#OBJECT0# #OBJECT1#[파이낸셜뉴스]중국 기업들의 한국 인재 모시기가 파운드리(반도체 위탁생산)로도 확대되고 있다. 삼성전자 반도체(DS)부문이 위기 탈출을 위해 고부가 메모리 반도체 살리기에 집중하면서 파운드리(반도체 위탁생산) 투자 축소 방침을 밝히자 중국 업체들이 동요하는 삼성전자 파운드리 인력 영입에 나선 것이다.  중국 기업들은 두둑한 조건을 무기로 K-파운드리 인재를 흡수해 미국의 제재로 답보 상태에 빠진 자국 파운드리 강화에 나서겠다는 방침이다. 특히 지난해 초과이익성과급(OPI)과 지난해 하반기 목표달성장려금(TAI) 지급률이 연이어 0%를 기록하며 저하된 사기가 '약한 고리'가 될 수 있다는 경고가 나온다. 힘 빠지는 삼성 파운드리맨...中 표적된다 4일 반도체업계에 따르면 최근 중국 반도체 업체와 헤드헌팅 계약을 맺은 업체들의 삼성전자 반도체(DS)부문 파운드리사업부 인재 확보 시도가 증가세를 보이는 것으로 파악됐다. 삼성전자 DS부문 파운드리사업부 소속 직원 A씨는 "올해 들어 경력 10~15년의 허리 연차 직원들에게 중국 업체들의 헤드헌팅 문의가 부쩍 많아졌다"면서 "개인적인 접촉 외에도 대형 채용 포털에서도 공개적으로 '중국 현지에서 근무할 시스템반도체 전문가를 찾는다', '중국 현지에서 근무할 파운드리 공정 경험자를 찾는다'는 공고가 증가하는 등 기존 D램과 낸드플래시, 장비 유지·보수 인력 확보에 혈안이었던 것과는 다르게 최근에는 비메모리 전문가 구인이 두드러지게 늘었다"고 말했다. 반도체 업계 관계자는 "중국 현지 근무와 허술한 노동법으로 인해 만연한 주 6일제 등 고민해 볼 부분도 있지만, 삼성전자의 최대 성과급(연봉의 절반 수준)이 나올 때보다도 2~3배 더 많은 대우와 국제학교 학비 전액 지원 등 중국 업체가 내세우는 조건이 좋다"면서 "최근 회사가 파운드리사업에 힘을 빼면서 미래가 불투명해진 직원들에겐 충분히 솔깃한 조건으로 보인다"고 평가했다. 앞서 이재용 삼성전자 회장이 "파운드리 분사는 없다"라고 못을 박았지만, DS부문 내에서 파운드리 분사 태스크포스(TF) 설치설을 비롯해 사업 철수설, 메모리와 비메모리(파운드리·시스템LSI) 성과급 분리설 등 다양한 설이 돌면서 해당 사업부 직원들의 사기가 떨어진 것으로 전해진다. 삼성전자는 파운드리와 관련된 설들에 대해 "사실무근"이라고 선을 긋고 있다.  "미국의 대중국 제재 강화 기조...中기업, K파운드리 영입시도 늘 것"  미국의 대중국 반도체 장비 수출 규제 정책이 강화되면서 중국은 정부 차원에서도 반도체 기술력 제고에 심혈을 기울이고 있다. 특히, 중국의 스마트폰 시장 장악력 확대와 인공지능(AI) 굴기를 위해서는 탄탄한 파운드리 역량이 필수적이다.  중국의 대표 전자기업인 화웨이는자체 개발 AI칩 '어센드 910C'를 비롯해, 모바일 애플리케이션프로세서(AP)칩을 ASML의 극자외선(EUV) 노광장비 없이 선단공정으로 생산할 뜻을 내비치면서 파운드리 우수 인재에 대한 갈증이 늘어나고 있다는 분석이다.  화웨이를 비롯한 중국 전자업계의 칩 생산이 중국 최대 파운드리사인 중신궈지(SMIC)로 몰리면서 중국 파운드리의 글로벌 점유율과 기술 발전은 확대되고 있다. 지난 1·4분기 SMIC의 글로벌 점유율은 6%로 미국 AMD의 자회사인 글로벌파운드리와 대만의 UMC를 처음으로 제치고 3위로 올라섰다.  기술적인 면에서도 단기간 빠르게 성장했다. 앞서 SMIC는 TSMC 출신이자 삼성 파운드리의 '개국 공신'인 양몽송을 지난 2017년 파격 영입했다. 현재 양씨는 공동 최고경영자(CEO)로 연구·개발(R&D)과 사업을 총괄 중이다. 양 CEO 취임 이후 28나노미터(㎚=10억분의 1m) 제품도 지지부진했던 SMIC는 단숨에 14나노 생산에 이어 지난해 7나노급 제품 생산까지 성공했다. 현재 SMIC는 5나노 개발에 이어 3나노 개발에 박차를 가하며 2위 삼성 파운드리를 추격 중이다.  업계에서는 업계 1위인 대만의 TSMC 인재 영입에 있어 '양안 관계'를 비롯한 다양한 걸림돌이 있어 난항을 겪자, 삼성 파운드리로 중국 업체들이 눈을 돌리고 향후 D램·낸드플래시 인재와 같이 적극적으로 영입에 나설 것으로 보고 있다.  재계 관계자는 "미국 대선 결과와 상관 없이 대중국 제재는 전방위적으로 강화될 것으로 예상되면서, 중국 기업들의 인력 빼가기는 더욱 심화될 전망"이라면서 "중국 기업이 금전적 지원 등을 무기로 내세울 수 있으나 반간첩법과 후진적인 노동법 등을 고려해 신중한 선택이 요구된다"고 말했다. rejune1112@fnnews.com 김준석 기자

삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에서 메모리·파운드리·패키징을 아우르는 '턴키'(일괄공급) 전략과 함께 후면전력공급(BSPDN) 기술을 적용한 2나노미터(1㎚=10억분의 1m) 신공정을 새로 공개한 건 업계 1위 TSMC 추격을 위한 승부수를 던진 것으로 평가된다. 1나노급 공정 개발·양산 타이틀을 차지하려는 파운드리 업계 경쟁에 무리하게 뛰어들기보다는 종합반도체기업(IDM)인 삼성전자의 강점을 살려 인공지능(AI) 시대에 맞는 선단공정 기술 최적화에 주력하겠다는 것이다. 전체 파운드리 시장에서 비중이 커지고 있는 3나노 이하 초미세공정 기술 완성도를 높여 고객사의 신뢰를 확보한다는 구상이다. 13일 시장조사기관 옴디아에 따르면 2023~2027년 전 세계 3나노 이하 공정 매출 성장률은 연평균 92.3%를 기록할 것으로 전망됐다. 3나노 매출 비중은 2023년 3.7%에서 2027년 26.1%로 8배가량 성장세가 예측되는 등 3나노 이하 공정이 전체 파운드리 시장을 주도하고 있다. 삼성전자의 가장 큰 고민은 대형 고객사의 부재다. 3나노의 경우 삼성전자 팹리스(반도체 설계회사)인 시스템LSI사업부를 제외하면 중국 암호화폐 업체를 주요 고객사로 확보하는 데 그치고 있다. AI 시대를 맞아 엔비디아, 애플 등 글로벌 팹리스들의 주문이 TSMC로 몰리고 있는 것과 대조적이다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 1·4분기 삼성전자 파운드리사업부 매출은 33억5700만달러로 전 분기(36억1900만달러)보다 7.2% 감소했다. 시장점유율 역시 11.3%에서 11.0%로 줄었다. 반면 TSMC는 1·4분기 매출 188억4700만달러를 올렸다. 매출은 전 분기(196억6000만달러)와 비교해 4.1% 줄었지만 점유율은 같은 기간 61.2%에서 61.7%로 확대됐다. 삼성전자 내부에선 성장세가 가파른 3나노 이하 공정 주도권을 놓치면 '영원한 2위'에 머무를 수 있다는 위기감이 높다. 삼성전자는 선단공정 기술 개선으로 3나노 게이트올어라운드(GAA) 공정의 안정적인 양산을 지속하는 한편 2나노 공정을 차질 없이 개발할 계획이다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

#OBJECT0# [파이낸셜뉴스] 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 사업에서 메모리·파운드리·패키징을 아우르는 '턴키'(일괄공급) 전략과 함께 후면전력공급기술(BSPDN)을 적용한 2나노미터(1nm=10억분의1m) 신공정을 새로 공개한 건 업계 1위 TSMC 추격을 위한 승부수를 던진 것으로 평가된다.  1나노급 공정 개발·양산 타이틀을 차지하려는 파운드리 업계 경쟁에 무리하게 뛰어들기보단 종합반도체기업(IDM)인 삼성전자의 강점을 살려 인공지능(AI) 시대에 맞는 선단공정 기술 최적화에 주력하겠다는 것이다. 전체 파운드리 시장에서 비중이 커지고 있는 3나노 이하 초미세공정 기술 완성도를 높여 고객사의 신뢰를 확보한다는 구상이다. 13일 시장조사기관 옴디아에 따르면 2023~2027년까지 전 세계 3나노 이하 공정 매출 성장률은 연평균 92.3%를 기록할 것으로 전망됐다. 3나노 매출 비중은 2023년 3.7%에서 2027년 26.1%로, 8배 가량 성장세가 예측되는 등 3나노 이하 공정이 전체 파운드리 시장을 주도하고 있다. 삼성전자의 가장 큰 고민은 대형 고객사의 부재다. 3나노의 경우 삼성전자 팹리스(반도체 설계전문)인 시스템LSI사업부를 제외하면 중국 암호화폐 업체를 주요 고객사로 확보하는데 그치고 있다. AI 시대를 맞아 엔비디아, 애플 등 글로벌 팹리스들의 주문이 TSMC로 몰리고 있는 것과 대조적이다. 삼성전자는 지난 2022년 6월 세계 최초로 차세대 트랜지스터 기술인 게이트올어라운드(GAA)를 적용한 3나노 양산에 성공했다. 하지만, 고객사들이 수율(양품 비율) 등 제품에 대한 신뢰도가 높은 TSMC와 협력 강화에 나서면서 3나노 시장에서 고전하고 있다.  글로벌 파운드리 시장에서 삼성전자와 TSMC의 점유율 격차는 갈수록 벌어지고 있다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 1·4분기 삼성전자 파운드리 사업부 매출은 33억5700만달러로, 전 분기(36억1900만달러)보다 7.2% 감소했다. 