아날로그 및 혼성신호 반도체 전문기업 매그나칩반도체(대표이사 김영준, NYSE:MX)는 RF FEM(Front-end Module) 파운드리 신흥시장을 위한 0.18um SOI(Silicon on Insulator) RF CMOS 공정기술을 제공하게 되었다고 밝혔다.SOI RF CMOS 공정기술은 안테나 스위치 및 튜너(Tuner) 어플리케이션에 활용되는 기술이다. 스위치와 튜너는 무선이동통신(Cellular)과 와이파이(Wi-Fi) 연결을 위한 무선 FEM을 만드는데 핵심적인 부품이다. CMOS 기반 FEM은 제조 단가와 시장 대응 시간을 감소 시키는 동시에 멀티 밴드 및 멀티 모드의 스마트폰과 태블릿에 있어서 경쟁력 있는 성능구현이 가능하다.매그나칩의 0.18um SOI RF CMOS 공정기술은 고성능 구현을 위해 Trap-rich의 고저항 기판에 박막 실리콘 SOI를 사용한다. 이번 공정기술은 2.5V 스위치 FET로 60fs/V 미만의 Ron*Coff/BVDSS이라는 높은 경쟁력을 갖는 성능지수 특성도 가지고 있다. 이는 현재 생산 가능한 경쟁력 있는 범위의 값을 의미하는 것으로 FEM 어플리케이션에도 적합한 것이다. 아울러, 이번 공정기술은 높은 수준의 집적을 가능하게 하는 2.5V CMOS, Native NMOS, 1.6Kohm/square Poly Resistor, 2.2fF/um2 MIM Capacitor, 4LM and 4Micron Thick Top Metal도 포함하고 있다. 또한, Mask Layer 개수가 다른 비교할 만한 기술에서의 요구수준 보다 30% 적어, 성능에 아무런 영향 없이 가격 경쟁력이 높은 솔루션을 매그나칩 고객에 제공할 수 있을 것으로 기대된다. 매그나칩은 고객들에게 뛰어난 RF CMOS 모델의 추출과 생성 및 검증 기술을 제공하기 위해 소자 모델링 솔루션의 선두 기업인 Keysight Technologies 의 EEsof EDA와 협력해 왔다.매그나칩 파운드리부문 박남규 부사장은 “매그나칩은 가격 경쟁력이 높고 탁월한 성능의 0.18um SOI RF CMOS 공정기술을 제공함으로써, 파운드리 고객들에게 공급하고 있는 고성능의 앞선 공정기술 포트폴리오 확대에 중요한 기회가 되었다.”고 평가하고, “빠른 속도로 변하고 있는 고객 니즈를 충족시키기 위해 지속적으로 혁신적이고 차별화된 기술을 제공할 것”이라고 말했다.

파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 HVIC(High Voltage Integrated Circuit) 공정 기술 출시를 통해 자사 고전압 파운드리 서비스 포트폴리오를 확대 강화했다고 24일 밝혔다. SK키파운드리 HVIC 공정은 5V급 로직, 25V급 고전압 소자, 650V 이상의 nLDMOS(Lateral Double diffused MOS), 650V 이상의 부트스트랩 다이오드(Bootstrap Diode) 등을 하나의 공정에 구현해 고객이 한 개의 칩에 외장 소자를 줄이고 다양한 고전압 기능을 설계할 수 있는 것이 특징이며, 여기 포함된 25V 고전압 소자 및 650V nLDMOS 소자의 경우 높은 전류 성능을 확보해 고객 제품 경쟁력 향상에 기여할 것으로 기대된다. 또한 Non-volatile 소자인 MTP(Multi Time Program) IP와 OTP(One Time Program) IP를 옵션으로 함께 제공해 고객이 하나의 디자인에서 다양한 제품 스펙 변경이 가능하다. SK키파운드리는 이번 HVIC 공정 개발을 통해 기존 고전압 BCD(Bipolar-CMOS-DMOS) 공정의 200V 이하 제품과 Thick IMD(Inter Metal Dielectric) 옵션을 통한 1,500V 이상 초고전압 제품 라인업에 더해, 650V~1,200V 수준의 게이트 드라이버 제품까지 고전압 라인업을 확대하게 되었다. 