[파이낸셜뉴스] SK키파운드리 노사가 ‘초록우산 어린이재단 충북지역본부’와 지난 13일 청주시 내 지역 소외계층 아동의 따듯한 겨울나기 지원을 위한 ‘사랑의 김장 봉사’ 활동을 가졌다고 14일 밝혔다.  경제적으로 어려운 가정의 아동에게 건강한 먹거리 제공과 따듯한 겨울 나기를 지원하기 위해, SK키파운드리 구성원들은 총 1000여 만원의 후원금을 매월 꾸준히 모금해 왔다. 해당 모금액으로 마련된 이번 김장 나눔 행사에는 총 40여 명의 구성원이 직접 참여해 2000㎏(200박스) 김장 김치를 함께 담갔다. 김치는 청주지역 70여개 지역아동센터, 청주사회복지관, 생활학교 및 한부모가족이 지내는 청주 ‘해오름마을’ 등에 전달됐다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

[파이낸셜뉴스] SK키파운드리는 고전압IC(HVIC) 공정을 출시했다고 24일 밝혔다. 이를 통해 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대·강화한다는 계획이다. HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS, 650V 이상의 부트스트랩 다이오드 등을 하나의 공정에 구현한 기술이다. 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있는 게 특징이다. HVIC 공정은 자동차용 품질 규격(AEC-Q100) 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기차용 온보드차저(OBC), 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대된다. SK키파운드리는 HVIC 공정 개발을 통해 650~1200V 수준의 게이트 드라이버 제품은 물론 고전압 BCD 공정 200V 이하 제품과 1500V 이상 초고전압 제품 라인업을 갖추게 됐다. psy@fnnews.com 박소연 기자

파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 HVIC(High Voltage Integrated Circuit) 공정 기술 출시를 통해 자사 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대 강화했다고 24일 밝혔다. SK키파운드리 HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS(Lateral Double diffused MOS), 650V 이상의 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode) 등을 하나의 공정에 구현해 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있는 것이 특징이며, 여기 포함된 25V 고전압 소자 및 650V nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다. 또한 Non-volatile 소자인 MTP(Multi Time Program) IP와 OTP(One Time Program) IP를 옵션으로 함께 제공해 고객이 하나의 디자인에서 다양한 제품 스펙 변경이 가능하다. SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발을 통해 기존 고전압 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정의 200V 이하 제품과 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션을 통한 1,500V 이상 초고전압 제품 라인업에 더해, 650V~1,200V 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 되었다. 특히 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용 OBC에 적합할 뿐 아니라 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대되고 있다. HVIC 공정을 사용하는 주요 제품에는 MCU(Micro Controller Unit)에서 제어 신호를 받아 고전압 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 또는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등의 게이트를 직접 구동하는 고전압용 게이트 드라이버 IC 등이 있으며, 이는 대형 백색 가전용 모터 드라이브, 데이터 서버용 전압 변환기, 자동차용 모터 드라이브 및 OBC(On Board Charger), 산업용 모터 드라이브 등 다양한 전력용 제품에 사용되고 있다. SK키파운드리 이동재 대표는 "HVIC 공정 기술 출시로 대형 가전과 차량용 모터 시장에서 SK키파운드리 경쟁력을 강화하게 되어 의미 있게 생각한다"며, "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능토록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 밝혔다.

8인치 순수 파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 기존 3세대 대비 성능이 약 20% 향상된 4세대 0.18㎛ BCD 공정 출시를 통해 모바일 및 전력 반도체 성능 향상을 위한 솔루션을 제공한다고 11일 밝혔다. SK키파운드리의 이번 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 3.3V, 5V, 18V 등 다양한 전력 소자 게이트 입력단을 포함한 40V급까지의 전력 소자들을 제공해 서버 및 노트북용 PMIC, DDR5 메모리용 PMIC, Mobile charger, Audio Amp., 차량용 Gate driver 등 다양한 응용 분야에서 고객 필요에 맞는 사양으로 사용 가능한 것이 특징이다. 또한 Trimming용 MTP(Multi-Time Programmable)/OTP(One-Time Programmable) memory, SRAM memory 등을 옵션으로 제공해 고객의 제품 설계를 용이하게 한다. SK키파운드리의 4세대 0.18㎛ BCD 공정은 자동차용 전력 반도체에 사용 가능하도록 125℃ 고온 환경에서 IC 동작을 보장하는 자동차 품질 규격 AEC-Q100 Grade1을 만족했으며, Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션 제공을 통해 15,000V 이상 고전압을 견디는 자동차용 Isolator 제품 설계 또한 가능하다. SK키파운드리는 3세대 0.18㎛ BCD 공정으로 쌓여온 대량 양산 경험과 고객의 높은 신뢰 수준을 바탕으로, 이번 4세대 0.18㎛ BCD공정이 모바일 디바이스의 배터리 수명 연장과 낮은 발열을 통한 안정된 성능 구현, 차량용 전력 반도체 에너지 효율 향상을 통한 성능 향상에 기여할 것으로 기대된다고 밝혔다. SK키파운드리 이동재 대표는 "개선된 성능의 새로운 4세대 0.18㎛ BCD 공정을 고객에게 제공하게 된 것을 기쁘게 생각한다"며, "SK키파운드리는 전력용 반도체 공정 기술 경쟁력을 지속 강화하고 고객과의 긴밀한 협력을 통해 AI 서버용 PMIC, DDR5 PMIC, 자동차용 Gate driver IC 등 향후 높은 성장이 기대되는 다양한 응용 분야로 사업을 확대해 나갈 것"이라고 말했다.

