국내 연구진이 전원을 꺼도 자료가 지워지지않는 자성메모리(MRAM)의 에너지 소비를 100분의 1로 줄일 수 있는 기술을 개발했다. 연구진은 향후 이 기술을 더 발전시킨다면 기존 반도체 메모리를 대체해 전력 소모량을 획기적으로 줄일 수 있을 것으로 기대하고 있다. 한국과학기술연구원(KIST)은 차세대반도체연구소 스핀융합연구단 이기영 박사팀이 연료전지 사용 물질인 이트리아 안정화 지르코니아(YSZ)에 수소이온을 주입해 초저전력 MRAM 부품을 개발했다고 26일 밝혔다. 이기영 박사는 "기존 사용하는 메모리같은 경우에는 1비트당 100펨토줄(fJ) 정도 나오는데 이번 실험에서 100분의 1 정도로 줄였다"고 말했다. 1fJ는 1000조 분의 1j, 즉 1초동안 소모하는 전력이 1000조 분의 1와트(W)를 말한다. 연구진은 MRAM 반도체 소자에 수소이온을 주입하면 적은 전력으로도 사용이 가능하다는 점을 착안했다. 기존 연구 발표자료에 따르면 수소이온을 사용하는 방식이 속도가 느린 단점이 있다. 연구진은 세라믹 연료전지(SOFC) 분야에 전해질로 사용되는 높은 이온전도도를 가진 물질인 YSZ를 자성 소자에 접목해 수소 이온을 주입했다. 이를 통해 기존 수소이온을 사용한 메모리보다 에너지 소모량은 더 낮추면서 100배 빠른 소자를 만드는 데 성공했다. monarch@fnnews.com 김만기 기자

우리나라가 차세대메모리 주력제품으로 유력한 스핀전달토크형 자기저항메모리(STT-MRAM) 연구개발 사업에 본격 착수했다. 정부와 삼성전자, 하이닉스반도체가 공동출연하고 한국과학기술연구원(KIST), 고려대학교, 성균관대학교, 한양대학교가 참여하는 ‘차세대메모리 산·학·연 공동연구센터’가 26일 개소식을 갖고 STT-MRAM 연구개발의 시작을 알렸다. STT-MRAM은 플래시메모리의 저장능력과 D램의 빠른 속도를 결합한 30나노 저전력 고집적 메모리로 평가받고 있다. 이날 한양대 퓨전연구센터(FTC)에 문을 연 차세대메모리 공동연구센터에는 뉴욕 알바니대학에 이어 세계에서 두번째로 대학교 내 300mm(12인치) 반도체 장비(8대)가 구축됐으며 세계 1·2위 메모리 기업인 삼성전자와 하이닉스반도체의 전문연구인력이 상주해 공동 연구개발에 참여한다. 이번 사업은 올 3월부터 시작해 2013년 2월까지 진행되며 정부와 민간이 각각 120억씩 출연해 모두 240억원의 연구개발비가 사용된다. 경쟁국인 일본은 지난 2006년부터 동북대에서 도시바가 참여한 가운데 200mm(8인치) 반도체 장비를 이용, STT-MRAM을 개발 중이다. 주관기관이자 차세대메모리 공동연구센터를 총괄하는 한양대 박재근 교수는 “우리나라가 STT-MRAM을 개발한다면 2015년 이후 30나노급 이하 메모리 시장의 45% 이상을 국내 업계가 점유할 것”이라면서 “메모리 세계 1위 기술 경쟁력을 보유하고 있는 만큼 자성 박막 공정 장비 등에서 경쟁력도 확보가 가능하다”고 설명했다. 지식경제부 관계자는 “2015년 STT-MRAM 시장은 530억 달러로 전망된다”면서 “우리 업계의 생산규모는 239억 달러에 이를 것”이라고 말했다. 이날 개소식에는 임채민 지식경제부 1차관을 비롯해 박영아 한나라당 의원, 권오현 삼성전자 사장, 김종갑 하이닉스반도체 사장 등 관계자 150여명이 참석했다./jschoi@fnnews.com최진성기자