특히 이번 공정은 자동차용 품질 규격 AEC-Q100 1급을 만족해 자동차용 모터 드라이버 및 전기 자동차용 OBC에 적합할 뿐 아니라 태양광용 인버터 등 향후 수요 증가가 예상되는 다양한 응용 분야로의 사업 확장이 기대되고 있다. HVIC 공정을 사용하는 주요 제품에는 MCU(Micro Controller Unit)에서 제어 신호를 받아 고전압 MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 또는 IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor) 등의 게이트를 직접 구동하는 고전압용 게이트 드라이버 IC 등이 있으며, 이는 대형 백색 가전용 모터 드라이브, 데이터 서버용 전압 변환기, 자동차용 모터 드라이브 및 OBC(On Board Charger), 산업용 모터 드라이브 등 다양한 전력용 제품에 사용되고 있다. SK키파운드리 이동재 대표는 "HVIC 공정 기술 출시로 대형 가전과 차량용 모터 시장에서 SK키파운드리 경쟁력을 강화하게 되어 의미 있게 생각한다"며, "지속적인 HVIC 포트폴리오 확대를 통해 차세대 전력 반도체 고전압 소자용 게이트 드라이버 IC 등 다양한 응용 분야에 적용 가능토록 기술 우위를 확보해 나갈 것"이라고 밝혔다.

[파이낸셜뉴스] 연세대학교 전기전자공학과 채영철 교수 연구팀이 세계 최초로 웨이퍼 스케일의 고속, 초저선량, 고해상도 SPAD(Single Photon Avalanche Diode) 엑스레이(X-ray) 센서를 개발했다고 밝히면서 레이언스와의 산학협력 사실이 부각되고 있다. 18일 오후 1시 35분 현재 레이언스는 전 거래일 대비 5.83% 오른 8720원에 거래되고 있다. 이날 관련 업계에 따르면 채 교수 연구팀은 세계에서 처음으로 웨이퍼 스케일의 고속, 초저선량, 고해상도 SPAD(Single Photon Avalanche Diode) X-ray 센서를 개발했다. 연구팀은 단일 광자 검출을 가능하게 하는 실리콘 공정 기반의 SPAD 기술과 디지털 픽셀 회로 기술을 결합해 SPAD X-ray 센서를 웨이퍼 스케일로 구현하는 데 성공했다. 이 기술은 시스템 반도체 설계 분야 최우수 학술대회로 꼽히는 ‘IEEE VLSI 심포지엄’ 발표 논문으로 채택됐다. 논문에 따르면 이 센서는 고속 글로벌 셔터 기술을 적용해 동영상 촬영 시에도 선명한 X-ray 영상을 제공한다. 또 회로 잡음이 없는 디지털 픽셀 회로 기술을 통해 기존 CMOS X-ray 센서 대비 40dB 더 넓은 116dB의 다이내믹 레인지 성능을 달성했다. 14% 수준의 선량으로도 동일한 이미지 품질을 획득할 수 있다. 연구팀은 "이번 연구는 기존 X-ray 센서의 속도, 잡음, 해상도 문제를 해결한 초격차 기술"이라며 "8만화소에 불과했던 SPAD X-ray 센서의 한계를 극복하고 웨이퍼 스케일의 550만화소 구현에 성공했다”고 밝혔다. 레이언스는 지난 2018년 연세대 산학협력단과 차세대 센서 기술 개발을 위한 공동 연구 협약식을 개최한 바 있다. 이를 통해 공동 운영 중인 레이언스 차세대 센서 연구센터(CAR)는 채 교수를 포함해 전기전자공학과 안종현 교수, 의과대학 방사선종양학 김진성 교수 등 다양한 연구팀이 참여했다. dschoi@fnnews.com 최두선 기자