8인치 순수 파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 차세대 전력 반도체 질화갈륨(GaN)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발 완료를 목표로 박차를 가하고 있다고 19일 밝혔다. SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해 2022년 정식 팀을 구성, GaN 공정을 개발해 왔으며, 최근 650V GaN HEMT 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아 실리콘 기반 제품보다 방열 기구 비용을 감소시켜 기존 실리콘과 비교해 최종 고객의 시스템 가격이 큰 차이가 나지 않게 된다. 이는 실리콘 기반의 650V 제품으로 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 시장에서 비즈니스 중인 팹리스 고객들의 프리미엄 제품 개발에 유리한 장점으로 작용할 것이라는 게 회사 측의 설명이다. SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 깊은 관심을 보이는 다수의 기존 전력 반도체 공정 사용 고객에게 적극 프로모션에 나선다는 방침이다. GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. 시장조사기관 OMDIA에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억불에서 2032년 64억불까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망되며, 주로 전원 공급 장치, 하이브리드 및 전기차, 태양광 발전 인버터 등에 사용된다. SK키파운드리는 650V GaN HEMT를 기반으로 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이라고 관계자는 전했다. SK키파운드리 이동재 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며, "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다.

SK키파운드리(대표이사 이동재)가 차량용 전력 반도체 설계 기업들이 고성능 차량용 반도체 제품을 설계할 수 있도록 개선된 0.13㎛ BCD 공정을 제공한다고 25일 밝혔다. SK키파운드리의 개선된 0.13㎛ BCD 공정은 자동차 전자부품 신뢰성 평가 규정인 AEC-Q100의 Grade-0 인증을 충족해 최대 150℃까지의 사용 환경 온도를 견뎌야 하는 고성능/고신뢰성 차량용 반도체에 적합한 공정임을 인증 받았다. 특히 이번 공정은 120V급까지의 고전압 소자 제공과 동시에 15KV 이상의 절연 기술을 구현해 전기차에 사용되는 BMS IC, Isolated gate driver IC, DC-DC IC, CAN/LIN transceiver IC 등 고전압/고신뢰성 제품의 설계를 가능하게 한다. 또한 고전압 BCD 공정에서 고밀도 플래시 메모리 IP 사용이 가능해 MCU 기능이 필요한 Motor Driver IC, LED driver IC, Sensor controller IC, Power Delivery controller IC 등의 차량용 반도체에도 적합한 공정 기술이다. 특히 플래시 IP 프로그래밍이 10만회까지 가능해 반복적인 데이터 변경이 필요한 고성능 제품에도 고객들이 광범위하게 사용할 수 있는 것이 특징이다. 차량용 전력 반도체 시장은 거시적으로 전기차의 확산과 차량 내 전자기기 증가에 힘입어 향후 지속적인 확대가 예상되고 있다. 시장 조사기관 OMDIA에 따르면 차량용 전력 반도체 시장은 2023년 208억 달러에서 2028년 325억 달러 규모로 연평균 9.3% 성장이 전망되고 있다. SK키파운드리는 차량용 반도체에 적합한 고성능 공정 기술을 지속 개발하는 한편, 높은 품질 관리 수준으로 품질 요구 조건이 까다로운 글로벌 탑티어(Tier-1) 자동차 벤더들로부터 자동차 부품 대상의 생산 품질 심사(Audit)를 통과해옴으로써 고객 요구를 충족하는 파운드리 서비스를 제공하는 동시에 차량에 탑재 가능한 수준의 높은 공정 신뢰성을 확보한 것으로 평가되고 있다. SK키파운드리 이동재 대표는 “차량용 전력 반도체 공정을 제공하는 파운드리가 제한적인 상황에서도 당사는 최고 성능을 갖춘 차량용 고전압 BCD 공정 제공을 위한 개선을 지속해왔다.”며, “주요 차량용 팹리스 업체와의 10년 이상 축적된 양산 경험과 확보된 양산 품질을 바탕으로 향후 8인치 차량용 전력 반도체 시장에서 확고한 성장 기반 확보를 사업 전략으로 강하게 추진해 나갈 것”이라고 설명했다.