[파이낸셜뉴스]  삼성전자가 차세대 먹거리로 AI반도체 기술인 Neuromorphic Artificial Intelligence Chip(뉴로모픽 AI칩)를 향한 움직임을 본격화 하는 모양새다. 이에 벌써부터 증권가에선 관련 수혜주 찾기에 분주하다. 현재 뉴로모픽 관련 테마주로는 삼성전자를 고객사로 둔 네패스아크, 해당 기술을 연구중인 오픈엣지테크놀로지, 자람테크놀로지 등이 꼽힌다. 16일 재계 등에 따르면 삼성전자가 함돈희 하버드대 교수를 SAIT(옛 삼성종합기술원) 부원장에 선임한 것으로 알려졌다. 한국인으로선 하버드대 최연소 교수이기도 한 함 교수는 작년 연말 인사에서 SAIT 원장을 맡은 경계현 디바이스솔루션(DS) 부문장(사장)과 함께 SAIT를 이끌며 미래 성장엔진에 필요한 핵심 요소 기술의 선행 개발을 주도할 것으로 보인다. 함 교수는 앞서 2021년 김기남 당시 삼성전자 부회장, 황성우 삼성SDS 사장 등과 함께 AI반도체 기술 뉴로모픽(Neuromorphic) 주제 논문을 집필했다. 이는 세계적인 학술지 '네이처 일렉트로닉스'에 게재됐다. 2022년에는 공동 교신저자로 참여해 자기저항메모리(MRAM)를 기반으로 한 '인-메모리(In-Memory) 컴퓨팅'을 세계 최초로 구현한 연구 결과가 '네이처'에 게재되기도 했다. 함 교수가 삼성의 싱크탱크 역할을 하는 SAIT의 수장으로 향후 먹거리 발굴에 집중할 것으로 알려지면서 뉴로모픽 반도체도 뜨거운 감자로 떠올랐다.  실제 함 교수는 가장 진화 된 꿈의 AI반도체 '뉴로모픽 칩' 권위자여서 삼성전자가 향후 관련 사업에 관심을 기울 일 것으로 전망되고 있기 때문이다. 통상 AI에는 일반 시스템 반도체보다 대량의 데이터를 동시에 처리하는데 특화된 반도체가 사용되며 크게 세 가지 세대로 분류되는데, 인간의 두뇌를 모방한 신경망을 기반으로 하는 ‘뉴로모픽’이 3단계 AI 반도체로 구분된다. 업계 관계자는 “시스템온칩(SoC)의 궁극적인 방향성은 결국 인간의 뇌를 닮은 뉴로모픽 반도체”라며 “뉴로모픽 컴퓨팅은 기존의 CPU와 메모리가 직렬로 연결된 구조에서 벗어나, 인간의 뇌가 뉴런과 시냅스로 구성된 것과 같은 인공 뉴런으로 구성된 병렬 네트워크로 연산, 메모리, 통신 기능을 융합한 형태”라고 말했다. 현재까지 뉴로모픽 칩은 AI반도체 중에서 가장 진화된 반도체로 불리운다. 실질적인 공시로 뉴로모픽반도체에 대해 밝힌 회사는 네패스아크가 대표적이다. 네패스아크는 시스템반도체 후공정 테스트 기업으로 전력관리반도체(PMIC), 디스플레이 구동칩(DDI), 모바일프로세서(AP) 등의 테스트 사업을 하고 있다. 주요 고객사는 삼성전자다. 공시에 따르면 네패스아크는 'Neuromorphic Artificial Intelligence Chip(뉴로모픽 인공지능칩) 테스트 개발'을 완료했다. 회사측은 "당사가 테스트 개발한 제품은 네패스 퓨처인텔리전스사업부에서 개발한 것으로 칩 자체에서 학습한 판단(인지) 기능을 모두 포함하고 있는 제품"이라고 밝혔다. 