[파이낸셜뉴스] 중앙대학교 박성규 교수 연구팀이 접고 비틀고 늘려도 정상 작동하는 반도체·디스플레이를 현실로 만들 핵심 기술을 개발하는 데 성공했다. 중앙대는 전자전기공학부·지능형반도체공학과 박성규 교수와 강승한 박사과정생으로 구성된 연구팀이 차세대 자유 형상 반도체 소자와 디스플레이에 적용하기 위한 ‘고신축성 무기 반도체 트랜지스터·집적회로’ 기술을 개발했다고 4일 밝혔다. 다양한 형태 변환이 가능한 차세대 자유 형상 전자기기를 개발하기 위해서는 형태를 변환해도 성능을 유지할 수 있는 신축성 반도체 소자 개발이 전제돼야 한다. 유연함을 특성으로 하는 유기 반도체나 나노반도체 소재를 기반으로 진행된 기존 연구는 안정성 등 여러 측면에서 적합하지 않다는 평을 받고 있다. 기존 반도체 소재의 한계를 극복하기 위해 새로운 산화물 반도체를 활용한 연구들이 주목받았지만, 많은 제약이 존재했다. 서로 다른 탄성률을 지닌 재료를 기판에 통합하는 것이 쉽지 않은 일이었기 때문이다. 기계적 변형에 취약한 소자 영역을 구조적으로 보호하는 전략이 사용됐지만, 부분적으로 집중되는 인장 스트레스, 소재 간 물성 차이로 인해 발생하는 층 분리 문제에서 벗어나기 힘들었다. 밀도가 높은 산화물 반도체 소자와 회로를 외력으로부터 보호하면서 변형을 가능하게 만드는 새로운 기술과 구조가 필요한 상황이었다. 박성규 교수 연구팀은 분자 맞춤형 기판 소재와 액상 금속 배선을 활용해 만든 고신축성 산화물 트랜지스터와 집적회로를 개발해 문제를 정면 돌파했다. 신축 기판과 강성 섬유 분자 맞춤형 소재를 도입해 강한 결합력을 갖도록 함으로써 층 분리 문제를 해결했고, 이중 보호막구조의 트랜지스터를 기판 내부에 위치시켜 소자 안정성도 확보했다. 연구팀이 개발한 고집적 산화물 반도체 집적회로 신축화 기술은 높은 인장 강도를 바탕으로 다양한 형태 변형에도 우수한 성능과 안정성을 보여줬다. 고해상도 액상 금속 배선을 기존 반도체(CMOS) 공정에 호환할 수 있는 통합된 일체형 고신축 집적회로 제조 기술도 개발해 그 쓰임새가 클 것으로 전망된다. 이번 연구성과는 중앙대 박성규 교수 연구팀이 영국 케임브리지대, 성균관대와 함께 진행해 도출한 것이다. 박성규 교수가 연구 책임을 맡았으며, 강승한 박사과정생은 제1저자에 이름을 올렸다. 박 교수는 “이번 연구를 통해 기존 신축성 전자소자의 소재와 구조, 공정기술의 제약을 극복했다. 자유 형상 고집적 반도체 소자와 집적회로 상업화에 큰 도약의 계기가 될 것이라고 본다. 신축성 반도체 집적회로, 디스플레이, 헬스 모니터링 시스템 등 차세대 전자기기의 핵심 기술로도 자리매김할 것”이라고 말했다.   banaffle@fnnews.com 윤홍집 기자

[파이낸셜뉴스] 뷰웍스가 반도체와 디스플레이 검사 시장을 정조준하고 새로운 주문제작용 초정밀 검사 광학 솔루션 'VEO 포커스'를 내놨다.4일 뷰웍스에 따르면, 'VEO 포커스'는 뷰웍스가 고객의 요구 사양에 맞춰 렌즈·카메라·조명 등의 각 파트를 맞춤형으로 주문 제작할 수 있다. 뷰웍스 관계자는 "디스플레이, 반도체 부분의 양적 성장 및 기술적 성장에 힘입어 서브마이크로 검사 장비 수요가 떠오르면서, 그에 필요한 가치를 제공할 수 있는 방안을 지속적으로 모색해 왔다"며, "최첨단 기술의 응집으로 반도체, 고집적 PCB, 디스플레이 검사 시장에서 기술 우위를 더욱 공고히 다질 수 있을 것으로 기대한다"고 말했다. VEO 포커스는 고감도 산업용 카메라와 이에 최적화된 고배율 렌즈를 조합해 서브 마이크로(1마이크로미터 이하) 수준의 결함을 검사, 생산 수율을 극대화하는 솔루션이다. 