"HBM4부터 16단 시장이 본격적으로 열릴 것" 기대감
양산 경쟁력 입증된 어드밴스드 MR-MUF 공정 활용
백업 공정으로써 하이브리드 본딩 기술도 개발 중
HBM4부터는 '베이스 다이'에 로직 공정 도입 계획
[파이낸셜뉴스] 곽노정 SK하이닉스 대표이사(CEO)가 4일 "고대역폭메모리(HBM) 최대 용량인 48기가바이트(GB)가 구현된 16단 HBM3E을 개발 중이며, 내년 초 고객에게 샘플을 제공할 예정"이라고 발표했다. 16단 HBM3E는 기존 12단을 넘어선 HBM3E 최고층 제품이다.
곽 CEO는 이날 서울 강남 코엑스에서 열린 'SK AI 서밋(SUMMIT) 2024' 행사 기조연설에서 ‘차세대 AI 메모리의 새로운 여정, 하드웨어를 넘어 일상으로’를 주제로 한 연설에서 이 같이 밝혔다.
HBM은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 1세대(HBM)-2세대(HBM2)-3세대(HBM2E)-4세대(HBM3)-5세대(HBM3E) 순으로 개발됐고, 기존 12단 HBM3E의 용량은 3GB D램 단품 칩 12개를 적층한 36GB였다. SK하이닉스는 HBM4부터 16단 시장이 본격적으로 열릴 것으로 보이는 가운데, 이에 대비해 기술 안정성을 확보하고자 16단 HBM3E 개발을 진행 중이다.
곽 CEO는 "16단 HBM3E를 생산하기 위해 12단 제품에서 양산 경쟁력이 입증된 어드밴스드 MR-MUF 공정을 활용할 계획이며, 백업 공정으로써 하이브리드 본딩 기술도 함께 개발하고 있다"고 설명했다. 이때 MR-MUF는 반도체 칩을 쌓아 올린 뒤 칩과 칩 사이 회로를 보호하기 위해 액체 형태의 보호재를 공간 사이에 주입하고, 굳히는 공정을 의미한다.
아울러 SK하이닉스는 HBM4부터 '베이스 다이'에 로직 공정을 도입할 예정이다. 베이스 다이란 그래픽처리장치(GPU)와 연결돼 HBM을 컨트롤하는 역할을 수행하는 만큼 HBM 성능과 직결된 부분이다. 특히 HBM4부터는 베이스 다이에 고객이 요구하는 로직이 들어가야 해 파운드리(반도체 위탁생산) 회사와 협업 중요성도 커지고 있다. 앞서 삼성전자도 지난 3·4분기 실적 발표에서 베이스 다이 관련 "커스텀(고객맞춤형) HBM은 고객의 요구사항을 만족시키는 게 중요하기 때문에 베이스 다이 제조와 관련된 파운드리 파트너 선정은 고객 요구를 우선으로 내·외부 관계없이 유연하게 대응할 계획"이라고 말하기도 했다.
곽 CEO는 베이스 다이 관련 "글로벌 1위 파운드리 협력사와의 원팀 파트너십을 기반으로 고객에게 최고의 경쟁력을 갖춘 제품을 제공하겠다"고 전했다.
향후 새로운 제품에 대한 개발도 적극 이어간다. 곽 CEO는 "커스텀 HBM은 용량과 대역폭, 부가 기능 등 고객의 다양한 요구를 반영해 성능을 최적화한 제품으로, 향후 AI 메모리의 새로운 패러다임이 될 것"이라고 내다봤다.
이어 "AI 시스템 구동을 위해서는 서버에 탑재된 메모리 용량이 대폭 증가해야 하는데, 이를 위해 여러 메모리를 연결해 대용량을 구현하는 컴퓨트익스프레스링크(CXL)를 준비 중이며, 초고용량 쿼드레벨셀(QLC) 기업용 솔리드스테이트드라이브(eSSD)를 개발해 고객이 더 많은 데이터를 더 작은 공간에서 저전력으로 이용할 수 있도록 준비하겠다"고 했다.
soup@fnnews.com 임수빈 기자
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