삼성전자가 차세대 8나노 무선통신(RF) 공정 기술을 개발하고, 5세대(5G) 이동통신용 반도체 파운드리(위탁생산) 사업을 강화한다고 9일 밝혔다. 삼성전자는 8나노 RF 파운드리로 멀티 채널, 멀티 안테나를 지원하는 5G 통신용 RF 칩을 원칩 솔루션으로 제공해 서브 6GHz부터 밀리미터파(㎜Wave)까지 5G통신 반도체 시장을 적극 공략할 계획이다. 삼성전자는 지난 2015년 28나노 12인치 RF 공정 파운드리 서비스를 시작한 후, 2017년 업계 최초 본격 양산을 시작한 14나노를 포함해 8나노까지 RF 파운드리 솔루션을 확대했다. RF칩은 모뎀칩에서 나오는 디지털 신호를 아날로그로 변환해 우리가 사용할 수 있는 무선주파수로 바꿔주고, 반대로 모뎀칩으로 전송하기도 하는 무선주파수 송수신 반도체다. 주파수 대역 변경과 디지털·아날로그 신호 변환을 하는 로직 회로 영역, 주파수 수신·증폭 등의 역할을 하는 아날로그 회로 영역으로 구성된다. 삼성전자는 2017년부터 지금까지 프리미엄 스마트폰을 중심으로 5억개 이상의 모바일 RF칩을 출하하며 시장 리더십을 유지하고 있다. 삼성전자 8나노 RF 공정은 이전 14나노 공정 대비 RF칩 면적을 약 35% 줄이고, 전력 효율도 약 35% 향상시켰다. 반도체 공정이 미세화될수록 로직 영역의 성능은 향상되지만 아날로그 영역에서는 좁은 선폭으로 인해 저항이 증가하고 수신 주파수의 증폭 성능 저하, 소비전력 증가 등이 발생한다. 삼성전자는 적은 전력을 사용하면서도 신호를 크게 증폭할 수 있는 RF 전용 반도체 소자 'RFeFET™(RF extremeFET)'를 개발해 8나노 RF 공정에 적용했다. 특히 삼성전자는 RFeFET™의 전자가 흐르는 통로인 채널 주변부에 특정 소재를 적용하고, 물리적인 자극을 통해 전자 이동 특성을 극대화했다. 이형진 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 마스터는 "공정 미세화와 RF 성능 향상을 동시에 구현한 삼성전자 8나노 기반 RF 파운드리는 소형·저전력·고품질 통신의 장점으로 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다. km@fnnews.com 김경민 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자가 차세대 8나노 무선통신(RF) 공정 기술을 개발하고, 5세대(5G) 이동통신용 반도체 파운드리(위탁생산) 사업을 강화한다고 9일 밝혔다. 삼성전자는 8나노 RF 파운드리로 멀티 채널, 멀티 안테나를 지원하는 5G 통신용 RF 칩을 원칩 솔루션으로 제공해 서브 6GHz부터 밀리미터파(mmWave)까지 5G통신 반도체 시장을 적극 공략할 계획이다. 삼성전자는 지난 2015년 28나노 12인치 RF 공정 파운드리 서비스를 시작한 후, 2017년 업계 최초 본격 양산을 시작한 14나노를 포함해 8나노까지 RF 파운드리 솔루션을 확대했다. RF칩은 모뎀칩에서 나오는 디지털 신호를 아날로그로 변환해 우리가 사용할 수 있는 무선주파수로 바꿔주고, 반대로 모뎀칩으로 전송하기도 하는 무선주파수 송수신 반도체다. 주파수 대역 변경과 디지털·아날로그 신호 변환을 하는 로직 회로 영역, 주파수 수신·증폭 등의 역할을 하는 아날로그 회로 영역으로 구성된다. 