디스플레이와 반도체 산업의 기술적인 성장에 힘입어 고사양의 검사 시스템 수요가 커짐에 따라 자동 초점 모듈을 일체화한 통합 솔루션을 제공한다는 방침이다. 활용 분야는 OLED·마이크로 LED 디스플레이, 반도체, 인쇄회로기판(PCB) 결함 검사 등 대면적, 고배율의 촬영이 요구되는 영역이다. 디스플레이 검사 공정에 투입될 경우 주로 표면의 불균일 패턴과 불량 화소 검사에 활용되며, PCB 검사 공정에서는 서브마이크로 수준의 회로 손상과 핀 홀(기판 표면의 작은 구멍) 유무 검사 등에 활용된다. VEO 포커스는 △카메라 △경통과 결합된 렌즈 △조명계 △모션제어부를 포함한 자동초점 모듈 △정밀 광학 세팅 유닛 총 5종의 파트로 구성되며, 이를 고객사가 요구하는 사양에 맞춰 커스터마이징 할 수 있다. 특히 뷰웍스가 자체 개발한 자동 초점 모듈을 결합해 PC와 같은 별도의 영상 처리 장치 없이도 초당 최대 3,000회까지 촬영, 실시간으로 피사체의 위치 변화를 계산해 정확한 이미지를 획득할 수 있게 한다. 우수한 결함 감지 성능도 갖췄다. 고성능 시간차 적분(TDI) 라인 스캔 카메라 'VTDI'와 이에 최적화된 렌즈 'VEO'의 결합으로 전체 검사 영역에서 고화질의 영상 획득이 가능하다. 0.3~0.4마이크로미터 수준의 극도로 미세한 결함까지 감지할 수 있으며, 조명계를 결합해 촬영 대상의 모양이나 색이 눈에 쉽게 띄는 시인성을 한층 더 높였다. 한편 'VEO 포커스'의 구성요소인 고해상도 TDI 라인 스캔 카메라 'VTDI'는 뷰웍스가 독자 개발한 하이브리드 센서가 적용된 라인업이다. 전하결합소자(CCD), 상보형 금속 산화막 반도체(CMOS) 센서의 장점만을 결합해 선명한 화질 구현 성능과 빠른 영상처리 속도를 겸비해 초고속 촬영 환경에서도 선명한 영상을 구현할 수 있다.   monarch@fnnews.com 김만기 기자

울산과학기술원(UNIST) 전기전자공학과 변영재 교수(사진)가 국내 전자공학 최고권위의 상인 해동 학술상을 수상한다. 부친인 고 변증남 한국과학기술원(KAIST) 명예교수에 이어 2대째 수상이다. 6일 대한전자공학회에 따르면 학회가 주관하고 해동과학문화재단이 후원하는 제33회 해동 학술상 수상자로 변 교수, 해동 기술상 수상자로 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장, 해동 젊은 공학인상으로 김현 서울과학기술대학교 교수(학계), 이종민 현대모비스 책임연구원(산업계)을 각각 선정했다. 변 교수는 바이오 메디컬 마이크로 시스템, CMOS 기반 아날로그 회로, 무선 전력 전송 시스템, 전력관리 회로 분야에서의 뛰어난 성과와 혁신적인 연구를 학술지와 국제학회에 발표했으며, 총 5497회의 피인용을 기록하는 등 국내외적으로 인정받고 있다. 곽 사장은 SK하이닉스에서 약 30년간 메모리 반도체 공정 연구, 제품 개발, 제조 등 R&D와 생산 현장을 두루 거치며 D램(DRAM), 낸드(NAND) 개발과 생산을 주도했다. 특히 HBM, LPDDR5, DDR5 등 업계 최고 성능의 메모리 제품 개발을 통해 글로벌 기술경쟁력을 공고히 했다. 김 교수는 인공지능 반도체 설계 분야에서의 혁신적인 연구성과를 국제 저널과 학술대회에 발표해 상대적으로 피인용이 낮은 반도체 설계 분야에서 총 1505회의 피인용을 기록했으며, 특허 28건, 수상실적 35건, 그리고 초청강연 31회 등 다양한 업적을 성취했다. 이 책임연구원은 약 10년간 현대모비스 기술연구소에 재직하면서 현대기아차 인포테인먼트 제품인 표준형 AVN 5세대를 개발했으며, 차세대 AVN 플랫폼 선행개발 및 ccNC(connected car Navigation Cockpit) 제품 개발에서 주요한 역할을 수행했다. 구자윤 기자

