세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 TSMC가 최선단공정 제조에 필요한 '하이 뉴메리컬어퍼처(NA) 극자외선(EUV)' 노광장비를 이달 말 도입한다. 초미세공정 두고 주도권을 다투는 삼성전자보다 한 발 빠른 행보다. 인공지능(AI) 특수에 3나노 이하 초미세공정 매출 비중이 급격히 확대되자 최첨단 장비를 빠르게 선점해 2나노 이하 공정 완성도를 높이겠다는 조치로 분석된다. 10일 반도체 업계 및 대만 이코노믹데일리뉴스에 따르면 TSMC는 이달 네덜란드 ASML이 생산하는 첫 하이 NA EUV 장비 'EXE:5000'을 인도받는다. 글로벌 반도체 기업 가운데 하이 NA EUV 장비를 도입한 것은 인텔에 이어 TSMC가 두 번째다. 하이 NA는 렌즈와 반사경 크기를 늘려 빛의 집광능력을 나타내는 수치인 NA를 0.33에서 0.55로 끌어올린 장비다. EUV는 극자외선 파장의 광원으로 웨이퍼에 패턴을 그리는데, 해상도를 높여 더 정밀하고 미세한 패턴을 새길 수 있다. 기존 EUV와 비교해 성능 향상, 수율(양품 비율) 개선, 생산비용 감축 등이 가능해 1대당 가격이 5000억원에 달하는 초고가임에도 글로벌 반도체 기업간 치열한 장비 확보전이 벌어지고 있다. 당초 TSMC는 하이 NA EUV 조기 도입에 회의적이었다. 기존 EUV에 비해 지나치게 고가인데다 생산 최적화 난이도가 높아 수율(양품 비율) 안정화를 위해 초기 비용 부담이 크다는 이유에서다. 그러나 예상보다 AI향 초미세공정 수요가 빠르게 증가하자 원래 계획을 바꿔 차세대 EUV를 선점, 기술 우위를 선점하겠다는 판단을 내렸다는 분석이다. 인텔이 파운드리 사업에서 극심한 부진을 겪으면서 TSMC가 하이 NA EUV를 활용한 초미세공정 경쟁에서 발 빠르게 치고 나갈 수 있는 환경도 조성됐다. TSMC는 2027년 양산이 예정된 1.4나노(A14) 공정부터 하이 NA EUV 기술을 채택할 것으로 전망된다. 반면 삼성전자는 하이 NA EUV 확보전에서 뒤처지며 전략 수정이 불가피해졌다. 삼성전자는 2027년 하이 NA EUV 상용화를 준비하고 있다. 장비 확보 이후에도 생산라인 내 설치부터 가동 등 최적화 작업에 상당 시간이 소요된다는 점에서 하이 NA EUV 도입 시기를 앞당기는데 주력할 것으로 예상된다. 삼성전자는 TSMC 로드맵에 발맞춰 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 양산을 계획하고 있다. 삼성전자로선 TSMC 추격을 위해 초미세공정 기술력을 검증해 대형 고객사 확보가 필요하다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 2·4분기 TSMCC의 파운드리 시장 점유율은 62.3%로, 삼성전자(11.5%)와 격차는 50.8%에 달한다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

#OBJECT0# [파이낸셜뉴스] 세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 TSMC가 최선단공정 제조에 필요한 '하이 뉴메리컬어퍼처(NA) 극자외선(EUV)' 노광장비를 이달 말 도입한다. 초미세공정 두고 주도권을 다투는 삼성전자보다 한 발 빠른 행보다. 인공지능(AI) 특수에 3나노 이하 초미세공정 매출 비중이 급격히 확대되자 최첨단 장비를 빠르게 선점해 2나노 이하 공정 완성도를 높이겠다는 조치로 분석된다. 10일 반도체 업계 및 대만 이코노믹데일리뉴스에 따르면 TSMC는 이달 네덜란드 ASML이 생산하는 첫 하이 NA EUV 장비 'EXE:5000'을 인도받는다. 