삼성전자는 2017년부터 지금까지 프리미엄 스마트폰을 중심으로 5억개 이상의 모바일 RF칩을 출하하며 시장 리더십을 유지하고 있다. 삼성전자 8나노 RF 공정은 이전 14나노 공정 대비 RF칩 면적을 약 35% 줄이고, 전력 효율도 약 35% 향상시켰다. 반도체 공정이 미세화될수록 로직 영역의 성능은 향상되지만 아날로그 영역에서는 좁은 선폭으로 인해 저항이 증가하고 수신 주파수의 증폭 성능 저하, 소비전력 증가 등이 발생한다. 삼성전자는 적은 전력을 사용하면서도 신호를 크게 증폭할 수 있는 RF 전용 반도체 소자 'RFeFET™(RF extremeFET)'를 개발해 8나노 RF 공정에 적용했다. 특히 삼성전자는 RFeFET™의 전자가 흐르는 통로인 채널 주변부에 특정 소재를 적용하고, 물리적인 자극을 통해 전자 이동 특성을 극대화했다. 이형진 삼성전자 파운드리사업부 기술개발실 마스터는 "공정 미세화와 RF 성능 향상을 동시에 구현한 삼성전자 8나노 기반 RF 파운드리는 소형·저전력·고품질 통신의 장점으로 고객들에게 최적의 솔루션을 제공할 것"이라고 말했다. km@fnnews.com 김경민 기자 km@fnnews.com 김경민 기자

삼성전자가 극자외선(EUV) 기술 기반의 5나노 파운드리(위탁생산) 공정 개발에 성공했다. 삼성전자는 이달 6나노 제품 설계 완료와 7나노 제품 출하 예정 등 파운드리 시장에서의 경쟁력을 강화하고 있다. 이번 EUV 5나노 공정 기술 개발을 통해 삼성전자가 업계 1위인 대만의 TSMC를 추격하는 발판이 될 것으로 전망된다. 아울러 삼성전자가 초미세 첨단 공정 기술 개발에 성공함으로써 시스템 반도체 사업 강화는 물론 국내 반도체 생태계 발전에도 긍정적인 영향을 줄 것으로 예상된다. 파운드리 사업이 전후방 연관 효과가 커서 관련 국내 업체들의 수혜를 입을 것으 예상돼서다. ■최첨단 5나노 초미세 공정 삼성전자가 이번에 개발한 차세대 5나노 공정은 셀 설계 최적화를 통해 기존 7나노 공정 대비 로직 면적을 25% 줄일 수 있다. 면적은 줄이면서도 20% 향상된 전력 효율과 10% 향상된 성능을 제공한다. 또 7나노 공정에 적용된 설계 자산(IP)을 활용할 수 있어 기존 7나노 공정을 사용하는 업체는 5나노 공정의 설계비용을 줄일 수 있다고 회사 측은 전했다. 아울러 삼성전자는 7나노와 6나노 파운드리 공정에서도 양산을 본격화하고 있다. 앞서 올해 초 업계 최초로 EUV 공정을 적용한 7나노 제품 양산을 시작했다. 이달 중 7나노 제품을 본격 출하할 계획이다. 6나노 공정 기반 제품에 대해서는 대형 고객과 생산 협의를 진행하고 있다. 제품 설계가 완료돼(Tape-Out) 올해 하반기 양산할 예정이다. 이번 초미세 공정의 기반이 된 EUV 기술은 기존 불화아르곤 (ArF)보다 파장의 길이가 짧은 EUV 광원을 사용한다. 이에 세밀한 반도체 회로를 구현할 수 있어 회로를 새기는 작업을 반복하는 멀티 패터닝 공정을 줄여 성능과 수율을 높일 수 있다. 삼성전자는 최신 파운드리 생산시설인 화성캠퍼스 S3 라인에서 EUV 기반 최첨단 공정 제품을 생산하고 있다. 현재 건설 중인 화성캠퍼스 EUV 전용 라인을 오는 2020년부터 본격 가동할 계획이다. ■국내 시스템반도체 생태계 강화 삼성전자가 첨단 초미세 공정 파운드리 생산의 핵심 기술을 확보함에 따라 국내 시스템 반도체 생태계가 강화되고, 시스템 반도체 역량도 높아지는 효과가 거둘 것으로 전망된다. 