8인치 순수 파운드리 반도체 기업인 키파운드리(대표이사 이동재)는 Vishay Intertechnology Inc.(이하 Vishay)와 다양한 Power MOSFET 제품의 장기 공급 계약을 체결했다고 밝혔다. Power MOSFET은 고전압, 고전류 동작 시에 저손실, 고속 스위칭, 고신뢰성 특성을 갖춰 거의 모든 전자 기기에 사용되는 Power Discrete 소자의 대표적인 제품이다. OMDIA에 따르면 Power Discrete 시장은 2027년 284억불 규모의 시장으로 2022년 212억불 대비 연평균 6% 성장이 예상된다. Vishay는 Power Discrete 시장 글로벌 리더 중 한 업체로, Vishay의 전력 반도체는 차량용 DC-DC Converter, Battery Management System, 공조 시스템(HVAC) 컨트롤, LED lighting 뿐만 아니라 TV, 냉장고, 세탁기, VR/AR 등 소비자 가전과 산업용 제품에도 광범위하게 적용되고 있다. 키파운드리와 Vishay는 다품종의 Power MOSFET 제품에 대해 장기 공급 계약을 체결했으며, 키파운드리는 2024년 양산을 목표로 개발에 착수할 계획이다. 또한 추가적인 제품 개발을 위한 본격적인 논의를 시작했다. 본 계약을 통해 Vishay는 Power MOSFET 제품의 안정적인 파운드리 공급처를 확보하고, 키파운드리는 차량용 Power Discrete 대형 고객을 확보함으로써 장기적으로 차량용 반도체 매출 비중을 확대할 전망이다. Vishay의 CEO Joel Smejkal은 "이 계약을 통해 Vishay는 내부적으로나 외부적으로 Capa.를 확장하려는 계획에서 한걸음 더 나아가게 된 것으로, 특히 자동차 및 산업용 고객에 대한 현재의 MOSFET 공급 제약을 완화하는 데 도움이 될 것"이라면서, "파운드리 역량과 적극적인 대응에 키파운드리를 협력 파트너로 선정한 만큼 앞으로 키파운드리와의 협력을 통한 시너지를 기대하고 있다”고 밝혔다. 이동재 키파운드리 대표는 “차량용 전력 반도체 리딩 업체인 Vishay사와 협업하게 되어 기쁘다”면서, “키파운드리는 지속적인 공정 기술 향상 뿐만 아니라 영업마케팅, 품질, 생산 역량을 강화해 차량용 반도체 공급을 확대해 명품 파운드리로 성장해 나갈 것”이라고 밝혔다.

SK하이닉스는 2일 국내 8인치(200㎜) 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 키파운드리 인수 절차를 완료했다고 밝혔다. SK하이닉스는 지난해 10월 매그너스반도체 유한회사로부터 키파운드리 지분 100%를 5758억원에 매입하는 계약을 체결한 후 인수 절차를 진행해왔다. 이후 올해 상반기 한국, 중국 등의 기업결합심사 승인을 받았다. 키파운드리는 8인치 웨이퍼 기반으로 1979년 설립된 LG반도체가 모체다. 1999년 현대전자와 합병하면서 하이닉스반도체가 됐고, 2004년 하이닉스가 구조조정 과정에서 비메모리 부문을 분리한 뒤 매그나칩반도체를 세워 해외 CVC캐피탈에 매각했다. 매그나칩 충북 청주 파운드리 라인만 별도 떼내 세운 회사가 키파운드리다. 전력반도체, 디스플레이구동칩, 마이크로컨트롤러유닛(MCU) 등 비메모리 반도체를 위탁 생산하고 있다. 2021년 기준 매출액은 6160억원이다. 이번 인수로 SK하이닉스의 8인치 웨이퍼 생산량은 종전 두 배인 월 20만장 수준으로 증가한다. 키파운드리의 신임 대표이사는 이동재 SK하이닉스시스템IC 대표가 맡는 것으로 알려졌다. SK하이닉스 관계자는 "8인치 파운드리 자회사인 SK하이닉스시스템IC와 키파운드리의 역량을 활용해 글로벌 반도체 공급 안정화와 국내 시스템 반도체 생태계 발전에 기여하겠다"고 말했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스]SK하이닉스는 2일 국내 8인치(200㎜) 파운드리(반도체 위탁생산) 기업인 키파운드리 인수 절차를 완료했다고 밝혔다. SK하이닉스는 지난해 10월 매그너스반도체 유한회사로부터 키파운드리 지분 100%를 5758억원에 매입하는 계약을 체결한 후 인수 절차를 진행해왔다. 이후 올해 상반기 한국, 중국 등의 기업결합심사 승인을 받았다. 키파운드리는 8인치 웨이퍼 기반으로 1979년 설립된 LG반도체가 모체다. 1999년 현대전자와 합병하면서 하이닉스반도체가 됐고, 2004년 하이닉스가 구조조정 과정에서 비메모리 부문을 분리한 뒤 매그나칩반도체를 세워 해외 CVC캐피탈에 매각했다. 매그나칩 충북 청주 파운드리 라인만 별도 떼내 세운 회사가 키파운드리다. 전력반도체, 디스플레이구동칩, 마이크로컨트롤러유닛(MCU) 등 비메모리 반도체를 위탁 생산하고 있다. 2021년 기준 매출액은 6160억원이다. 이번 인수로 SK하이닉스의 8인치 웨이퍼 생산량은 종전 두 배인 월 20만장 수준으로 증가한다. 키파운드리의 신임 대표이사는 이동재 SK하이닉스시스템IC 대표가 맡는 것으로 알려졌다. SK하이닉스 관계자는 “8인치 파운드리 자회사인 SK하이닉스시스템IC와 키파운드리의 역량을 활용해 글로벌 반도체 공급 안정화와 국내 시스템 반도체 생태계 발전에 기여하겠다"고 말했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