글로벌 반도체 기업 가운데 하이 NA EUV 장비를 도입한 것은 인텔에 이어 TSMC가 두 번째다.  하이 NA는 렌즈와 반사경 크기를 늘려 빛의 집광능력을 나타내는 수치인 NA를 0.33에서 0.55로 끌어올린 장비다. EUV는 극자외선 파장의 광원으로 웨이퍼에 패턴을 그리는데, 해상도를 높여 더 정밀하고 미세한 패턴을 새길 수 있다. 기존 EUV와 비교해 성능 향상, 수율(양품 비율) 개선, 생산비용 감축 등이 가능해 1대당 가격이 5000억원에 달하는 초고가임에도 글로벌 반도체 기업간 치열한 장비 확보전이 벌어지고 있다.  당초 TSMC는 하이 NA EUV 조기 도입에 회의적이었다. 기존 EUV에 비해 지나치게 고가인데다 생산 최적화 난이도가 높아 수율(양품 비율) 안정화를 위해 초기 비용 부담이 크다는 이유에서다. 그러나 예상보다 AI향 초미세공정 수요가 빠르게 증가하자 원래 계획을 바꿔 차세대 EUV를 선점, 기술 우위를 선점하겠다는 판단을 내렸다는 분석이다. 인텔이 파운드리 사업에서 극심한 부진을 겪으면서 TSMC가 하이 NA EUV를 활용한 초미세공정 경쟁에서 발 빠르게 치고 나갈 수 있는 환경도 조성됐다. TSMC는 2027년 양산이 예정된 1.4나노(A14) 공정부터 하이 NA EUV 기술을 채택할 것으로 전망된다. 반면 삼성전자는 하이 NA EUV 확보전에서 뒤처지며 전략 수정이 불가피해졌다. 삼성전자는 2027년 하이 NA EUV 상용화를 준비하고 있다. 장비 확보 이후에도 생산라인 내 설치부터 가동 등 최적화 작업에 상당 시간이 소요된다는 점에서 하이 NA EUV 도입 시기를 앞당기는데 주력할 것으로 예상된다. 삼성전자는 TSMC 로드맵에 발맞춰 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 양산을 계획하고 있다. 삼성전자로선 TSMC 추격을 위해 초미세공정 기술력을 검증해 대형 고객사 확보가 필요하다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 2·4분기 TSMCC의 파운드리 시장 점유율은 62.3%로, 삼성전자(11.5%)와 격차는 50.8%에 달한다. 업계 관계자는 "삼성전자는 3나노 이하 공정을 TSMC와 격차를 좁힐 최적의 전장으로 삼고 있다"며 "하이 NA EUV 장비 반입이 늦어질수록 기술 격차 확대 가능성이 커질 수 있다"고 말했다.  mkchang@fnnews.com 장민권 기자

세계 최대 파운드리(반도차 위탁생산) 업체인 TSMC가 미국에 3번째 최첨단 반도체 공장을 건설한다. 3일 대만언론은 TSMC가 미국 애리조나에 2㎚(나노미터·10억분의 1m) 이상 최첨단 공정 3공장을 건설할 예정이라고 보도했다. 이 공장에서는 2나노 이상의 최첨단 공정을 채택해 웨이퍼를 생산한다는 계획이다. TSMC는 이미 미국 애니조나주에 2개의 공장을 건설 중이다. 총 투자금액은 400억 달러(53조 6000억원) 규모다. 첫 번째 팹에서 내년 상반기 4나노 공정 제품의 양산을 위한 공장 완공에 진전을 보이고 있으며, 두 번째 팹에서는 2028년부터 나노시트 트랜지스터 구조의 2나노 공정 기술을 채택한 웨이퍼를 양산할 예정이다. 대만 언론들은 소식통을 인용해 TSMC가 2026년 하반기 양산 예정인 'A16'(1.6나노 공정) 제품이 미국 애플 외에 챗GPT 개발사인 오픈AI의 애플리케이션 특화형 반도체(ASIC) 개발을 위한 용도로 예약됐다고 보도했다. 성초롱 기자