파운드리 사업은 반도체 장비, 소재, 디자인, 패키징, 테스트 등 다양한 전문 업체들이 함께 성장해야 하므로 전후방 연관 효과가 크기 때문이다. 삼성전자는 1장의 웨이퍼에 여러 종류의 반도체 제품을 생산하는 'MPW'를 최신 5나노 공정까지 확대 제공해 고객사들이 편리하게 최첨단 반도체를 제작할 수 있도록 지원한다고 설명했다. 또 삼성전자는 파운드리 지원 프로그램인 'SAFE TM'를 통해 설계 자산(IP) 외에도 공정 설계 키트(PDK), 설계 방법론(DM), 자동화 설계 툴(EDA) 등 5나노 공정 기반 제품 설계를 돕는 디자인 인프라를 제공한다고 전했다. 팹리스 고객사들은 이러한 서비스와 생산기술을 활용해 더욱 쉽고 빠르게 제품을 설계할 수 있고, 신제품 출시 시기도 앞당길 수 있다고 회사 측은 설명했다. 특히 국내 팹리스 업체들도 글로벌 시장에서 경쟁할 수 있는 시스템 반도체를 내놓는 데 도움을 받을 수 있을 것으로 예상된다. 삼성전자 파운드리사업부 전략마케팅팀 배영창 부사장은 "삼성전자의 EUV 기반 최첨단 공정은 성능과 IP 등에서 다양한 강점을 가지고 있어 5G, AI, 전장 등 신규 응용처를 중심으로 높은 수요가 예상된다"며 "향후에도 첨단 공정 솔루션으로 미래 시스템 반도체 산업을 이끌어 나갈 것"이라고 말했다. gmin@fnnews.com 조지민 기자

삼성전자가 퀄컴과 7나노 파운드리 공정(7LPP, Low Power Plus) 기반 5G 칩 생산을 협력하기로 했다. 삼성전자는 7나노 공정부터 차세대 노광장비인 EUV(Extreme Ultra Violet)를 적용할 예정으로, 삼성전자와 퀄컴은 14나노, 10나노에 이어 7나노까지 협력 관계를 확대하기로 했다고 22일 밝혔다. 퀄컴의 구매 총괄 수석 부사장 RK 춘두루 (RK Chunduru)는 "삼성전자와 함께 5G 모바일 업계를 선도할 수 있어서 무척 기쁘다"면서 "삼성의 7LPP 공정을 적용한 퀄컴의 5G 솔루션은, 향상된 공정과 첨단 칩 디자인을 통해 차세대 모바일 기기가 더 나은 사용자 경험을 제공할 수 있도록 해줄 것"이라고 밝혔다. 삼성전자 파운드리 사업부 전략마케팅팀 배영창 부사장은 "삼성의 EUV 기술을 사용해 5G 분야에서도 퀄컴과 전략적 협력을 지속하게 됐다"면서 "공정 기술 선도에 대한 자신감을 의미하는 이번 협력은 삼성 파운드리 사업에 중요한 이정표가 될 것"이라고 말했다. 삼성전자는 지난해 5월 EUV 노광 기술을 적용한 7나노 파운드리 공정을 선보이는 등 EUV 기술을 적극 도입하고 있으며, 앞으로도 초미세 공정의 한계를 극복해 기술 리더십을 확고히 해 나갈 계획이다.  삼성전자의 7나노 공정은 10나노 공정 대비 면적을 40% 축소할 수 있고, 성능 10% 향상 및 동일 성능에서 35% 향상된 전력 효율을 제공한다.  삼성전자의 7나노 공정 기반 퀄컴의 5G 솔루션은 뛰어난 성능과 함께 작은 칩 사이즈를 통해 모바일 기기 제조사들이 보다 큰 대용량 배터리를 탑재하거나, 슬림한 디자인을 구현 할 수 있도록 했다. courage@fnnews.com 전용기 기자