해당 제품은 576개의 인공 뉴런을 집적한 AI 반도체로 1개의 뉴런은 메모리와 인공지능 연산을 위한 Logic 영역으로 구성되어 있다. 뉴런의 개수를 쉽게 확장할 수 있는 아키텍쳐를 가지고 있으며, 저전력 소형화가 가능하면서도 사람의 뇌와 같은 고속 병렬 연산 처리가 가능한 칩이다. 제어로직부 등 학습 및 저장·복구 인식기능에 대한 테스트 알고리즘을 구현한 국내 최초의 테스트라 할 수 있으며 '양산 적용'된 상태다. 또한 주목할 점은 세계 최초로 뉴로모픽칩을 개발한 업체가 네패스라는 점이다. 지난 2017년 네패스는 세계 최초로 뉴로모픽 칩 을 개발해 상용화했다. 한편 가시적인 성과로 제품화에 성공한 네패스아크 외에도 해당 기술을 연구개발하고 있는 기업들도 눈에 띈다. 오픈엣지테크놀로지는 중소벤처기업부의 '모바일 AI 구현을 위한 뉴로모픽 반도체(NPU) IP 개발'을 수행했다. 해당 연구는 2018년 4월부터 2020년 3월까지 중소벤처기업부 주관으로 시행됐다. 또한 자람테크놀로지도 2024년 상반기 완료를 목표로 관련 기술을 개발 중이다. 자람테크놀로지는 프로세서 설계 기술과, 분산처리기술, 저전력 반도체 설계 기술로 경쟁력 확보가 가능한 엣지향 인공지능 프로세서 개발 중이다. 해당 프로세서는 'SNN방식의 뉴로모픽 프로세서를 기반으로 성능향상을 위해 CNN을 추가한 하이브리드형'라고 알려졌다. kakim@fnnews.com 김경아 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자는 19일(현지시간) 글로벌 자동차 산업의 메카 독일 뮌헨에서 '삼성 파운드리 포럼 2023'을 열고 최첨단 공정 로드맵과 전장 등 응용처별 파운드리 전략을 공개했다고 밝혔다. 삼성전자는 최첨단 2나노미터(1nm=10억분의 1m) 공정부터 8인치 웨이퍼(원판)를 활용한 레거시 공정 등 다양한 맞춤형 솔루션을 선보였다. 삼성전자 파운드리(반도체 위탁생산) 협업 생태계인 '세이프(SAFE)' 파트너들은 부스 전시를 통해 최신 파운드리 기술 트렌드와 향후 발전 방향을 공유했다. 앞서 삼성전자는 지난 9월 독일에서 열린 세계 최대 모터쇼 'IAA 2023'에 참석하는 등 전장사업 파트너사 확대에 속도를 내고 있다. 삼성전자는 2나노 전장 솔루션 양산 준비를 2026년 완료한다. 차세대 내장형 MRAM(eMRAM)과 8인치 바이폴라·CMOS·DMOS(BCD) 공정 포트폴리오를 확대한다. eMRAM은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 전장용 차세대 핵심 칩이다. BCD 공정은 바이폴라(아날로그 신호제어), CMOS(디지털 신호제어), DMOS(고전압 관리) 트랜지스터를 하나의 칩에 구현한 것으로, 주로 전력 반도체 생산에 활용된다. 삼성전자는 2024년 완료를 목표로 차랑용 반도체 품질기준인 AEC-Q100 그레이드 1에 맞춰 핀펫(FinFET) 공정 기반 14나노 eMRAM을 개발 중이다. 또 2026년 8나노·2027년 5나노까지 eMRAM 포트폴리오를 확대할 계획이다. 8나노 eMRAM의 경우 이전 14나노 대비 집적도 30%, 속도 33%가 증가할 것으로 기대된다. eMRAM은 빠른 읽기와 쓰기 속도를 기반으로 높은 온도에서도 안정적으로 동작 가능한 차세대 전장용 칩이다. 