울산과학기술원(UNIST) 전기전자공학과 변영재 교수가 국내 전자공학 최고권위의 상인 해동 학술상을 수상한다. 부친인 고 변증남 한국과학기술원(KAIST) 명예교수에 이어 2대째 수상이다. 6일 대한전자공학회에 따르면 학회가 주관하고 해동과학문화재단이 후원하는 제33회 해동 학술상 수상자로 변 교수, 해동 기술상 수상자로 곽노정 SK하이닉스 대표이사 사장, 해동 젊은 공학인상으로 김현 서울과학기술대학교 교수(학계), 이종민 현대모비스 책임연구원(산업계)을 각각 선정했다. 변 교수는 바이오 메디컬 마이크로 시스템, CMOS 기반 아날로그 회로, 무선 전력 전송 시스템, 전력관리 회로 분야에서의 뛰어난 성과와 혁신적인 연구를 학술지와 국제학회에 발표했으며, 총 5497회의 피인용을 기록하는 등 국내외적으로 인정받고 있다. 곽 사장은 SK하이닉스에서 약 30년간 메모리 반도체 공정 연구, 제품 개발, 제조 등 R&D와 생산 현장을 두루 거치며 D램(DRAM), 낸드(NAND) 개발과 생산을 주도했다. 특히 HBM, LPDDR5, DDR5 등 업계 최고 성능의 메모리 제품 개발을 통해 글로벌 기술경쟁력을 공고히 했다. 김 교수는 인공지능 반도체 설계 분야에서의 혁신적인 연구성과를 국제 저널과 학술대회에 발표해 상대적으로 피인용이 낮은 반도체 설계 분야에서 총 1505회의 피인용을 기록했으며, 특허 28건, 수상실적 35건, 그리고 초청강연 31회 등 다양한 업적을 성취했다. 이 책임연구원은 약 10년간 현대모비스 기술연구소에 재직하면서 현대기아차 인포테인먼트 제품인 표준형 AVN 5세대를 개발했으며, 차세대 AVN 플랫폼 선행개발 및 ccNC(connected car Navigation Cockpit) 제품 개발에서 주요한 역할을 수행했다.  한편 해동상은 50년 이상 PCB 사업에 전념해온 고 김정식 대덕전자 회장이 해동과학문화재단을 설립해 인재 육성을 통한 학문과 기술의 발전에 기여하기 위해 우리나라 전자공학 및 관련 분야의 학문과 기술 발전에 큰 업적을 쌓은 인재들에게 수여하기 위해 제정한 상이다.  solidkjy@fnnews.com 구자윤 기자

[파이낸셜뉴스]  디스플레이 구동 시스템 반도체(DDIC, Display Driver IC) 전문기업 사피엔반도체가 금융위원회에 증권신고서를 제출하고 하나머스트7호스팩과의 합병을 통한 코스닥 상장을 본격 추진한다고 24일 밝혔다. 사피엔반도체는 지난 9일 한국거래소 코스닥시장본부로부터 상장 예비 심사를 통과했다. 2017년 설립된 사피엔반도체는 DDIC 제품 개발을 전문적으로 수행하는 팹리스(fabless) 기업이다. 특히 디스플레이 시장의 ‘게임체인저’로 주목받고 있는 마이크로 및 미니LED에 최적화된 DDIC 제품을 연구·개발해 글로벌 시장에 공급하고 있으며, 서유럽 및 북미 지역 제조사들과 지속 협력해 제품 양산·판매를 위한 글로벌 네트워크 확장에 주력하고 있다. 사피엔반도체는 마이크로LED 구동 반도체 관련 핵심 원천기술을 비롯해 총 140여 개의 글로벌 특허를 보유하고 있다. 이를 기반으로 초대형/대형 디스플레이 패널 구동 반도체 칩셋(Chipset)과 증강/혼합현실(AR/MR) 기기에 적합한 초소형 디스플레이 엔진용 마이크로LED 구동 상보형금속산화물반도체(CMOS) 백플레인(Backplane)을 제품군으로 확보하고 있다. 