시장 점유율 역시 11.3%에서 11.0%로 줄었다. 반면, TSMC는 1·4분기 매출 188억4700만달러를 올렸다. 매출은 전 분기(196억6000만달러)와 비교해 4.1% 줄었지만, 점유율은 같은 기간 61.2%에서 61.7%로 확대됐다. 삼성전자로선 3나노 이하 초미세공정 기술력에 대한 고객사의 신뢰를 얻는 것이 최우선 과제인 셈이다. 삼성전자 내부에선 성장세가 가파른 3나노 이하 공정 주도권을 놓치면 '영원한 2위'로 머무를 수 있다는 위기감이 높다. 삼성전자는 선단 공정 기술 개선으로 3나노 GAA 공정의 안정적인 양산을 지속하는 한편, 2나노 공정을 차질없이 개발한다는 계획이다. 현재 삼성전자는 GAA 기반 3나노 1세대(SF3E)를 안정적 수율로 양산하는 가운데 3나노 2세대 공정(SF3)은 올 하반기 양산을 시작할 예정이다. 아울러 AI 가속기 등 빠르게 성장하는 응용처의 매출 비중을 확대할 방침이다. 이를 통해 2027년까지 파운드리 사업에서 모바일 외 제품군의 매출 비중을 50% 이상 높일 계획이다.  mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스] 인텔이 대만 UMC와 파운드리 미세공정 개발에 손을 잡으며 2030년 파운드리 세계 2위 도약에 박차를 가하고 있다. 반면 지난해 적자를 낸 것으로 추정되는 삼성전자는 연내 양산 예정이던 미국 테일러 공장의 생산 연기설까지 이어지며 반등이 요원한 상황이다. 업계에서는 갤럭시S24에 판매량과 생성형 AI 관련 메모리 수요 확대를 파운드리 반등 키포인트로 전망했다. 29일 업계에 따르면 인텔은 지난 26일 실적발표에 앞서 "대만 파운드리 업체 UMC와 12나노 공정 협업을 통해 모바일과 통신장비 등 성장성이 높은 시장에 대응하겠다"고 밝혔다. 삼성전자에 이어 글로벌 파운드리 시장 점유율 3위에 올라있는 UMC는 14나노 구형 공정에서 다수의 위탁생산 고객사를 확보하고 있다. 업계에서는 인텔과 UMC의 동맹이 서로 윈윈이라고 보고 있다. 미세공정 파운드리 생산 라인 활용을 계획하고 있는 인텔은 '파운드리 틈새시장'으로 꼽히는 10나노대 반도체 위탁생산을 통해 TSMC와 삼성전자와의 점유율 격차를 좁힐 수 있다. UMC는 인텔을 통해 12나노 미세공정 기술을 확보할 수 있다. 업계 관계자는 "인텔이 첨단 파운드리에 이어 성숙한 12나노까지 진출하는 건 TSMC와 삼성전자 등 상위 업체 점유율을 추격하려는 행보"라고 말했다. 인텔은 이에 앞서 지난해 12월 이스라엘에 차세대 반도체 생산공정을 위한 투자 약정을 맺기도 했다. 네덜란드 ASML의 '하이 뉴메리컬어퍼처(High NA)' 극자외선(EUV) 노광장비를 선점에도 성공하며, TSMC와 삼성전자보다 1년 앞선 올해 상반기 2나노급 '20A' 공정 양산에 박차를 가하고 있다. 반면 지난해 메모리 반도체 업황 악화로 고전한 삼성전자는 파운드리 사업도 좀처럼 속도를 내지 못하고 있다. IBK투자증권은 삼성전자 파운드리(시스템 LSI 포함)가 작년 4·4분기 1조원 이상의 영업손실을 본 것으로 추정했다. 더욱이 2024년 하반기 양산 계획이던 삼성전자 미국 테일러 신규 공장은 최근 양산 계획이 2025년으로 조정된 것으로 전해졌다. 다만 한진만 삼성전자 DS부문 미주총괄(DSA) 부사장은 CES 2024에서 "건설이 예정대로 잘 진행되고 있다"며 "조만간 구체적 일정을 밝힐 수 있을 것"이라고 밝혔다. 업계에서는 최근 판매를 시작한 '갤럭시S24'와 오픈AI와 'AI 반도체 동맹'이 향후 삼성전자 파운드리의 반등 키포인트가 될 것으로 전망하고 있다. 시장조사기관 카운터포인트리서치는 올해 갤럭시S24 판매량이 3600만대로, 지난 2016년 갤럭시S7(4900만대) 이후 8년 만에 역대 최대치를 나타낼 것으로 기대했다. 엑시노스2400을 탑재한 갤럭시S24 시리즈 출시로 삼성전자 파운드리사업부의 가동률이 개선될 것으로 기대된다. 샘 올트먼 오픈AI 최고경영자(CEO)가 지난 26일 삼성전자 평택캠퍼스를 찾아 경계현 삼성전자 반도체(DS) 부문장(사장)과 만난 점도 기대감을 높이고 있다. 올트먼은 AI 반도체 품귀 현상을 삼성전자 등과 협력을 통해 해결할 것으로 알려졌다. 업계 관계자는 "오픈AI 입장에선 AI반도체 핵심 부품인 고대역폭메모리(HBM)의 생산과 파운드리 사업을 모두 아우르고 있는 삼성전자와의 협업이 효과적"이라며 "최근 인텔에 매출 1위를 빼앗긴 삼성전자는 차별화 포인트로 다시 초격차를 실현해야 하는 시점"이라고 말했다.   #OBJECT0# hoya0222@fnnews.com 김동호 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 10나노미터(1nm=10억분의 1m) 이하 D램에서 3차원 신구조를 도입한다. 이를 통해 단일 칩에서 100기가비트(Gb) 이상으로 용량을 확장할 계획이다. 또 인공지능(AI) 서버용 차세대 고대역폭메모리(HBM) HBM3E D램 '샤인볼트'를 첫 공개하는 등 AI 시대를 주도할 차세대 메모리 솔루션을 대거 선보였다. 10나노 이하 D램에 신구조 도입삼성전자는 20일 (현지시간) 미국 실리콘밸리에 위치한 맥에너리 컨벤션 센터에서 '메모리 역할의 재정의를 주제로 '삼성 메모리 테크 데이 2023'을 개최했다고 밝혔다. 삼성전자는 이날 클라우드, 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 기술 트렌드를 공유하고 △AI 기술 혁신을 이끌 초고성능 HBM3E D램 샤인볼트 △차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 'LPDDR5X CAMM2' △스토리지 가상화를 통해 분할 사용이 가능한 탈부착 가능한 차량용 솔리드스테이트드라이브(SSD) 등을 공개했다. 삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비해 단일 칩에서 100Gb 이상으로 용량을 확장할 계획이다. 앞서 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이다.  삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택 구조로 구현할 수 있는 최고 단수를 개발 중이다. 내년 초 양산을 위한 동작 칩도 확보했다. 삼성전자는 셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고, 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭을 통해 1000단 V낸드 시대를 준비한다는 계획이다. HBM 5세대 샤인볼트도 첫 선을 보였다. 샤인볼트는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 초당 9.8Gb의 고성능을 제공하며, 이는 초당 최대 1.2테라바이트(TB) 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 비전도성 접착 필름(NCF) 기술 최적화를 통해 칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했다. 또 열전도를 극대화해 열 특성을 개선했다. 삼성전자는 현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중이다. 차세대 제품인 HBM3E도 고객들에게 샘플을 전달하고 있다. 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다. 아울러 △현존 최대 용량 '32Gb 더블데이터레이트(DDR)5 D램' △업계 최초 '32Gbps GDDR7 D램' △저장 용량을 획기적으로 향상시켜 최소한의 서버로 방대한 데이터를 처리할 수 있는 '페타바이트 스토리지(PBSSD)' 등을 소개했다. 삼성전자는 사용자 기기단에서 고성능·고용량·저전력·작은 폼팩터 등을 지원하는 솔루션도 공개했다. 업계 최초로 개발한 7.5Gbps LPDDR5X CAMM2은 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 제품으로 관심을 모았다. 이외에도 △9.6Gbps LPDDR5X D램 △온디바이스 AI에 특화된 LLW D램 △차세대 UFS 제품 △PC용 고용량 QLC SSD BM9C1 등을 공개했다. 전장 메모리 기술도 대거 첫 선2025년 전장 메모리 시장 1위 달성을 목표로 차량용 핵심 솔루션도 선보였다. 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 시스템온칩(SoC)을 사용할 수 있는 '디테처블 오토SSD'를 공개했다. 이 제품은 최대 초당 6500메가바이트(MB)의 연속 읽기 속도를 지원하며, 4TB 용량을 제공한다. 또 탈부착이 가능한 폼팩터로 구현돼 손쉽게 SSD를 교체할 수 있어 성능 업그레이드 등이 용이하다. 