[파이낸셜뉴스] 코스피 상장사 인스코비가 투자한 나노실리콘이 추가 투자 유치에 성공했다. 인스코비는 지난해 지분을 투자한 차세대 2차전지 소재 실리콘 음극제 파우더(SI Powder) 기업 나노실리콘이 연달아 벤처캐피털(VC) 투자유치에 성공, 1년여만에 기업가치가 5.5배 이상 급등해 300억원 규모로 성장했다고 7일 밝혔다. 인스코비는 나노실리콘의 2대주주(지분율 22.4%)로 추가 투자 유치에 힘입어 2차전지 시장에서 영향력을 더욱 강화할 수 있을 것으로 기대하고 있다. 나노실리콘은 인스코비의 지분 투자를 바탕으로 설비 및 기술 투자에 매진, 경쟁력을 확보했다. 지난 5월과 6월 티인베스트먼트 및 포스코 계열 VC로부터 추가 투자 유치에 연이어 성공했으며, 추가 투자금은 생산시설 확충 및 추가 연구개발비에 사용할 계획이다. 회사는 2026년 코스닥 상장을 목표로 하고 있다. 나노실리콘이 만드는 실리콘 음극제 파우더는 2차전지 배터리의 용량, 수명과 급속충전을 좌우하는 핵심 소재다. 기존 흑연계 음극재 대비 에너지 밀도가 10배 이상 높아 시장 내 점유율이 급상승하고 있다. 에너지 전문 시장조사업체 SNE리서치에 따르면 리튬배터리 음극재 시장은 2023년 10조6000억원 수준에서 2030년 22조6000억원까지 성장할 전망이다. 나노실리콘은 자체 기술로 태양광 폐슬러지 자원을 재활용 해 가격과 품질 경쟁력 있는 실리콘 음극재 소재 제품화에 성공한 바 있다. 현재 메이저 2차전지 음극제 소재 업체인 P사, H사, S사로 납품을 하고 있으며, 일본에도 납품을 추진 중에 있다. 특히 태양광 공정에서 배출되는 실리콘의 폐슬러지를 이용한 음극제 회수 공정 관련 특허 2건을 핵심기술로 가지고 있으며, 연말까지 특허 10건에 대한 특허 출원을 진행하고 있다. 인스코비 관계자는 “인스코비는 미래 기술과 향후 성장성에 기반한 다양한 영역에 투자해왔다”며 ”나노실리콘은 이번 추가 투자 유치를 통해 2차전지 시장에서 더욱 경쟁력을 강화할 수 있는 기반을 마련했다”고 말했다. dschoi@fnnews.com 최두선 기자

삼성전자가 차세대 파운드리(반도체 위탁생산) 선단공정인 2나노 기반의 인공지능(AI) 가속기 반도체 수주 신호탄을 쐈다. 삼성전자만의 강점인 'AI 솔루션 턴키(일괄생산) 서비스'를 활용한 것으로, 향후 TSMC와 2나노 경쟁에서 반전의 계기를 마련할지 주목된다. ■2나노 기반 AI반도체 첫 수주삼성전자는 9일 서울 강남구 코엑스에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'와 '세이프 포럼 2024'를 개최하고 국내 시스템반도체 생태계 강화 성과와 향후 지원계획을 공개했다. 파운드리포럼은 삼성전자가 팹리스(반도체 설계업체) 고객과 생태계 구성원에게 기술 현황과 미래비전을 공유하는 자리로, 올해는 미국에 이어 두 번째로 열렸다. 최시영 삼성전자 파운드리 사업부장(사장)은 기조연설을 통해 "내년 2나노 첫번째 공정을 시작해 2027년엔 후면전력공급 기술을 도입한 SF2Z(2나노공정)를 제공할 계획"이라며 "게이트올어라운드(GAA) 혁신을 지속하고 있으며, 예정대로 2027년엔 최첨단 1.4나노 공정을 제공할 예정"이라고 밝혔다. 특히 2.5차원 패키지 기술 경쟁력을 바탕으로 선단 공정 서비스를 강화한다는 전략이다. 최 사장은 "고성능·저전력 AI 솔루션을 완전히 통합해 제공할 수 있는 기업은 전 세계에서 단 하나 삼성전자뿐"이라며 "데이터센터의 신호손실과 발열로 인한 비용 증가를 해결하기 위해 실리콘 포토닉스 기술을 2027년 완성해 종합패키지인 '원스톱 AI 솔루션'을 완성할 것"이라고 강조했다. 삼성전자는 이날 국내 디자인솔루션파트너(DSP) 업체인 가온칩스와의 협력, 최첨단 공정 기반 턴키 서비스를 수주했다고 공식 발표했다. 