삼성전자는 현재 양산 중인 130나노 전장 BCD 공정을 2025년 90나노까지 확대한다. 90나노 전장 BCD 공정은 130나노 대비 약 20% 칩 면적 감소가 기대된다. 또 전장향 솔루션에 적용되는 고전압을 기존 70볼트에서 120볼트로 높일 예정이다. 130나노 BCD 공정에 120볼트를 적용한 공정설계키트(PDK)를 2025년 제공한다. 삼성전자 최시영 파운드리사업부장(사장)은 "차량용 반도체 시장에 최적화된 공정을 적기에 개발해 자율주행 단계별 인공지능(AI) 반도체부터 전력반도체, 마이크로 컨트롤러 유닛(MCU) 등을 고객 요구에 맞춰 양산해 나갈 계획"이라며 "삼성전자 만의 차별화된 파운드리 솔루션으로 전기차와 자율주행차 시대를 선도해 나갈 것"이라고 말했다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

삼성전자가 내년 상반기 차세대 초미세공정인 3나노미터(1nm=10억분의 1m)급 양산에 본격적으로 들어간다. 또 2025년부터는 2나노 공정에 돌입하며 세계 1위 파운드리 업체인 TSMC와의 치열한 기술 경쟁을 예고했다. ■코로나로 2년 만에 열려 삼성전자는 6일 '또 한 차원을 더하다'(Adding One More Dimension)는 주제로 '삼성 파운드리 포럼 2021' 포럼을 온라인으로 개최했다. 이 포럼은 매년 삼성전자가 파운드리(반도체 위탁생산) 사업 로드맵과 신기술을 주요 팹리스(반도체 설계 전문) 업체에 소개하고 새로운 고객사를 확보하기 위해 개최하고 있다. 지난해 코로나19 확산 여파로 행사가 취소되면서 파운드리 포럼은 2019년 이후 2년 만에 개최됐다. 다리오 길 IBM 연구소 총괄 수석 부사장, 샤 라비 페이스북 반도체 총괄 부사장, 카롤린 수어드 인텔 글로벌 공급망 부사장 등은 외부 연사로 참석했다. 이번 포럼에서 삼성전자는 내년 상반기 게이트올어라운드(GAA) 기술을 적용한 3나노를 양산한다고 밝혔다. GAA는 전류 흐름을 조절하는 스위치 역할을 하는 반도체 트랜지스터 구조를 개선한 차세대 기술이다. 트랜지스터의 게이트와 채널이 닿는 면을 4개로 늘려 기존 핀펫(FinFET) 구조보다 전력 효율을 높였다. 경쟁사인 TSMC·인텔보다 양산 시기를 앞당겼다. TSMC는 내년 하반기, 인텔은 2023년 3나노 양산이 예상된다. 삼성전자 관계자는 "삼성전자의 독자적인 GAA 기술인 MBCFET(다중가교채널 트랜지스터) 구조를 적용한 3나노 공정은 핀펫 기반 5나노 공정 대비 성능은 30% 향상되며 전력소모는 50%, 면적은 35% 감소할 것으로 예상된다"면서 "3나노 공정의 경우 안정적인 생산 수율을 확보하며 양산을 위한 준비가 이뤄지고 있다"고 설명했다. ■2023년 3나노 2세대 양산 삼성전자는 2023년에는 3나노 2세대, 2025년부터 2나노 양산에 돌입할 계획이다. 신공정 양산 시점을 앞당길수록 신규 고객사 확보에 유리하지만, 수율(양품 비율) 안정화 단계를 얼마나 단축시킬 수 있느냐가 향후 파운드리 시장 경쟁력을 좌우할 것으로 관측된다. 삼성전자는 공정기술·라인운영·파운드리 서비스를 한 차원 더 발전시켜 빠르게 성장하는 파운드리 시장에서 경쟁력을 강화하겠다고 강조했다. 