이밖에도 차량용 고대역폭 GDDR7, 패키지 크기를 줄인 LPDDR5X 등을 선보였다. 삼성전자는 데이터센터 내 에너지 효율성을 높여 환경 영향을 최소화하려는 시장 트렌드에 맞춰 다양한 혁신 기술을 발표했다. 초저전력 기술 확보를 통해 데이터센터, PC·모바일 기기 등에서 사용되는 메모리의 전력 소비량을 절감하고, 포터블 SSD 내 재활용 소재 적용 등을 통해 탄소를 저감할 계획이다. 또 PBSSD 등 차세대 솔루션으로 서버 시스템의 공간 효율성과 랙 용량을 증대시켜 고객의 에너지 절감에 기여할 예정이다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

【실리콘밸리=홍창기 특파원】 "고객·파트너와의 밀접한 협력으로 한계를 뛰어넘는 확장된 솔루션을 제공해 메모리 시장을 계속 선도할 것이다" 삼성전자 메모리사업부 이정배 사장 20일(현지시간) 미국 실리콘밸리 새너제이 맥에너리 컨벤션 센터(McEnery Convention Center)에서 개최된 '삼성 메모리 테크 데이 2023'에서 삼성전자가 또 한번 업계 최고의 기술 경쟁력을 뽐냈다. D램과 낸드플래시 시장에서 각각 1992년, 2002년부터 현재까지 1위를 지키고 있는 삼성전자의 자신감은 맥에너리 컨벤션 센터 곳곳에 전시된 최고사양 반도체 제품 샘플을 통해 드러났다. 전시된 삼성전자의 반도체 제품들은 변화된 시장의 요구에 답하기 위해 다양한 차세대 메모리 솔루션 개발과 글로벌 IT 기업과의 협력을 통해 메모리 반도체 부문의 선두를 놓지 않겠다는 삼성전자의 각오를 대변하는 듯 보였다. AI 기술 이끌 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트' 첫 선 삼성전자는 이날 테크 데이에서 D램과 낸드의 최신 로드맵과 클라우드, 에지 디바이스, 차량 등 응용처별 차세대 메모리를 공개했다. 하이라이트는 AI(인공지능) 시대를 주도할 5세대 HBM(고대역폭 메모리) D램 제품인 초고성능 HBM3E D램 '샤인볼트'였다. HBM) D램은 훨씬 더 빠른 데이터 전송을 가능하게 하는 고대역폭 메모리로 AI 붐을 타고 새로운 수요가 빠르게 생기고 있다. 시장조사업체 트렌드포스는 올해 전 세계 HBM 수요가 전년 대비 60% 증가하고 내년에는 30% 더 늘어날 것으로 예상했다. 월스트리트저널(WSJ)은 삼성전자가 최첨단 HBM 반도체로 관련 시장에서 더 큰 파이를 차지할 것이라고 WSJ는 전했다. HBM의 높은 판매가는 이익률 상승으로 이어질 수 있다는 진단이다. 삼성전자 관계자는 "'샤인볼트'는 데이터 입출력 핀 1개당 최대 9.8Gbps의 고성능을 제공한다. 이는 초당 최대 1.2TB 이상의 데이터를 처리할 수 있는 속도"라고 설명했다. 1.2TB는 30GB 용량의 UHD 영화 40편을 1초 만에 처리할 수 있는 속도다. 삼성전자는 NCF(비전도성 접착 필름·Non-conductive Film) 기술 최적화를 통해 '샤인볼트'에칩 사이를 빈틈없이 채워 고단 적층을 구현했다. 열전도 또한 극대화해 열 특성도 개선했다. 삼성전자 관계자는 "현재 HBM3 8단, 12단 제품을 양산 중인데 고객들에게 차세대 제품인 HBM3E도 샘플을 전달하고 있다"고 밝혔다. 삼성전자는 차세대 HBM D램과 최첨단 패키지 기술, 파운드리까지 결합된 맞춤형 턴키 서비스도 제공할 예정이다. 이와 관련, 이정배 사장은 "초거대 AI 시대는 기술 혁신과 성장의 기회가 교차하는 지점으로 업계에 더 큰 도약과 함께 도전의 시간이 될 것"이라며 "새로운 구조와 소재 도입을 통해 초거대 AI 시대에서 직면한 난제를 극복해 나가겠다"고 강조했다. 10나노 이하 D램 신구조 도입 지난 5월 12나노급 D램 양산을 시작한 삼성전자는 차세대 11나노급 D램도 업계 최대 수준의 집적도를 목표로 개발 중이라고 이날 발표했다.  삼성전자는 10나노 이하 D램에서 3D 신구조 도입을 준비중이다. 이를 통해 단일 칩에서 100Gb(기가비트) 이상으로 용량을 확장할 계획이다. 또한 삼성전자는 9세대 V낸드에서 더블 스택(Double Stack) 구조로 구현할 수 있는 최고 단수도 개발 중이다. 더블 스택은 구멍 하나를 낸 낸드(싱글 스택) 2개를 붙여 적층 단수를 높이는 기술로 삼성전자는 내년 초 양산을 위한 동작 칩을 성공적으로 확보했다.  삼성전자 관계자는 "셀의 평면적과 높이를 감소시켜 체적을 줄이고 단수를 높이는 핵심 기술인 채널 홀 에칭으로 1000단 V낸드 시대를 준비해 나갈 것"이라고 강조했다. 