[파이낸셜뉴스] 대만 파운드리(반도체 위탁생산) 업체인 TSMC가 미국 공장(팹)에서 모바일용 반도체를 본격 생상하는 것으로 알려졌다. 당초 계획보다 생산을 수개월 앞당기며 고객사 확보에도 한발 앞설 것으로 관측된다. 반면, 삼성전자는 미국 테일러 공장 가동 시점이 당초 올해 말에서 내년으로 연기되며 TSMC 추격에 빨간불이 켜졌다. 20일 업계와 대만 언론 등에 따르면 TSMC는 미국 애리조나주에 위치한 파운드리 공장에서 4나노 미세공정에서 생산한 애플 아이폰 모바일 애플리케이션 프로세서(AP) 'A16'을 생산한 것으로 알려졌다. A16은 TSMC가 미국에서 생산한 최초의 반도체로 내년 초 출시 예정인 아이폰SE4에 탑재될 예정이다. TSMC는 지난 2021년 5월 애리조나 공장 착공 이후 3년 4개월 만에 반도체를 처음 생산하게 됐다. 이는 당초 내년 상반기 공장 가동 계획보다 4∼9개월 앞선 것이다. 이에 따라 대량 양산 시점도 예상보다 빨라질 수 있다는 관측이다. 현재 TSMC는 애리조나주에 공장 2곳을 건설 중이며, 2030년까지 공장을 6곳까지 늘릴 방침이다. 첫 번째 공장 양산이 빨라지면 초미세공정이 가능한 공장 건설 계획도 더 앞당겨질 수 있다. 업계에서는 TSMC가 애플의 A16뿐 아니라 다른 고객사들의 반도체 생산에도 이미 착수했거나, 곧 생산에 돌입할 것이라는 전망도 나온다. 반면 삼성전자는 미국 정부의 반도체 보조금을 아직 지급받지 못하며 상대적으로 일정이 더디다. 미국 내 건설비용이 늘어난 상태에서 보조금 지급까지 늦어지면 완공 시점이 더 미뤄질 가능성이 있다. 최근에는 테일러 공장 등 해외 법인의 인력 감축 주장이 제기되기도 했다. 삼성전자는 첫 번째 테일러 공장 가동 시점을 올해 말에서 2026년으로 늦췄다. 지난해 말 기준 공사 진행률은 59.7% 수준이다. 공장 2곳을 비롯해 첨단패키징 연구개발 센터도 지을 예정인데 이 시설들의 완공 시점도 불투명하다. 업계에서는 생산시설 확충이 늦춰지면 인공지능(AI) 고객사 확보에도 차질을 빚을 수 있다고 보고 있다. 공장을 먼저 가동한 TSMC가 고객사뿐 아니라 우수 인력 확보에도 더 유리하다는 지적이다. 업계 관계자는 "파운드리는 TSMC의 독주 속에 삼성과 인텔은 고전을 면치 못하고 있다"라며 "TSMC와의 점유율 격차를 줄이기 위해서는 미국 정부와 협의를 통한 보조금 지급 시기 확정 등이 시급하다"고 말했다. hoya0222@fnnews.com 김동호 기자

[파이낸셜뉴스]  아이텍은 고객사의 AI 관련 고성능 반도체 테스트 수요가 확대되면서 추가 장비 테스트 도입 등 적극적으로 대응에 나서고 있다고 13일 밝혔다. 아이텍은 반도체 테스트 전문기업으로 AI반도체 테스트 필수장비인 ATC핸들러 장비 및 어드반테스트(Advantest)로부터 V93K-PS800와 V93K-PS1600 장비를 총 70여 대 도입해 테스트를 진행해 오고 있다. AI 및 고성능 전장용 반도체 수요가 확대될 것에 선제적으로 대응해 작년에 초미세선단공정에서 양산되는 AI와 차량용 5나노 이하 반도체를 테스트할 수 있는 V93K-PS5000 장비 2대 도입을 완료했다. 해당 장비는 고가의 장비이며 고객사가 요청하는 사항에 맞춰 커스터마이징 할 수 있는 자체적인 프로그램 기술력이 있어야 가동시킬 수 있어 국내 테스트 하우스 중에서는 아이텍이 최초로 확보해 운영 중에 있다. 아이텍은 반도체 테스트 물량이 확대되면서 별도기준 상반기 매출액 203억원, 영업이익 16억원을 달성해 전년 동반기 대비 매출액은 31% 올랐고 영업이익은 흑자전환에 성공했다. AI 및 고성능 전장용 반도체 관련 수요가 커지는 것이 더해져 2024년에 이어 2025년 실적 성장이 기대된다. 아이텍 관계자는 “늘어나는 고성능 반도체 테스트 물량 소화를 위해 충분히 CAPA를 확보했으며 추가적으로 고성능 테스트 장비 도입 등을 선제적으로 진행해 기업 성장 극대화에 집중하고 있다”며 “주요 고객사로 LG전자, 텔레칩스, 넥스트칩 등 국내외 유수의 170개 이상의 고객사를 확보하고 있고 일본 및 대만 등 해외 시장 확대 진출도 추진 중에 있다”고 전했다. kakim@fnnews.com 김경아 기자