전 세계 파운드리 시장 점유율 2위 삼성전자는 파운드리 부문 대규모 투자를 통해 1위 업체 TSMC를 따라잡는 동시에 파운드리 시장 재진출을 선언한 인텔, 중국 정부의 지원을 받고 있는 중국 업체들의 맹추격을 뿌리치겠다는 계획이다. 최시영 삼성전자 파운드리사업부장(사장)은 포럼 기조연설에서 "대규모 투자를 통해 생산 역량을 확대하고, GAA 등 첨단 미세공정뿐만 아니라 기존 공정에서도 차별화된 기술 혁신을 이어갈 것"이라며 "코로나19로 인해 급격한 디지털 전환이 이뤄지고 있는 가운데 고객들의 다양한 아이디어가 칩으로 구현될 수 있도록 차별화된 가치를 제공해 나갈 것"이라고 말했다. 삼성전자는 이날 포럼에서 핀펫 기반 17나노 신공정도 발표했다. 17나노 공정은 28나노 공정 대비 성능은 39%, 전력효율은 49% 향상되며 면적은 43% 감소가 기대된다. 평면 트랜지스터 기반의 28나노 이상 공정을 주로 활용하는 이미지센서, 모바일 디스플레이 드라이버 집적회로(IC) 등의 제품에도 17나노 신공정을 적용할 수 있어 응용처를 다양하게 확대한다는 구상이다. 삼성전자는 기존 14나노 공정을 3.3V 고전압, 내장형 MRAM(eMRAM) 지원 등 마이크로 컨트롤 유닛(MCU) 적용할 수 있는 옵션도 개발할 계획이다. 이를 통해 사물인터넷(IoT), 웨어러블 기기 등 핀펫 공정의 응용처 다변화를 지원하고 8나노 무선통신(RF) 플랫폼의 경우 5세대(5G) 반도체 시장에서 6㎓ 이하 밀리미터파(mmWave) 제품 기술력을 끌어올린다는 구상이다. mkchang@fnnews.com 장민권 기자

국내 최고의 권위를 인정받는 학술단체 대한전자공학회(회장 임혜숙)가 올해 전자공학·IT분야 최고 공로자에게 시상하는 대한전자공학대상에 삼성전자 정은승 사장(사진)을 선정했다고 25일 발표했다.또 대한전자공학회 기술혁신상에는 ㈜실리콘웍스 전현규 연구소장, 올해 해동과학문화재단(이사장 김영재)의 후원으로 신설한 IEIE Research Pioneer Award 첫 수상자로 연세대학교 노원우 교수를 각각 선정했다고 덧붙였다. 삼성전자 정은승 사장은 35년 이상 반도체 공정 기술 개발에 매진하며 핵심 기술을 확보하고 이를 성공적으로 사업화하고, 한국 반도체 산업의 글로벌 기술 경쟁력 및 위상 강화에 이바지한 공을 인정받았다. 특히 2017년 5월 삼성전자의 파운드리 초대 사업부장으로 부임해 EUV 노광 기술과 MRAM 공정 기술을 세계 최초로 양산한 데 이어 5나노 공정 등 기술개발을 주도하며 매출증가에 기여했다.그동안 대한전자공학대상 수상자로는 서정욱 전 과학기술부 장관, 윤종용 전 삼성전자 부회장, 진대제 전 정보통신부 장관, 삼성전자 김기남 부회장, 박성욱 SK하이닉스 부회장 등 한국의 전자산업을 대표할 수 있는 인물들이 있다.㈜실리콘웍스 전현규 연구소장은 평판 디스플레이용 구동 IC 기술 및 제품 개발을 통해 관련 회로 기술 및 제품 개발을 주도, 국산화에 성공해 국내외 평판 디스플레이 업계의 기술 개발을 이끈 공을 인정받았다. 또 차세대 평판 디스플레이인 8K 디스플레이를 위한 인터페이스 기술 혁신을 주도해 핵심적인 연구 지원을 통해 평판 디스플레이 산업계 및 관련 팹리스 업체들의 기술 혁신 및 매출 성장에 크게 공헌했다.