사피엔반도체는 고객군 다변화 전략의 일환으로 고객사별 맞춤형 DDIC 제품 공급을 넘어 세계 최초로 28나노미터(nm) CMOS공정을 적용한 ‘범용(Off-The-Shelf)’ 제품을 신규 개발하는 데 성공했다. 제조사의 수요예측에 절대적인 영향을 받는 커스텀 제품의 한계점을 극복하기 위한 것으로, 올해 하반기 마이크로 디스플레이용 CMOS Backplane 제품과 TV/사이니지 패널용 신제품 2종을 출시한 바 있다. 이명희 사피엔반도체 대표는 “당사는 기존 디스플레이 패널 시장을 대체할 마이크로LED 시장에 대비하기 위해 핵심 IP를 조기에 확보하고, 국내를 비롯한 미국·영국·독일·벨기에·중국·일본 등의 메이저 제조사와 협력관계를 구축하는 등 착실히 사업경쟁력을 강화해 왔다”며 “코스닥 상장을 발판으로 신제품 R&D 역량을 더욱 강화해 마이크로LED 초기 시장의 DDIC 분야를 선도할 것”이라며 포부를 밝혔다. 사피엔반도체와 하나머스트7호스팩의 1주당 합병가액은 각각 1만5330원, 2000원으로, 양사의 합병비율은 1 대 0.1304648 이다. 합병 후 사피엔반도체의 발행주식 총수는 780만876주다. 합병 승인을 위한 주주총회는 오는 12월 22일에 진행되며, 내년 1월 24일 합병기일을 거쳐 같은 해 2월 코스닥 시장에 상장할 예정이다. nodelay@fnnews.com 박지연 기자

[파이낸셜뉴스] 대구경북과학기술원(DGIST)에서 우주나 극한의 환경에 쓰이는 전자제품에 쓰일 초소형 나노 진공관 트랜지스터를 개발했다. 영하 173도~영상 120도 견뎌 이 진공관 트랜지스터는 10억분의 1m 크기로 초소형화 했다. 특히 영하 173도에서 영상 120도까지 견뎌내고, X선과 자외선이 많은 우주공간에서도 사용할 수 있게 만들었다. 극한의 외부 환경에 영향을 받지 않고 안정적으로 동작하는 초소형 나노 진공관 트랜지스터는 향후 항공우주, 인공지능, 6G 통신, 자율주행 자동차 등 다양한 분야의 획기적인 발전에 기여할 수 있을 것으로 보인다. DGIST 장재은 교수는 "이번 연구를 통해 개발된 초소형 나노 진공관 트랜지스터는 진공 소자 실용화의 장벽을 낮출 수 있는 새로운 기술"이라며 "기존 반도체 기술의 대체 뿐만아니라 미국 항공우주국(NASA)에서도 연구하고 있어, 최근 떠오르고 있는 항공우주 분야와 광범위한 차세대 전자 소자에 중요한 해결책이 될 수 있을 것"이라고 말했다. 7일 DGIST에 따르면, 연구진은 과거 진공관의 원리와 현대 반도체 생산 기술을 결합해 나노 진공관 트랜지스터를 만들었다. 실리콘 기반의 반도체 트랜지스터의 근본적인 문제를 해결하기 위해서 비어있는 상태인 진공을 채널로 이용했다. 또 양자역학적 터널링 현상을 동작 원리로 채용했다. 10억분의 1m 사이즈 초소형화 이 진공관 트랜지스터는 나노 공정 기술을 적용해 진공 소자를 약 10억분의 1m 사이즈로 초소형화했다. 또한, 진공 상태에서만 동작하는 진공 트랜지스터의 한계를 극복하기 위한 진공 보호막 형성 기술을 개발해 약 100경분의 1L로 부피를 극소화한 초소형 진공관 개발해 트랜지스터를 안정적으로 사용할 수 있도록 설계했다. 테스트 결과, 이 초소형 진공관은 대기압 상태에서 안정적으로 작동하는 높은 품질의 진공도를 15개월 이상 유지했다. 알루미늄 박막 밀봉층을 가지는 진공 챔버는 가시광선, 자외선 등 노출된 빛을 효과적으로 차단해 진공 터널링 트랜지스터가 안정적으로 작동했다. 특히 영하 173도 ~ 영상 120도의 넓은 온도 범위 및 X선, 자외선 등 극한의 외부 환경 변화에도 안정적으로 작동했다. 