수사당국이 4조원대 삼성전자 반도체 기술의 중국 유출사건에 연루된 전직 연구원 등 30여명을 추가 입건했다. 이들을 인터폴과 공조해 확대 수사 중이라고 한다. 이와 관련해 서울경찰청 산업기술안보수사대는 지난 10일 산업기술보호법 위반 등의 혐의로 전직 삼성전자, 옛 하이닉스반도체 임원 2명을 구속, 검찰에 넘겼다. 이번 사건은 반도체 업계에선 공공연한 비밀이었다. 터질 게 터진 건데, 국가 첨단기술이 이미 상당 부분 유출된 뒤라 수사와 처벌이 한참 늦은 것이다. 최모씨는 지난 2020년 중국에서 청두시와 합작방식으로 반도체 제조업체 청두가오전을 설립, 삼성전자 등 국내 반도체기업 전문인력을 끌어들였다. 이듬해에는 중국에 반도체 D램 제조공장을 짓고, 다음 해 4월 시제품 생산에도 성공했다. 삼성전자가 4조3000억원가량 들여 개발한 20나노급 D램 반도체 공정기술 상당수를 빼돌려 무단 사용했다. 경찰 수사가 시작되자 공장은 운영을 중단했다. 한국인 인력은 사실상 해고된 것으로 알려졌다. 전문인력 빼가기는 인맥으로 알음알음 이뤄진다. 사람 간의 일이라 수사당국이 다 알아채기도 어려웠을 것이다. 그렇다 해도 중국 반도체 합작사에 우리의 기술과 전문인력이 대거 유출되고 버젓이 공장을 돌릴 때까지 수사당국과 기업들은 뭘 했는지 묻지 않을 수 없다. 우리의 첨단기술을 빼가기 위해 중국 등 후발 강국들은 눈을 부릅뜨고 있다. 돈과 명예를 주겠다며 유혹의 손을 뻗는다. 먹잇감은 반도체뿐이 아니다. 디스플레이, 배터리는 물론 세계 최고인 액화천연가스(LNG) 선박 건조기술과 잠수함·전투기·전차와 같은 방산 등 걸리지 않는 분야가 없을 정도다. 기술을 빼가는 수법도 점점 지능화되고 있다. 이번처럼 국내 기술자가 해외에 법인을 세워 전에 몸담았던 기업의 기술을 빼간 경우도 있고, 외국 기업이 국내에 설립하거나 인수한 기업에서 기술인력을 고용하거나 기존 기술을 해외로 빼가는 사례도 많다. 대놓고 국내 양대 반도체 기업의 전문가를 데려가기도 한다. 사정이 이런데도 처벌과 인식은 한심한 수준이다. 미국, 대만 등은 첨단 국가기술 유출을 간첩죄에 준하는 수준으로 처벌한다. 일본은 반도체 등 보조금을 지원하는 5개 첨단산업을 국가 안보산업으로 명시한 경제안보법을 시행 중이다. 우리는 터무니없는 형량에 솜방망이라는 지적을 받아온 기술유출 관련 양형기준을 몇 달 전에 높인 게 고작이다. 국가 첨단전략기술 기업 인수합병(M&A) 시 국가 승인을 받도록 한 산업기술보호법, 전문인력을 지정·관리한 국가첨단전략산업특별법, 간첩죄 적용대상 확대를 위한 형법 개정 등 여러 법 개정 논의가 있긴 하다. 그러나 국회는 급할 게 없다는 듯 시간을 흘려보내고 있다. 법과 처벌이 느슨하니 지난 5년간 유출건수는 적발된 것만 100건에 육박한다. 산업기술 유출은 국가경제 근간을 흔들고 국익을 해치는 중대범죄다. 강력한 처벌로 다스려야 한다.