일본 프리퍼드네트웍스(PFN)에 공급할 2나노 기반 AI 가속기 반도체를 2.5차원 첨단 패키지를 통해 양산할 계획이다. AI 가속기는 AI를 구현하고 실행하기 위해 정보처리와 연산에 특화된 하드웨어다. 크게 그래픽처리장치(GPU)와 신경망처리장치(NPU)로 나뉘는데, GPU는 엔비디아가 시장의 90% 이상을 차지하고 있다. PFN은 그간 2세대 AI 반도체 제작을 TSMC에 맡겨왔다. 삼성전자가 TSMC와 2나노 공정 기술을 놓고 경쟁을 벌이는 가운데 이번 수주로 파운드리 사업에 반전을 기대하고 있다. ■국내 파운드리 생태계 강화삼성전자는 한국의 우수 팹리스 업체들이 고성능컴퓨팅(HPC)과 AI 분야에서 영향력을 빠르게 확대할 수 있도록 적극적인 지원도 약속했다. 삼성은 단일 웨이퍼(반도체 원판)에 여러 종류의 설계를 배치해 제조비용을 절감하고 완성도 높은 반도체를 개발할 수 있도록 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 서비스를 운영 중이다. 삼성전자 관계자는 "올해 MPW 서비스 총횟수는 4나노 공정과 고성능 전력반도체를 생산하는 BCD 130나노 공정을 합쳐 32회로, 작년 대비 약 10% 증가했다"며 "2025년에는 35회까지 확대할 계획"이라고 밝혔다. 이어 "국내 팹리스와 DSP 수요가 많은 4나노는 내년 MPW 서비스를 1회 추가 운영해 국내 첨단 반도체 생태계 확대를 적극 지원할 계획"이라고 덧붙였다. 삼성전자 파운드리는 고객사 확보를 통한 생태계 확대에 주력하고 있다. 현재 100개가량의 파트너와 삼성 파운드리 생태계를 구성 중이다. 특히 전자설계자동화(EDA) 파트너 수는 23개로, 경쟁사인 TSMC를 앞섰다. 한편 포럼에서는 국내 주요 팹리스 기업들이 삼성 파운드리와 협력 성과를 소개했다. 차량용 반도체 기업 텔레칩스 이장규 대표는 "350나노부터 5나노 공정에 이르기까지 삼성 파운드리와 함께 만들어온 칩이 43개에 이른다"고 말했다. AI 팹리스 스타트업 리벨리온의 오진욱 CTO는 "삼성 파운드리 5나노에 이어 4나노 공정으로 차세대 AI 가속기 '리벨'을 개발 중"이라고 밝혔다. hoya0222@fnnews.com 김동호 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 차세대 파운드리(반도체 위탁생산) 선단공정인 2나노 기반의 인공지능(AI) 가속기 반도체 수주 신호탄을 쐈다. 삼성전자만의 강점인 'AI 솔루션 턴키(일괄 생산) 서비스'를 활용한 것으로, 향후 TSMC와 2나노 경쟁에서 반전을 마련할지 주목된다.  2나노 기반 AI반도체 첫 수주 삼성전자는 9일 서울 삼성동 코엑스에서 '삼성 파운드리 포럼 2024'와 '세이프 포럼 2024'를 개최하고 국내 시스템반도체 생태계 강화 성과와 향후 지원 계획을 공개했다. 파운드리포럼은 삼성전자가 팹리스(반도체 설계업체) 고객과 생태계 구성원들에게 기술 현황과 미래 비전을 공유하는 자리로, 올해는 미국에 이어 두 번째로 열렸다. 최시영 삼성전자 파운드리 사업부장(사장)은 기조연설을 통해 "내년 2나노 첫번째 공정을 시작해 2027년엔 후면전력공급 기술을 도입한 SF2Z(2나노 공정)를 제공할 계획"이라며 "게이트올어라운드(GAA) 혁신을 지속하고 있으며 예정대로 2027년엔 최첨단 1.4나노 공정을 제공할 예정"이라고 밝혔다. 특히, 2.5차원 패키지 기술 경쟁력을 바탕으로 선단 공정 서비스를 강화한다는 전략이다. 