연세대학교 노원우 교수는 병렬성을 활용한 고성능, 고효율 컴퓨터 시스템 연구에 기여하고, 특히 컴퓨터 시스템에서 가장 중요한 요소 중 하나인 범용 CPU와 그래픽 프로세서(GPU) 설계 및 성능 향상에 기여한 공을 인정받았다. 한편 대한전자공학회 시상식은 27일 김대중컨벤션센터에서 열리는 대한전자공학회 정기총회에서 진행될 예정이다. cafe9@fnnews.com 이구순 기자

[파이낸셜뉴스] 국내 최고의 권위를 인정받는 학술단체 대한전자공학회(회장 임혜숙)가 올해 전자공학·IT분야 최고 공로자에게 시상하는 대한전자공학대상에 삼성전자 정은승 사장을 선정했다고 25일 발표했다.  또 대한전자공학회 기술혁신상에는 ㈜실리콘웍스 전현규 연구소장, 올해 해동과학문화재단(이사장 김영재)의 후원으로 신설한 IEIE Research Pioneer Award 첫 수상자로 연세대학교 노원우 교수를 각각 선정했다고 덧붙였다. 대한전자공학대상 수상자인 삼성전자 정은승 사장은 35년 이상 반도체 공정 기술 개발에 매진하며 핵심 기술을 확보하고 이를 성공적으로 사업화하고, 한국 반도체 산업의 글로벌 기술 경쟁력 및 위상 강화에 이바지한 공을 인정받았다. 특히 2017년 5월 삼성전자의 파운드리 초대 사업부장으로 부임해 EUV 노광 기술과 MRAM 공정 기술을 세계 최초로 양산한데 이어 5나노 공정 등 기술개발을 주도하며 매출증가에 기여했다.  그동안 대한전자공학대상 수상자로는 서정욱 전 과학기술부장관, 윤종용 전 삼성전자 부회장, 진대제 전 정보통신부 장관, 삼성전자 김기남 부회장, 박성욱 SK하이닉스 부회장 등 한국의 전자산업을 대표할 수 있는 인물들이 있다. 대한전자공학회 기술혁신상 수상자 ㈜실리콘웍스 전현규 연구소장은 평판 디스플레이용 구동 IC 기술 및 제품 개발을 통해 관련 회로 기술 및 제품 개발을 주도, 국산화를 성공해 국내외 평판 디스플레이 업계의 기술 개발을 이끈 공을 인정받았다. 또 차세대 평판 디스플레이인 8K 디스플레이를 위한 인터페이스 기술 혁신을 주도해 핵심적인 연구 지원을 통해 평판 디스플레이 산업계 및 관련 팹리스 업체들의 기술 혁신 및 매출 성장에 크게 공했다.   해동과학문화재단의 후원으로 올해 신설된 IEIE Research Pioneer Award의 첫 수상자로 선정된 연세대학교 노원우 교수는 병렬성을 활용한 고성능, 고효율 컴퓨터 시스템 연구에 기여하고, 특히 컴퓨터 시스템에서 가장 중요한 요소 중 하나인 범용 CPU와 그래픽 프로세서(GPU) 설계 및 성능 향상에 기여한 공을 인정받았 다. 이러한 연구를 통해 최고 수준의 GPU 구조를 개발하는 등 국제적인 연구를 선도하고 있으며, 최근에는 머신 러닝 가속기로의 GPU 구조 확장 및 NPU 구조 개발, 빅데이터 분석용 컴퓨터 시스템 개발에 이바지하고 있다. 한편 대한전자공학회 시상식은 오는 27일 김대중컨벤션센터에서 열리는 대한전자공학회 정기총회에서 진행될 예정이다. cafe9@fnnews.com 이구순 기자