고성능·저전력과 다양한 폼팩터 공개 삼성전자가 업계 최초로 개발한 7.5Gbps(초당 전송되는 기가비트 단위의 데이터)  LPDDR(저소비전력) 5X CAMM2(Compression Attached Memory Module)은 차세대 PC·노트북 D램 시장의 판도를 바꿀 게임체인저로서 이날 참석자들의 이목을 집중시켰다. 삼성전자는 9.6Gbps LPDDR5X D램을 비롯해 온디바이스 AI(On-Device AI)에 특화된 LLW(Low Latency Wide I/O) D램, 차세대 UFS 제품 , PC용 고용량 QLC SSD BM9C1 등도 함께 공개했다. 삼성전자는 스토리지 가상화를 통해 하나의 SSD를 분할해 여러 개의 SoC가 사용할 수 있는 'Detachable AutoSSD(탈부착 가능한 차량용 SSD)'도 이날 공개했다. 이 제품은 최대 6500MB/s의 연속 읽기 속도를 지원하며, 4TB 용량을 제공한다. 또한 탈부착이 가능한 폼팩터(제품의 물리적 외형)로 구현돼 쉽게 SSD를 교체할 수 있어 성능 업그레이드 등이 쉽다. theveryfirst@fnnews.com 홍창기 기자

세계 파운드리(반도체 위탁 생산) 1위 기업인 대만 TSMC도 4년 만에 역성장을 기록하면서 상반기 반도체 한파를 피하지 못했다. 다만, TSMC는 5나노 수요 급증 등 하반기 반도체 경기 전망을 긍정적으로 내다봐 '반도체 바닥론'에 힘을 싣고 있다. 이에 따라, 반도체 업황 회복 조짐에 맞춰 글로벌 파운드리 양강인 TSMC와 삼성전자간 3나노 이하 초미세 공정 전쟁도 한층 뜨거워질 전망이다. ■상반기 '고난의 행군' TSMC "하반기는 긍정적"20일 TSMC는 온라인 실적 설명회를 개최하고 지난 2·4분기 연결 기준 매출이 4808억 대만달러(한화 약 19조6000억원), 세후순이익(당기순이익) 1818억 대만달러(약 7조4000억원)를 기록했다고 밝혔다. 전분기 대비 매출은 5.5%, 순이익은 12.2%씩 줄었으며, 지난해 동기 대비 10%, 23.3%씩 감소한 수치다. 웨이저자 TSMC 최고경영자(CEO)는 "인플레이션 등 거시경제 상황이 3개월 전 예상했던 것보다 훨씬 안 좋은 상황"이라면서 "리오프닝(경제활동 재개)에도 회복이 더딘 중국의 경제 상황과 예상보다 긴 고객사들의 재고조정 등이 원인"이라고 밝혔다. 이어 "상반기 인공지능(AI) 관련 매출이 많았지만 이 같은 악조건을 상쇄하기엔 역부족"이었다고 설명했다. 웨이 CEO는 글로벌 파운드리 생산량 예측치도 재조정했다. 웨이 CEO는 "올해 파운드리 생산량이 약 15~17% 하락할 것"이라고 내다봤다. 앞서 웨이 CEO는 지난 1·4분기에는 파운드리 사업 생산량이 올해 7~9%가량 감소할 것으로 예상한 바 있다. 이는 2·4분기 업황이 예상보다 더 나빴다는 뜻이다. 그럼에도 TSMC는 하반기 경기는 긍정적으로 봤다. TSMC 관계자는 "5나노급 주문이 폭주하고 있으며, 3나노(N3E)가 하반기 양산될 것"이라며 "가장 먼저 경기 회복 사이클에 진입할 것"이라고 자신감을 보였다. 최근 공장 지연설이 제기된 미국 애리조나 공장에 대해 리우더인 TSMC 회장은 인정했다. 리우 회장은 "현지에서 숙달된 직원을 채용한 데 어려움을 겪었다"면서 "당초 양산 시기를 2024년 말로 정했으나 2025년으로 연장할 것"이라고 밝혔다. ■삼성·TSMC 2나노 대전 열리나하반기 반도체 반등 기대감이 나오면서 TSMC와 삼성전자의 '나노 경쟁'도 가열될 전망이다. 삼성전자는 2025년 모바일용 2나노 공정 양산을 시작으로 2026년 고성능 컴퓨팅용 반도체, 2027년에는 오토모티브용 공정을 도입해 파운드리 사업을 확대하는 동시에 질화갈륨(GaN) 기반 전력반도체 분야 확대 등 신소재를 활용한 화합물반도체 시장도 노리고 있다. 특히 지난해 3나노 공정 양산을 TSMC보다 6개월 먼저 시작할 수 있게 해준 1등 공신인 게이트올어라운드(GAA) 공정에 기대를 걸고 있다. TSMC는 2나노부터 GAA 공정을 채택할 예정이어서 초반 수율(양품 비율)을 잡는 데 어려움을 겪을 것으로 예상된다. 업계 관계자는 "양측 모두 어려운 시기에도 연구·개발(R&D) 비용은 줄이지 않았다"면서 "파운드리는 수율이 핵심으로 양측의 R&D 역량이 총집약된 경쟁이 본격적으로 시작될 것"이라고 내다봤다. rejune1112@fnnews.com 김준석 기자

