 전략을 수행하는 과정에서 글로벌 고객·파트너사와 개발 초기부터 공동 설계와 기술 검증 협력을 확대하고 있다고 전했다.
또한 삼성전자는 이번 행사에서 AMD와 CXL 기반 메모리 확장 설루션을 공동 시연해 기존 시스템의 메모리 용량 한계를 보완하는 방안도 제시할 예정이다.
리사 수 AMD 최고경영자(CEO)가 최근 방한해 삼성전자를 방문하는 등 양사는 긴밀한 교류를 이어가고 있다.
카운터포인트리서치와 트렌드포스 등 시장조사업체들에 따르면 삼성전자는 올해 2분기 글로벌 D램 시장에서는 39%의 점유율로, 낸드 시장에서는 29.3%의 점유율로 각각 1위를 기록했다.
생산능력 면에서도 삼성전자는 300㎜ 웨이퍼 기준 올해 연간 약 817만5000 장의 D램을 생산할 수 있는 것으로 전망돼 SK하이닉스(666만장)와 마이크론(360만장)을 넘어서는 것으로 시장조사업체 옴디아는 평가했다.
OCP 글로벌 서밋은 전 세계 IT·반도체·서버·데이터센터 기업들이 참여해 개방형 하드웨어 기술과 표준화, AI 인프라 혁신 방향 등을 논의하는 연례행사다.
[email protected] 이석우 국제전문기자
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