최 사장은 "고성능, 저전력 AI 솔루션을 완전히 통합해 제공할 수 있는 기업은 전 세계에서 단 하나 삼성전자 뿐"이라며 "데이터센터의 신호 손실과 발열로 인한 비용 증가를 해결하기 위해 실리콘 포토닉스 기술을 2027년 완성해 종합 패키지인 '원스톱 AI 솔루션'을 완성할 것"이라고 강조했다. 삼성전자는 이날 국내 디자인 솔루션 파트너(DSP) 업체인 가온칩스와의 협력해 최첨단 공정 기반 턴키 서비스를 수주했다고 공식 발표했다. 일본 프리퍼드 네트웍스(PFN)에 공급할 2나노 기반 AI 가속기 반도체를 2.5차원 첨단 패키지를 통해 양산한다는 계획이다. AI 가속기는 AI를 구현하고 실행하기 위해 정보처리와 연산에 특화된 하드웨어다. 크게 그래픽처리장치(GPU)와 신경망처리장치(NPU)로 나뉘는데, GPU는 엔비디아가 시장의 90% 이상을 차지하고 있다. PFN은 그간 2세대 AI 반도체 제작을 TSMC에 맡겨왔다. 삼성전자가 TSMC와 2나노 공정 기술을 놓고 경쟁을 벌이는 가운데, 이번 수주로 파운드리 사업에 반전을 기대하고 있다. 국내 파운드리 생태계 강화 삼성전자는 한국의 우수 팹리스 업체들이 고성능컴퓨팅(HPC)과 AI 분야에서 영향력을 빠르게 확대할 수 있도록 적극적인 지원도 약속했다. 삼성은 단일 웨이퍼(반도체 원판)에 여러 종류의 설계를 배치해 제조 비용을 절감하고 완성도 높은 반도체를 개발할 수 있도록 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 서비스를 운영 중이다. 삼성전자 관계자는 "올해 MPW 서비스 총횟수는 4나노 공정과 고성능 전력반도체를 생산하는 BCD 130나노 공정을 합쳐 32회로, 작년 대비 약 10% 증가했다"라며 "2025년에는 35회까지 확대할 계획"이라고 밝혔다. 이어 "국내 팹리스와 DSP 수요가 많은 4나노는 내년 MPW 서비스를 1회 추가 운영해 국내 첨단 반도체 생태계 확대를 적극 지원할 계획"이라고 덧붙였다. 삼성전자 파운드리는 고객사 확보를 통한 생태계 확대에 주력하고 있다. 현재 100개 가량의 파트너와 삼성 파운드리 생태계를 구성 중이다. 특히 전자설계자동화(EDA) 파트너 수는 23개로, 경쟁사인 TSMC를 앞섰다. 한편, 포럼에서는 국내 주요 팹리스 기업들이 삼성 파운드리와 협력 성과를 소개했다. 차량용 반도체 기업 텔레칩스 이장규 대표는 "350나노부터 5나노 공정에 이르기까지 삼성 파운드리와 함께 만들어온 칩이 43개에 이른다"고 말했다. AI 팹리스 스타트업 리벨리온의 오진욱 CTO는 "삼성 파운드리 5나노에 이어 4나노 공정으로 차세대 AI 가속기 '리벨'을 개발 중"이라고 밝혔다. hoya0222@fnnews.com 김동호 기자

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 차기 격전지로 꼽히는 2나노미터(1nm=10억분의1m) 공정에서 반도체 설계에 필요한 지식재산(IP) 확보에 속도를 내고 있다. 많은 반도체 설계 IP를 확보할수록 고객사가 요구하는 다양한 조건의 칩 생산이 가능한 만큼 초미세공정 영향력을 넓히려는 행보로 분석된다. 19일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 차세대 반도체 설계에 필요한 IP 파트너와 협업하며 파운드리 생태계 확장에 나서고 있다. 삼성전자는 시놉시스, 케이던스, 알파웨이브세미 등과 협력해 구축한 반도체 IP 생태계를 2나노 공정까지 넓혔다. 알파웨이브세미는 이날 삼성전자와 전략적 파트너십 확대를 발표하며 5나노(SF5), 4나노(SF4), 2나노(SF2) 등 인공지능(AI), 고성능컴퓨팅(HPC), 자율주행차 등에 탑재되는 초미세공정 반도체에 필요한 IP를 제공하기로 했다. 