세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 TSMC가 최선단공정 제조에 필요한 '하이 뉴메리컬어퍼처(NA) 극자외선(EUV)' 노광장비를 이달 말 도입한다. 초미세공정 두고 주도권을 다투는 삼성전자보다 한 발 빠른 행보다. 인공지능(AI) 특수에 3나노 이하 초미세공정 매출 비중이 급격히 확대되자 최첨단 장비를 빠르게 선점해 2나노 이하 공정 완성도를 높이겠다는 조치로 분석된다. 10일 반도체 업계 및 대만 이코노믹데일리뉴스에 따르면 TSMC는 이달 네덜란드 ASML이 생산하는 첫 하이 NA EUV 장비 'EXE:5000'을 인도받는다. 글로벌 반도체 기업 가운데 하이 NA EUV 장비를 도입한 것은 인텔에 이어 TSMC가 두 번째다. 하이 NA는 렌즈와 반사경 크기를 늘려 빛의 집광능력을 나타내는 수치인 NA를 0.33에서 0.55로 끌어올린 장비다. EUV는 극자외선 파장의 광원으로 웨이퍼에 패턴을 그리는데, 해상도를 높여 더 정밀하고 미세한 패턴을 새길 수 있다. 기존 EUV와 비교해 성능 향상, 수율(양품 비율) 개선, 생산비용 감축 등이 가능해 1대당 가격이 5000억원에 달하는 초고가임에도 글로벌 반도체 기업간 치열한 장비 확보전이 벌어지고 있다. 당초 TSMC는 하이 NA EUV 조기 도입에 회의적이었다. 기존 EUV에 비해 지나치게 고가인데다 생산 최적화 난이도가 높아 수율(양품 비율) 안정화를 위해 초기 비용 부담이 크다는 이유에서다. 그러나 예상보다 AI향 초미세공정 수요가 빠르게 증가하자 원래 계획을 바꿔 차세대 EUV를 선점, 기술 우위를 선점하겠다는 판단을 내렸다는 분석이다. 인텔이 파운드리 사업에서 극심한 부진을 겪으면서 TSMC가 하이 NA EUV를 활용한 초미세공정 경쟁에서 발 빠르게 치고 나갈 수 있는 환경도 조성됐다. TSMC는 2027년 양산이 예정된 1.4나노(A14) 공정부터 하이 NA EUV 기술을 채택할 것으로 전망된다. 반면 삼성전자는 하이 NA EUV 확보전에서 뒤처지며 전략 수정이 불가피해졌다. 삼성전자는 2027년 하이 NA EUV 상용화를 준비하고 있다. 장비 확보 이후에도 생산라인 내 설치부터 가동 등 최적화 작업에 상당 시간이 소요된다는 점에서 하이 NA EUV 도입 시기를 앞당기는데 주력할 것으로 예상된다. 삼성전자는 TSMC 로드맵에 발맞춰 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 양산을 계획하고 있다. 삼성전자로선 TSMC 추격을 위해 초미세공정 기술력을 검증해 대형 고객사 확보가 필요하다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 2·4분기 TSMCC의 파운드리 시장 점유율은 62.3%로, 삼성전자(11.5%)와 격차는 50.8%에 달한다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 세계 최초 개발에 성공한 10나노미터(1nm=10억분의1m) 6세대(1c) 기술을 더블데이터레이트(DDR)5 및 고대역폭메모리(HBM)에 적용한다. SK하이닉스는 10일 뉴스룸을 통해 "1c 개발의 의의는 무엇보다 이 기술이 HBM, 저전력(LP)DDR, 그래픽(G)DDR 등 모든 차세대 D램 제품군에 적용된다는 데 있다"고 밝혔다. SK하이닉스는 지난 8월29일 10나노급 6세대(1c) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gb) DDR5 D램 개발 성공 소식을 알렸다.  손수용 개발테스트 담당 부사장은 "1c 개발 성공으로 SK하이닉스는 압도적인 기술 경쟁력을 입증했지만 1c DDR5는 시작일 뿐"이라며 "앞으로 1c 기술은 다양한 D램 제품에 적용돼 다양한 고객 니즈에 완벽하게 부응할 것"이라고 말했다. 1c 기술은 10나노대 초반의 극미세화된 메모리 공정 기술이다. 1c 기술을 적용한 DDR5의 동작 속도는 초당 8Gb로 이전 세대인 1b DDR5보다 11% 빨라졌으며, 전력 효율은 9% 이상 개선됐다. 