#OBJECT0# [파이낸셜뉴스] 세계 파운드리(반도체 위탁 생산) 1위 기업인 대만 TSMC도 4년 만에 역성장을 기록하면서 상반기 반도체 한파를 피하지 못했다. 다만, TSMC는 5나노 수요 급증 등 하반기 반도체 경기 전망을 긍정적으로 내다봐 '반도체 바닥론'에 힘을 싣고 있다. 이에 따라, 반도체 업황 회복 조짐에 맞춰 글로벌 파운드리 양강인 TSMC와 삼성전자간 3나노 이하 초미세 공정 전쟁도 한층 뜨거워질 전망이다.   상반기 '고난의 행군' TSMC "하반기는 긍정적" 20일 TSMC는 온라인 실적 설명회를 개최하고 지난 2·4분기 연결 기준 매출이 4808억 대만달러(한화 약 19조6000억원), 세후순이익(당기순이익) 1818억 대만달러(약 7조4000억원)를 기록했다고 밝혔다. 전분기 대비 매출은 5.5%, 순이익은 12.2%씩 줄었으며, 지난해 동기 대비 10%, 23.3%씩 감소한 수치다. 웨이저자 TSMC 최고경영자(CEO)는 "인플레이션 등 거시경제 상황이 3개월 전 예상했던 것보다 훨씬 안 좋은 상황"이라면서 "리오프닝(경제활동 재개)에도 회복이 더딘 중국의 경제 상황과 예상보다 긴 고객사들의 재고조정 등이 원인"이라고 밝혔다. 이어 "상반기 인공지능(AI) 관련 매출이 많았지만 이 같은 악조건을 상쇄하기엔 역부족"이었다고 설명했다.  웨이 CEO는 글로벌 파운드리 생산량 예측치도 재조정했다. 웨이 CEO는 "올해 파운드리 생산량이 약 15~17% 하락할 것"이라고 내다봤다. 앞서 웨이 CEO는 지난 1·4분기에는 파운드리 사업 생산량이 올해 7~9%가량 감소할 것으로 예상한 바 있다. 이는 2·4분기 업황이 예상보다 더 나빴다는 뜻이다.  그럼에도 TSMC는 하반기 경기는 긍정적으로 봤다. TSMC 관계자는 "5나노급 주문이 폭주하고 있으며, 3나노(N3E)가 하반기 양산될 것"이라며 "가장 먼저 경기 회복 사이클에 진입할 것"이라고 자신감을 보였다. 최근 공장 지연설이 제기된 미국 애리조나 공장에 대해 리우더인 TSMC 회장은 인정했다. 리우 회장은 "현지에서 숙달된 직원을 채용한 데 어려움을 겪었다"면서 "당초 양산 시기를 2024년 말로 정했으나 2025년으로 연장할 것"이라고 밝혔다.   삼성·TSMC 2나노 대전 열리나 하반기 반도체 반등 기대감이 나오면서 TSMC와 삼성전자의 '나노 경쟁'도 가열될 전망이다. 삼성전자는 2025년 모바일용 2나노 공정 양산을 시작으로 2026년 고성능 컴퓨팅용 반도체, 2027년에는 오토모티브용 공정을 도입해 파운드리 사업을 확대하는 동시에 질화갈륨(GaN) 기반 전력반도체 분야 확대 등 신소재를 활용한 화합물반도체 시장도 노리고 있다. 특히 지난해 3나노 공정 양산을 TSMC보다 6개월 먼저 시작할 수 있게 해준 1등 공신인 게이트올어라운드(GAA) 공정에 기대를 걸고 있다. TSMC는 2나노부터 GAA 공정을 채택할 예정이어서 초반 수율(양품 비율)을 잡는 데 어려움을 겪을 것으로 예상된다. 업계 관계자는 "양측 모두 어려운 시기에도 연구·개발(R&D) 비용은 줄이지 않았다"면서 "파운드리는 수율이 핵심으로 양측의 R&D 역량이 총집약된 경쟁이 본격적으로 시작될 것"이라고 내다봤다. rejune1112@fnnews.com 김준석 기자

삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업이 2017년 출범 후 5년 여만에 매출 200억달러를 돌파했다. 파운드리를 별도 사업부로 분리하며 본격적으로 사업에 뛰어든 이후 매출이 2배 성장한 것으로 나타났다. 전 세계 1위 파운드리 기업 대만 TSMC와 격차는 좁히지 못하고 있지만 초미세공정 기술 경쟁력에서 고객사들의 인정을 받고 있다는 분석이다. 7일 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 삼성전자 파운드리 사업부의 매출은 208억달러로 집계됐다. 옴디아가 삼성 파운드리 매출을 집계한 2018년(117억달러) 대비 2배 가까이 증가했다. 2017년 5월 파운드리사업부를 출범한 이후 2018~2022년 5년간 매출 성장률은 15.6%를 나타냈다. 삼성전자는 초기 양산 당시 수율 관리에 어려움을 겪었던 초미세공정인 4나노미터(1nm=10억분의 1m)도 안정 궤도에 올려놨다는 평가다. 삼성전자는 올해 상반기 중 4나노 2·3세대 공정 양산을 시작한다. 2~3세대는 4나노 초기 버전인 SF4E(4LPE) 대비 성능·소비전력·면적이 업그레이드된 제품이다. 삼성전자는 지난해부터 4나노 노드 공정을 종전 2개에서 5개로 세분화했다. 