8인치 순수 파운드리 반도체 기업 SK키파운드리(대표이사 이동재)는 차세대 전력 반도체 질화갈륨(GaN)의 주요 소자 특성을 확보하고, 연내 개발 완료를 목표로 박차를 가하고 있다고 19일 밝혔다. SK키파운드리는 GaN 전력 반도체의 시장성과 잠재력에 주목해 2022년 정식 팀을 구성, GaN 공정을 개발해 왔으며, 최근 650V GaN HEMT 소자 특성을 확보했다. 650V GaN HEMT는 전력 효율이 높아 실리콘 기반 제품보다 방열 기구 비용을 감소시켜 기존 실리콘과 비교해 최종 고객의 시스템 가격이 큰 차이가 나지 않게 된다. 이는 실리콘 기반의 650V 제품으로 고속 충전 어댑터, LED 조명, 데이터센터와 ESS, 태양광 마이크로 인버터 등 시장에서 비즈니스 중인 팹리스 고객들의 프리미엄 제품 개발에 유리한 장점으로 작용할 것이라는 게 회사 측의 설명이다. SK키파운드리는 신규 고객 발굴과 함께 650V GaN HEMT에 깊은 관심을 보이는 다수의 기존 전력 반도체 공정 사용 고객에게 적극 프로모션에 나선다는 방침이다. GaN은 고속 스위칭 및 낮은 ON저항 특성을 가지고 있어 기존 실리콘 기반의 반도체보다 저손실, 고효율, 소형화가 가능한 차세대 전력반도체로 불린다. 시장조사기관 OMDIA에 따르면 GaN 전력 반도체 시장은 2023년 5억불에서 2032년 64억불까지 연평균 33% 성장할 것으로 전망되며, 주로 전원 공급 장치, 하이브리드 및 전기차, 태양광 발전 인버터 등에 사용된다. SK키파운드리는 650V GaN HEMT를 기반으로 다양한 전압의 GaN HEMT와 GaN IC까지 제공할 수 있는 GaN 포트폴리오를 구축해 나갈 계획이라고 관계자는 전했다. SK키파운드리 이동재 대표는 "SK키파운드리의 강점인 고전압 BCD와 더불어 차세대 전력반도체를 준비 중"이라며, "GaN 뿐만 아니라 향후 SiC까지 전력 반도체 라인업을 넓혀 전력 반도체 전문 파운드리로 자리매김하겠다"고 밝혔다.

[파이낸셜뉴스] 한국전자통신연구원(ETRI)이 국내 최초 150나노 질화갈륨(GaN) 반도체 기술 국산화를 위한 파운드리 시범 서비스를 시작한다. 지금까지 반도체 설계 전문회사들은 국내 양산 및 설계환경이 부족해 전량 해외에 위탁생산을 맡겨왔었다. 최근 세계적으로 기술 전략물자회의 대표적인 GaN 반도체를 위탁생산 시범 서비스함으로써 차세대 반도체 기술 자립화에 도움이 될 전망이다. ETRI는 4일 산·학·연 관련 관계자가 참석한 가운데, 과학기술정보통신부 '통신용 화합물반도체 연구 파운드리 구축사업'으로 개발한 세계적 수준인 150나노 질화갈륨 마이크로파집적회로(MMIC) 설계키트(PDK) 공개발표회를 개최했다. GaN 반도체는 차세대 반도체 핵심 소재·소자로 스텔스기의 에이사(AESA) 레이더, 6G통신에 사용되는 등 많은 관심을 받고 있다. 기존 실리콘, 탄화규소 및 갈륨비소 반도체의 한계를 극복할 수 있는 대안으로 인정받는다. 최근 기술 전략물자화의 대표적 기술로 최첨단 무기에도 적용될 만큼 중요성이 주목받고 있다. 프랑스 IT 시장조사업체 욜 그룹에 따르면, GaN 무선통신(RF) 소자 시장규모는 2028년 3.6조원까지 성장할 것으로 전망된다. 150나노 GaN 반도체는 오직 전 세계에서 6개 기관에서만 파운드리 생산이 가능하다. 150나노급은 초미세패턴으로 반도체 화합물 물성이 우수해 20GHz~30GHz에서도 동작할 수 있다. ETRI 관계자는 "미세패턴공정, 식각 등 주요 공정에서 매우 우수한 노하우를 보유하고 있고, 수율이나 신뢰성 측면에서 세계 최고"라고 자평했다. ETRI는 K-방산 등 반도체 관련 기업을 적극적으로 지원할 예정이다. 칩 설계에 꼭 필요한 설계환경까지 제공해 줌으로써 칩 제작을 더욱 쉽게 도와준다. 먼저 연구진은 멀티프로젝트웨이퍼(MPW) 서비스를 위해 4월 중 제안서 접수를 통해 4개 기업을 선정한 후 설계를 신청받아 하반기 1차 서비스를 시작한다. 2025년과 2026년에도 각각 4개 기업을 선정, 3년 동안 총 12개 기업의 칩 생산까지 무료로 책임진다. ETRI가 제공하는 프로세스 설계키트는 소자 정보와 모델, 레이아웃 및 회로 검증 등을 포함하며 MMIC 설계를 위한 환경을 제공한다. 이로써 사용자들이 쉽게 파운드리 서비스를 활용토록 문턱도 낮췄다. ETRI 관계자는 "150나노급 GaN 소자 및 집적회로는 동작주파수 30GHz 대역에서도 동작할 수 있다"고 설명했다. 때문에 이번 서비스에 군수무기체계 업체는 물론, 관련 산·학·연 등이 큰 관심을 보이고 있다. ETRI 방승찬 원장은 "그동안 해외업체에 종속돼 있던 다양한 ICT 융합 애플리케이션에 적용할 수 있는 GaN 부품 공정의 자립화를 이끌게 됐다"며, "차세대 이동통신 및 레이다 등에 쓰이는 고출력 GaN 소자 국산화를 이룸으로써 수출 규제 대응 및 국제기술 경쟁에도 큰 도움이 될 것"이라고 말했다. 한편, ETRI가 국내기업과 공동연구를 통해 개발한 GaN 고출력소자부품은 국내 차세대 구축함인 이지스함 레이더의 체계적합성 시험을 통과한 상태다.  monarch@fnnews.com 김만기 기자