삼성전자는 지난 2월부터 영국 반도체 IP 기업 ARM의 차세대 시스템온칩(SoC) IP를 자사 게이트올어라운드(GAA) 기반 공정에 적용하는 등 IP 기업들과 협력을 강화하고 있다. IP는 반도체 기능을 회로로 구현한 설계 블록이다. 반도체 제조 공정 난이도가 기하급수로 올라가는 상황에서 반도체 IP는 파운드리 경쟁력에 직결되는 요소로 꼽힌다. 비용·시간 한계상 모든 IP를 직접 개발하기 어려운 팹리스(반도체 설계전문)는 IP 회사에 라이선스 수수료를 지급하고, 개발된 IP를 사용한다. 팹리스가 설계하는 반도체 칩은 IP 회사가 제공하는 IP를 기반으로 만들어진다. 파운드리 기업 역시 해당 IP를 확보해야 팹리스가 원하는 수준의 칩 생산이 가능해지는 셈이다. 파운드리 1위 기업 TSMC는 삼성전자와 비교해 월등히 많은 IP를 보유한 것으로 전해졌다. 글로벌 파운드리 시장에서 TSMC와의 점유율 격차가 점차 벌어지고 있는 만큼 삼성전자에겐 초미세공정 경쟁력을 높이는 게 최우선 과제다. 대만 현지 매체 등에 따르면 TSMC는 엔비디아, 애플 등 글로벌 팹리스의 물량을 대거 수주하며 2026년까지 3나노 공정 주문 예약이 모두 끝났다. AI 시대를 맞아 첨단공정 칩 수요가 급증하자 TSMC는 3나노 칩 가격을 5% 인상하는 방안까지 검토하며 시장 지배자로서 자신감을 한껏 드러내고 있다. 반면 삼성전자 파운드리사업부는 팹리스인 시스템LSI사업부와 중국 암호화폐 업체 등을 제외하면 3나노 이하 공정에서 눈에 띄는 대형 고객사가 없다. 글로벌 파운드리 시장에서 3나노 이하 선단공정 매출이 가파르게 증가하는 상황에서 삼성전자 내부에선 TSMC와의 점유율 격차를 반드시 좁혀야 한다는 위기감이 높다. 실제 삼성전자는 최근 메모리·파운드리·패키징을 아우르는 '턴키'(일괄공급) 전략, 후면전력공급(BSPDN) 기술을 적용한 2나노 공개 등에 나서며 고객사 유치에 사활을 걸고 있다. 업계 관계자는 "삼성전자의 TSMC 추격 핵심은 초미세공정 기술 완성도"라며 "다양한 조건의 칩 생산에 필요한 반도체 IP를 폭넓게 확보하고 있는 것도 대형 고객사 신뢰 회복 전략의 일환으로 보인다"고 말했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에서 메모리·파운드리·패키징을 아우르는 '턴키'(일괄공급) 전략과 함께 후면전력공급(BSPDN) 기술을 적용한 2나노미터(1㎚=10억분의 1m) 신공정을 새로 공개한 건 업계 1위 TSMC 추격을 위한 승부수를 던진 것으로 평가된다. 1나노급 공정 개발·양산 타이틀을 차지하려는 파운드리 업계 경쟁에 무리하게 뛰어들기보다는 종합반도체기업(IDM)인 삼성전자의 강점을 살려 인공지능(AI) 시대에 맞는 선단공정 기술 최적화에 주력하겠다는 것이다. 전체 파운드리 시장에서 비중이 커지고 있는 3나노 이하 초미세공정 기술 완성도를 높여 고객사의 신뢰를 확보한다는 구상이다. 13일 시장조사기관 옴디아에 따르면 2023~2027년 전 세계 3나노 이하 공정 매출 성장률은 연평균 92.3%를 기록할 것으로 전망됐다. 3나노 매출 비중은 2023년 3.7%에서 2027년 26.1%로 8배가량 성장세가 예측되는 등 3나노 이하 공정이 전체 파운드리 시장을 주도하고 있다. 삼성전자의 가장 큰 고민은 대형 고객사의 부재다. 3나노의 경우 삼성전자 팹리스(반도체 설계회사)인 시스템LSI사업부를 제외하면 중국 암호화폐 업체를 주요 고객사로 확보하는 데 그치고 있다. AI 시대를 맞아 엔비디아, 애플 등 글로벌 팹리스들의 주문이 TSMC로 몰리고 있는 것과 대조적이다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 1·4분기 삼성전자 파운드리사업부 매출은 33억5700만달러로 전 분기(36억1900만달러)보다 7.2% 감소했다. 