연구진은 "이 장치가 접합된 나노 진공 트랜지스터가 특수한 장치 없이 다양한 극한 조건에서 작동했다"고 설명했다. 이어 "기존의 CMOS 반도체 공정과 호환성이 높고 간단한 방식으로 제작 될 수 있어 기존 반도체 기술의 문제를 해결할 수 있는 새로운 대안이 될 수 있다"고 덧붙였다.  monarch@fnnews.com 김만기 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 19일(현지시간) 글로벌 자동차 산업의 메카 독일 뮌헨에서 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 열고 최첨단 공정 로드맵과 전장 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했다고 밝혔다. 삼성전자는 최첨단 2나노미터(1nm=10억분의 1m) 공정부터 8인치 웨이퍼(원판)를 활용한 레거시 공정 등 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였다. 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 협업 생태계인 '세이프(SAFE)' 파트너들은 부스 전시를 통해 최신 파운드리 기술 트렌드와 향후 발전 방향을 공유했다. 앞서 삼성전자는 지난 9월 독일에서 열린 세계 최대 모터쇼 'IAA 2023'에 참석하는 등 전장사업 파트너사 확대에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 2026년 완료한다. 차세대 내장형 MRAM(eMRAM)과 8인치 바이폴라·CMOS·DMOS(BCD) 공정 포트폴리오를 확대한다. eMRAM은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 전장용 차세대 핵심 칩이다. BCD 공정은 바이폴라(아날로그 신호제어), CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것으로, 주로 전력 반도체 생산에 활용된다. 삼성전자는 2024년 완료를 목표로 차랑용 반도체 품질기준인 AEC-Q100 그레이드 1에 맞춰 핀펫(FinFET) 공정 기반 14나노 eMRAM을 개발 중이다. 또 2026년 8나노·2027년 5나노까지 eMRAM 포트폴리오를 확대할 계획이다. 8나노 eMRAM의 경우 이전 14나노 대비 집적도 30%, 속도 33%가 증가할 것으로 기대된다. eMRAM은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 차세대 전장용 칩이다. 삼성전자는 현재 양산 중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대한다. 90나노 전장 BCD 공정은 130나노 대비 약 20% 칩 면적 감소가 기대된다. 또 전장향 솔루션에 적용되는 고전압을 기존 70볼트에서 120볼트로 높일 예정이다. 130나노 BCD 공정에 120볼트를 적용한 공정설계키트(PDK)를 2025년 제공한다. 삼성전자 최시영 파운드리사업부장(사장)은 "차량용 반도체 시장에 최적화된 공정을 적기에 개발해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체, 마이크로 컨트롤러 유닛(MCU) 등을 고객 요구에 맞춰 양산해 나갈 계획"이라며 "삼성전자 만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것"이라고 말했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자