국내 유일의 순수 파운드리 반도체 기업인 키파운드리(대표이사 이태종)는 저전압 PMIC 용 0.18-micron 30V NON-EPI(Epitaxy) BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정을 출시한다고 밝혔다. 금번 출시한 키파운드리의 0.18-micron 30V NON-EPI BCD 공정은 EPI Layer가 없음에도 기존 EPI BCD 공정과 비교 시 동일 수준의 성능을 보인다. 이 공정은 고내압, 고신뢰성, 고효율이 요구되는 전력반도체에 적합하여 스마트폰 및 스마트워치용 DC-DC IC, Charger IC 등 저전압 PMIC의 생산에 사용된다. 키파운드리는 새롭게 선보이는 0.18-micron 30V NON-EPI BCD 공정을 통해 5~30V 급의 다양한 동작 전압 소자를 지원하며, EPI를 기반으로 양산 중인 기존 0.18-micron BCD 공정과 동일한 Rsp(Specific On-resistance, 단위 면적당 On 저항) 성능을 유지한다. EPI 공정을 진행하지 않는 만큼 공정 효율을 높였으며, 5V Power Block 용으로 5V LDMOS를 제공하여 능률적인 설계를 지원한다. 나아가, EPI BCD 공정과 동일한 특성의 Logic 소자를 구현하여, 현재 양산 중인 0.18-micron BCD 공정의 디지털 라이브러리 및 IP와 호환이 가능하다. 또한 추가 공정없이 MTP(Multi-time Programmable) 및 OTP(One-time Programmable) IP를 사용할 수 있도록 편리성을 도모하였다. 이러한 장점을 바탕으로 키파운드리의 0.18-micron 30V NON-EPI BCD 공정은 메모리 기능이 필요한 전력 반도체 등 다양한 어플리케이션에서 응용될 수 있다. 키파운드리는 0.18-micron 30V NON-EPI BCD 공정의 개발 단계에서부터 전력 반도체 팹리스 고객과 밀접하게 소통하며 시장에서 필요로 하는 요구 사항을 적극 반영하였다. 사용자 편의성 강화를 위해 고객 친화적인 Layout Option과 Design Kit가 제공되므로, 해당 고객은 기존 제품 대비 성능 향상 및 공정 간소화 효과를 얻을 수 있다. 키파운드리의 새로운 NON-EPI BCD 공정은 자동차 전자부품 신뢰성 평가 규정인 AEC-Q100의 Grade-1 규격을 만족하여 모바일 뿐만 아니라 Motor Driver IC, DC-DC IC 등 차량용 전력 반도체 제품에도 활용 가능하다. 키파운드리 이태종 대표는 “최근 전력 반도체 시장이 빠르게 성장하면서 높은 수준의 신뢰성을 갖추면서도 간소화된 BCD 공정에 대한 파운드리 수요가 증가하고 있다” 면서, “키파운드리는 지속적인 공정 기술 향상을 통해, 최적화된 BCD 공정을 제공하여 전력 반도체 설계 기업의 요구를 만족시켜 나갈 것” 이라고 말했다.