[파이낸셜뉴스] 국내 연구진이 전원을 꺼도 자료가 지워지지않는 자성메모리(MRAM)의 에너지 소비를 100분의 1로 줄일 수 있는 기술을 개발했다. 연구진은 향후 이 기술을 더 발전시킨다면 기존 반도체 메모리를 대체해 전력 소모량을 획기적으로 줄일 수 있을 것으로 기대하고 있다. 한국과학기술연구원(KIST)은 차세대반도체연구소 스핀융합연구단 이기영 박사팀이 연료전지 사용 물질인 이트리아 안정화 지르코니아(YSZ)에 수소이온을 주입해 초저전력 MRAM 부품을 개발했다고 26일 밝혔다. 이기영 박사는 "기존 사용하는 메모리같은 경우에는 1비트당 100펨토줄(fJ) 정도 나오는데 이번 실험에서 100분의 1 정도로 줄였다"고 말했다. 1fJ는 1000조 분의 1j, 즉 1초동안 소모하는 전력이 1000조 분의 1와트(W)를 말한다. 연구진은 MRAM 반도체 소자에 수소이온을 주입하면 적은 전력으로도 사용이 가능하다는 점을 착안했다. 기존 연구 발표자료에 따르면 수소이온을 사용하는 방식이 속도가 느린 단점이 있다. 연구진은 세라믹 연료전지(SOFC) 분야에 전해질로 사용되는 높은 이온전도도를 가진 물질인 YSZ를 자성 소자에 접목해 수소 이온을 주입했다. 이를 통해 기존 수소이온을 사용한 메모리보다 에너지 소모량은 더 낮추면서 100배 빠른 소자를 만드는 데 성공했다.  이 박사는 "아직 MRAM이 DRAM의 속도를 따라집지 못하지만 향후 속도 개선을 위한 추가적인 개술개발이 이뤄진다면 다양한 분야에 사용할 수 있는 메모리를 만들 수 있을 것"이라고 전망했다. 또한 그는 "연료전지분야에서 활용되는 재료를 자성메모리에 적용한 것은 종합연구소인 KIST의 장점을 매우 잘 활용한 융합연구성과로 볼 수 있다"고 설명했다. 이번 연구결과는 에너지소재연구단 손지원 단장 연구팀과의 협업을 통해 나노기술 분야 저명 국제 학술지인 '나노 레터스' 최신 호에 게재됐다. 한편, 연구진이 이번 연구를 시작하게 된 배경은 ICT의 기술발전으로 인한 엄청난 전력 소모다. 현재 작은 서버 한대가 99㎡(30평형)의 아파트에서 소비하는 전력보다 많다. 40만대 서버를 관리하는 데이터센터가 소모하는 전력 소비량은 인구 20만 도시의 총 전력 소비량을 맞먹는다. 데이터센터에 의한 전력 소모는 전 세계적으로 연평균 성장률 16.7%를 보이며, 향후 10년 이내에 ICT기기의 전력소모가 중요한 사회적 문제로 대두될 것으로 전망된다. 이를 감안하면 메모리 소자의 전력 소모 문제를 해결해야 한다.   monarch@fnnews.com 김만기 기자

삼성전자의 연구 지원을 받은 차세대 반도체, 2차 전지 등 미래 부품·소재 연구 과제가 세계적인 학술지에 잇따라 게재된 것으로 파악됐다. 24일 삼성전자와 학계에 따르면 고려대 신소재공학부 이경진 교수 연구팀은 일본 교토대, 미국 미주리대, 카이스트 등과 국제공동연구를 통해 MDW(Magnetic Domain Wall) MRAM의 소비 전력을 95% 이상 절감시킬 수 있는 원천기술을 세계 최초로 개발했다. 이 연구 결과는 최근 학술지인 '네이처 일렉트로닉스(Nature Electronics)'에 실렸다.삼성전자는 해당 연구를 지난 2017년 12월 삼성미래기술육성사업 지원과제로 선정했었다. 이 교수는 "이번 연구결과는 차세대 MDW-MRAM 기술의 중요한 난제였던 높은 전력소모 문제를 해결할 수 있는 가능성을 보여줬다는 것에 큰 의미가 있다"고 말했다.