시장점유율 역시 11.3%에서 11.0%로 줄었다. 반면 TSMC는 1·4분기 매출 188억4700만달러를 올렸다. 매출은 전 분기(196억6000만달러)와 비교해 4.1% 줄었지만 점유율은 같은 기간 61.2%에서 61.7%로 확대됐다. 삼성전자 내부에선 성장세가 가파른 3나노 이하 공정 주도권을 놓치면 '영원한 2위'에 머무를 수 있다는 위기감이 높다. 삼성전자는 선단공정 기술 개선으로 3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정의 안정적인 양산을 지속하는 한편 2나노 공정을 차질 없이 개발할 계획이다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 글로벌 팹리스 인공지능(AI) 수요에 대응하기 위한 최선단 파운드리 서비스 강화 전략을 발표했다. 2027년까지 고성능 컴퓨팅 설계 성능을 향상시킬 수 있는 신규 2나노 공정을 도입하고, 파운드리와 메모리, 어드밴스드 패키지 솔루션 협업을 통한 '턴키 서비스'를 강화한다는 계획이다. 삼성전자는 미국 실리콘밸리 DS부문 미주총괄(DSA) 사옥에서 12일(현지시간) 'AI 혁명을 이끌다(Empowering the AI Revolution)'라는 주제로 '삼성 파운드리 포럼 2024'를 개최했다. 이 자리에는 르네 하스 Arm 최고경영자(CEO)와 조나단 로스 Groq CEO 등 업계 주요 전문가들이 참석했다. 최시영 파운드리사업부 사장은 기조연설에서 "AI를 중심으로 모든 기술이 혁명적으로 변하는 시점에서 가장 중요한 건 AI 구현을 가능하게 하는 고성능·저전력 반도체"라며 "삼성전자는 AI 반도체에 최적화된 GAA(Gate-All-Around) 공정 기술과 적은 전력 소비로도 고속 데이터 처리가 가능한 광학 소자 기술 등을 통해 AI 시대에 고객들이 필요로 하는 원스톱 AI 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다. 삼성전자는 이날 기존 파운드리 공정 로드맵에서 SF2Z, SF4U를 추가로 공개했다. SF2Z는 전류 배선층을 웨이퍼 후면에 배치해 전력과 신호 라인의 병목 현상을 개선하는 기술(BSPDN)을 적용한 새로운 2나노 공정이다. 기존 2나노 공정 대비 소비전력·성능·면적(PAA) 개선 효과뿐 아니라, 전압강하 현상을 대폭 줄일 수 있어 고성능 컴퓨팅 설계 성능 향상이 기대된다. 삼성전자는 2027년까지 이 공정을 준비한다는 계획이다. 2025년 양산을 예고한 또 다른 신규 공정인 4나노 SF4U는, 기존 4나노 공정 대비 광학적 축소를 통해 PPA 경쟁력을 추가로 향상시킬 수 있다. 삼성전자는 파운드리와 메모리, 어드밴스트 패키지 사업을 모두 보유한 유일한 업체라는 장점을 십분 활용한다는 계획도 밝혔다. 사업 간 협력을 통해 'AI 반도체 턴키 서비스'에 한층 속도를 낸다는 계획이다. 한편, 삼성전자는 13일(현지시간) 'SAFE(Samsung Advanced Foundry Ecosystem) 포럼 2024'를 개최한다. 올해 주제는 'AI: Exploring Possibilities and Future'로 진행된다. 마이크 엘로우 지멘스 CEO, 빌 은 AMD 부사장, 데이비드 라조브스키 셀레스티얼 AI CEO 등과 AI 시대에 요구되는 칩과 시스템 설계 기술 발전 방향을 논의한다. 지난해 출범한 첨단 패키지 협의체인 'MDI 얼라이언스'의 첫 워크숍도 진행된다. 삼성전자와 MDI 파트너사들은 파트너십을 더욱 강화하고, 2.5D와 3D 반도체 설계에 대한 종합적인 솔루션을 구체화할 예정이다.   hoya0222@fnnews.com 김동호 기자