이에 따라 △SF4E(4LPE) △SF4(4LPP) △SF4P(4LPP+) △SF4X(4HPC) △SF4A(4LPA)로 늘어났다. 4·5세대인 SF4X와 SF4A의 경우 각각 고성능컴퓨팅(HPC), 오토모티브용으로 개발된 제품으로, 2024~2025년 양산을 계획하고 있다. 의존도가 높은 모바일 외 제품 비중을 늘려 수익다각화를 모색하려는 것이다. TSMC의 4나노급인 N4P, N4X 공정에 대응하는 차원으로 분석된다. 지난해 6월에는 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 기반 3나노 공정 양산에 성공했다. GAA는 기존 핀펫과 비교해 성능과 전력 효율 등에서 우위를 나타내는 차세대 기술로 평가된다. TSMC가 2나노부터 GAA 공정을 적용하는 것과 달리 삼성전자는 3나노 1세대 공정부터 GAA 방식을 적용하며 초미세공정 기술 우위를 보일 것으로 예상된다. 경계현 삼성전자 DS(반도체) 부문장(사장)은 "현재 삼성전자의 3·4나노의 기술력이 TSMC보다 각각 2년, 1년 가량 뒤처져 있다면서도 TSMC가 2나노 공정 안에 들어오는 시점부터 TSMC를 앞설 수 있다"고 자신감을 내비쳤다. 삼성전자는 2025년 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획이다. 한편, 삼성전자는 오는 6월 27∼28일 미국 캘리포니아주 산호세를 시작으로 한국, 독일 뮌헨, 일본 도쿄, 중국 등에서 '삼성 파운드리 포럼'을 개최한다. 이번 행사에서는 삼성 파운드리 사업의 로드맵과 차세대 기술이 공개될 것으로 예측된다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 사업이 2017년 출범 후 5년 여만에 매출 200억달러를 돌파했다. 파운드리를 별도 사업부로 분리하며 본격적으로 사업에 뛰어든 이후 매출이 2배 성장한 것으로 나타났다. 전 세계 1위 파운드리 기업 대만 TSMC와 격차는 좁히지 못하고 있지만 초미세공정 기술 경쟁력에서 고객사들의 인정을 받고 있다는 분석이다.  7일 시장조사기관 옴디아에 따르면 지난해 삼성전자 파운드리 사업부의 매출은 208억달러로 집계됐다. 옴디아가 삼성 파운드리 매출을 집계한 2018년(117억달러) 대비 2배 가까이 증가했다. 2017년 5월 파운드리사업부를 출범한 이후 2018~2022년 5년간 매출 성장률은 15.6%를 나타냈다. 삼성전자는 초기 양산 당시 수율 관리에 어려움을 겪었던 초미세공정인 4나노미터(1nm=10억분의 1m)도 안정 궤도에 올려놨다는 평가다. 삼성전자는 올해 상반기 중 4나노 2·3세대 공정 양산을 시작한다. 2~3세대는 4나노 초기 버전인 SF4E(4LPE) 대비 성능·소비전력·면적이 업그레이드된 제품이다.  삼성전자는 지난해부터 4나노 노드 공정을 종전 2개에서 5개로 세분화했다. 이에 따라 △SF4E(4LPE) △SF4(4LPP) △SF4P(4LPP+) △SF4X(4HPC) △SF4A(4LPA)로 늘어났다. 4·5세대인 SF4X와 SF4A의 경우 각각 고성능컴퓨팅(HPC), 오토모티브용으로 개발된 제품으로, 2024~2025년 양산을 계획하고 있다. 의존도가 높은 모바일 외 제품 비중을 늘려 수익다각화를 모색하려는 것이다. TSMC의 4나노급인 N4P, N4X 공정에 대응하는 차원으로 분석된다. 지난해 6월에는 세계 최초로 게이트올어라운드(GAA) 기반 3나노 공정 양산에 성공했다. GAA는 기존 핀펫과 비교해 성능과 전력 효율 등에서 우위를 나타내는 차세대 기술로 평가된다. TSMC가 2나노부터 GAA 공정을 적용하는 것과 달리 삼성전자는 3나노 1세대 공정부터 GAA 방식을 적용하며 초미세공정 기술 우위를 보일 것으로 예상된다. 경계현 삼성전자 DS(반도체) 부문장(사장)은 "현재 삼성전자의 3·4나노의 기술력이 TSMC보다 각각 2년, 1년 가량 뒤처져 있다면서도 TSMC가 2나노 공정 안에 들어오는 시점부터 TSMC를 앞설 수 있다"고 자신감을 내비쳤다. 삼성전자는 2025년 2나노, 2027년에는 1.4나노 공정을 도입할 계획이다.  한편, 삼성전자는 오는 6월 27∼28일 미국 캘리포니아주 산호세를 시작으로 한국, 독일 뮌헨, 일본 도쿄, 중국 등에서 '삼성 파운드리 포럼'을 개최한다. 이번 행사에서는 삼성 파운드리 사업의 로드맵과 차세대 기술이 공개될 것으로 예측된다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자