성균관대 윤원섭 교수와 고려대 강용묵 교수 공동 연구팀은 2차 전지 충전용량의 한계를 극복할 수 있는 기술 개발에 성공했다. 삼성전자는 이번 연구를 2017년 6월 삼성미래기술육성사업 연구지원 과제로 선정하고 지원해 왔다.해당 연구는 기존 2차 전지가 저장할 수 있는 충전용량의 100%를 사용할 수 없다는 사실에 기반했다. 이에 충·방전 과정에서 발생하는 구조 변화를 가역적으로 만들면서 향후 충전 용량을 100% 활용할 수 있는 가능성을 보여줬다는 평가다. 이 연구 결과는 이달 초 세계적인 학술지 '네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)'에 발표됐다.윤원섭 교수는 "이번 연구결과는 충방전 과정에서 발생하는 양극 소재의 구조 변화를 근본적으로 뛰어넘을 수 있는 새로운 패러다임을 최초로 제시한 연구 결과"라고 평가했다.한편, 삼성전자의 삼성미래기술육성재단은 지난 2013년부터 10년간 1조 5000억원을 국가 미래 과학기술 연구 지원을 위해 지원하고 있으며 현재 534개 과제에 6852억원을 집행했다. 김규태 기자

[파이낸셜뉴스] 삼성전자의 연구 지원을 받은 차세대 반도체, 2차 전지 등 미래 부품·소재 연구 과제가 세계적인 학술지에 잇따라 게재된 것으로 파악됐다.  24일 삼성전자와 학계에 따르면 고려대 신소재공학부 이경진 교수 연구팀은 일본 교토대, 미국 미주리대, 카이스트 등과 국제공동연구를 통해 MDW(Magnetic Domain Wall) MRAM의 소비 전력을 95% 이상 절감시킬 수 있는 원천기술을 세계 최초로 개발했다. 이 연구 결과는 최근 학술지인 '네이처 일렉트로닉스(Nature Electronics)'에 실렸다. 삼성전자는 해당 연구를 지난 2017년 12월 삼성미래기술육성사업 지원과제로 선정했었다. 이 교수는 "이번 연구결과는 차세대 MDW-MRAM 기술의 중요한 난제였던 높은 전력소모 문제를 해결할 수 있는 가능성을 보여줬다는 것에 큰 의미가 있다"고 말했다. 성균관대 윤원섭 교수와 고려대 강용묵 교수 공동 연구팀은 2차 전지 충전용량의 한계를 극복할 수 있는 기술 개발에 성공했다. 삼성전자는 이번 연구를 2017년 6월 삼성미래기술육성사업 연구지원 과제로 선정하고 지원해 왔다. 해당 연구는 기존 2차 전지가 저장할 수 있는 충전용량의 100%를 사용할 수 없다는 사실에 기반했다. 이에 충·방전 과정에서 발생하는 구조 변화를 가역적으로 만들면서 향후 충전 용량을 100% 활용할 수 있는 가능성을 보여줬다는 평가다. 이 연구 결과는 이달 초 세계적인 학술지 '네이처 커뮤니케이션즈(Nature Communications)'에 발표됐다. 윤원섭 교수는 "이번 연구결과는 충방전 과정에서 발생하는 양극 소재의 구조 변화를 근본적으로 뛰어넘을 수 있는 새로운 패러다임을 최초로 제시한 연구 결과"라고 평가했다. 한편, 삼성전자의 삼성미래기술육성재단은 지난 2013년부터 10년간 1조 5000억원을 국가 미래 과학기술 연구 지원을 위해 지원하고 있으며 현재 534개 과제에 6852억원을 집행했다. integrity@fnnews.com 김규태 기자