#OBJECT0# [파이낸셜뉴스] 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 시장 차기 격전지로 꼽히는 2나노미터(1nm=10억분의1m) 공정에서 반도체 설계에 필요한 지식재산(IP) 확보에 속도를 내고 있다. 많은 반도체 설계 IP를 확보할수록 고객사가 요구하는 다양한 조건의 칩 생산이 가능한 만큼 초미세공정 영향력을 넓히려는 행보로 분석된다.  19일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 차세대 반도체 설계에 필요한 IP 파트너와 협업하며 파운드리 생태계 확장에 나서고 있다. 삼성전자는 시놉시스, 케이던스, 알파웨이브세미 등과 협력해 구축한 반도체 IP 생태계를 2나노 공정까지 넓혔다. 알파웨이브세미는 이날 삼성전자와 전략적 파트너십 확대를 발표하며 5나노(SF5), 4나노(SF4), 2나노(SF2) 등 인공지능(AI), 고성능컴퓨팅(HPC), 자율주행차 등에 탑재되는 초미세공정 반도체에 필요한 IP를 제공하기로 했다. 삼성전자는 지난 2월부터 영국 반도체 IP 기업 ARM의 차세대 시스템온칩(SoC) IP를 자사 게이트올어라운드(GAA) 기반 공정에 적용하는 등 IP 기업들과 협력을 강화하고 있다. IP는 반도체 기능을 회로로 구현한 설계 블록이다. 반도체 제조 공정 난이도가 기하급수로 올라가는 상황에서 반도체 IP는 파운드리 경쟁력에 직결되는 요소로 꼽힌다. 비용·시간 한계상 모든 IP를 직접 개발하기 어려운 팹리스(반도체 설계전문)는 IP 회사에 라이선스 수수료를 지급하고, 개발된 IP를 사용한다. 팹리스가 설계하는 반도체 칩은 IP 회사가 제공하는 IP를 기반으로 만들어진다. 파운드리 기업 역시 해당 IP를 확보해야 팹리스가 원하는 수준의 칩 생산이 가능해지는 셈이다. 파운드리 1위 기업 TSMC는 삼성전자와 비교해 월등히 많은 IP를 보유한 것으로 전해졌다. 글로벌 파운드리 시장에서 TSMC와의 점유율 격차가 점차 벌어지고 있는 만큼 삼성전자에겐 초미세공정 경쟁력을 높이는 게 최우선 과제다. 대만 현지 매체 등에 따르면 TSMC는 엔비디아, 애플 등 글로벌 팹리스의 물량을 대거 수주하며 2026년까지 3나노 공정 주문 예약이 모두 끝났다. AI 시대를 맞아 첨단공정 칩 수요가 급증하자 TSMC는 3나노 칩 가격을 5% 인상하는 방안까지 검토하며 시장 지배자로서 자신감을 한껏 드러내고 있다. 반면 삼성전자 파운드리사업부는 팹리스인 시스템LSI사업부와 중국 암호화폐 업체 등을 제외하면 3나노 이하 공정에서 눈에 띄는 대형 고객사가 없다. 글로벌 파운드리 시장에서 3나노 이하 선단공정 매출이 가파르게 증가하는 상황에서 삼성전자 내부에선 TSMC와의 점유율 격차를 반드시 좁혀야 한다는 위기감이 높다. 실제 삼성전자는 최근 메모리·파운드리·패키징을 아우르는 '턴키'(일괄공급) 전략, 후면전력공급(BSPDN) 기술을 적용한 2나노 공개 등에 나서며 고객사 유치에 사활을 걸고 있다. 업계 관계자는 "삼성전자의 TSMC 추격 핵심은 초미세공정 기술 완성도"라며 "다양한 조건의 칩 생산에 필요한 반도체 IP를 폭넓게 확보하고 있는 것도 대형 고객사 신뢰 회복 전략의 일환으로 보인다"고 말했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자