또 SK하이닉스는 EUV 공정에 신소재를 개발해 적용하는 한편, 설계 기술 혁신을 통해 공정 효율을 극대화했으며 원가 절감까지 이뤄냈다. D램 공정이 미세화되면서 과거와는 다른 특성들이 더 중요해지고, 이로 인해 수율(양품 비율) 저하 등 문제가 발생할 가능성이 높아진다. SK하이닉스는 1c 기술에서 주요 성능의 수준을 높이는 트리밍 기술을 활용해 수율과 품질을 확보했다. 트리밍 기술은 반도체 설계 변경 없이 전자식 퓨즈를 활용해 성능을 상향시키는 기술이다. SK하이닉스는 연내 1c DDR5의 양산 준비를 마치고 내년부터 시장에 제품을 본격 공급할 계획이다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

#OBJECT0# [파이낸셜뉴스] 세계 1위 파운드리(반도체 위탁생산) 업체 TSMC가 최선단공정 제조에 필요한 '하이 뉴메리컬어퍼처(NA) 극자외선(EUV)' 노광장비를 이달 말 도입한다. 초미세공정 두고 주도권을 다투는 삼성전자보다 한 발 빠른 행보다. 인공지능(AI) 특수에 3나노 이하 초미세공정 매출 비중이 급격히 확대되자 최첨단 장비를 빠르게 선점해 2나노 이하 공정 완성도를 높이겠다는 조치로 분석된다. 10일 반도체 업계 및 대만 이코노믹데일리뉴스에 따르면 TSMC는 이달 네덜란드 ASML이 생산하는 첫 하이 NA EUV 장비 'EXE:5000'을 인도받는다. 글로벌 반도체 기업 가운데 하이 NA EUV 장비를 도입한 것은 인텔에 이어 TSMC가 두 번째다.  하이 NA는 렌즈와 반사경 크기를 늘려 빛의 집광능력을 나타내는 수치인 NA를 0.33에서 0.55로 끌어올린 장비다. EUV는 극자외선 파장의 광원으로 웨이퍼에 패턴을 그리는데, 해상도를 높여 더 정밀하고 미세한 패턴을 새길 수 있다. 기존 EUV와 비교해 성능 향상, 수율(양품 비율) 개선, 생산비용 감축 등이 가능해 1대당 가격이 5000억원에 달하는 초고가임에도 글로벌 반도체 기업간 치열한 장비 확보전이 벌어지고 있다.  당초 TSMC는 하이 NA EUV 조기 도입에 회의적이었다. 기존 EUV에 비해 지나치게 고가인데다 생산 최적화 난이도가 높아 수율(양품 비율) 안정화를 위해 초기 비용 부담이 크다는 이유에서다. 그러나 예상보다 AI향 초미세공정 수요가 빠르게 증가하자 원래 계획을 바꿔 차세대 EUV를 선점, 기술 우위를 선점하겠다는 판단을 내렸다는 분석이다. 인텔이 파운드리 사업에서 극심한 부진을 겪으면서 TSMC가 하이 NA EUV를 활용한 초미세공정 경쟁에서 발 빠르게 치고 나갈 수 있는 환경도 조성됐다. TSMC는 2027년 양산이 예정된 1.4나노(A14) 공정부터 하이 NA EUV 기술을 채택할 것으로 전망된다. 반면 삼성전자는 하이 NA EUV 확보전에서 뒤처지며 전략 수정이 불가피해졌다. 삼성전자는 2027년 하이 NA EUV 상용화를 준비하고 있다. 장비 확보 이후에도 생산라인 내 설치부터 가동 등 최적화 작업에 상당 시간이 소요된다는 점에서 하이 NA EUV 도입 시기를 앞당기는데 주력할 것으로 예상된다. 삼성전자는 TSMC 로드맵에 발맞춰 2025년 2나노, 2027년 1.4나노 양산을 계획하고 있다. 삼성전자로선 TSMC 추격을 위해 초미세공정 기술력을 검증해 대형 고객사 확보가 필요하다. 시장조사기관 트렌드포스에 따르면 올해 2·4분기 TSMCC의 파운드리 시장 점유율은 62.3%로, 삼성전자(11.5%)와 격차는 50.8%에 달한다. 업계 관계자는 "삼성전자는 3나노 이하 공정을 TSMC와 격차를 좁힐 최적의 전장으로 삼고 있다"며 "하이 NA EUV 장비 반입이 늦어질수록 기술 격차 확대 가능성이 커질 수 있다"고 말했다.  mkchang@fnnews.com 장민권 기자