SK실트론은 글로벌 에피택셜 웨이퍼 제조사인 영국 IQE와 전략적 협력 협약(SCA)을 체결했다고 11일 밝혔다. SK실트론은 이번 협약을 통해 무선통신용 반도체와 전력 반도체 소재로 각광받고 있는 질화갈륨(GaN) 웨이퍼 시장에 본격 진출한다. 양사는 고객사 요구사항에 따라 맞춤형 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 아시아 시장 마케팅을 통한 시장 확대를 위해 협력한다. IQE는 첨단 화합물 반도체 웨이퍼와 소재 솔루션을 전세계 반도체 제조사에 공급하고 있는 글로벌 기업이다. 기술 진입장벽이 높은 화합물 에피택셜 웨이퍼 시장에서 글로벌 1위를 차지하고 있다. GaN 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼와 실리콘 카바이드 웨이퍼 위에 GaN 박막을 증착시키는 방법으로 만들어진다. 기존 웨이퍼에 비해 고전압 환경에서도 전력 변환 효율이 높은 특징을 가지고 있다. 급속 충전 등 고출력과 내열성을 요하는 전기차와 스마트기기, 5세대(5G) 기반의 고속 네트워크 장비 등 다양한 분야에서 사용된다. SK실트론 장용호 사장은 "첨단소재 분야에서 양사가 GaN 웨이퍼의 공동 개발과 마케팅을 통해 아시아 시장 확장의 기반을 마련했다"며 "IQE와의 협력이 획기적인 성공으로 이어져 더 다양한 분야에서의 협력 관계로 발전하길 기대한다"고 말했다. 장민권 기자

[파이낸셜뉴스]반도체 제조 전문 기업인 알에프세미가 캐나다 GaN Systems(갠시스템스)과 GaN(질화갈륨) 전력반도체 제품 개발과 시장 확대를 위한 MOU(업무협약)를 체결했다고 5일 밝혔다. GaN 전력반도체 분야에서 세계적인 기술력을 보유하고 있는 GaN Systems는 650V 급 GaN 전력반도체 기술을 보유하고 있으며 이 분야에서 세계 선두 기업으로 시장을 주도 하고 있다. 알에프세미는 전략반도체 패키지를 위해 최근 개발해 특허 등록한 '가변 적층형 방열판 패키지' 기 술을 제품 개발에 적용할 예정이다. 이 기술은 기존 패키지 대비 열 방출이 뛰어나 고온에서도 안정적인 동작을 지원한다. 이번 협약은 알에프세미의 패키지 기술과 GaN Systems의 GaN 소자 기술 협력을 통한 제품 개발과 세계 시장 확대를 위한 것이다. 차세대 전력반도체로 주목받고 있는 GaN 전력반도체는 실리콘에 질화갈륨을 입혀 제작돼 SiC(실리콘카바이드) 전력반도체 대비 가격 경쟁력을 가지고 있으며 사용 전압이 낮지만 고속 스위칭이 가능해 소형 가전에 주로 사용되고 있다. 1000V 이상 높은 전압에서 잘 견디는 SiC 전력반도체는 전기차 분야의 충전 및 모터구동 분야에 650V 급에서 동작 속도가 빠른 장점을 갖는 GaN 전력반도체는 휴대폰, 노트북, 가전제품 전원장치, 충전기 등에 사용된다. 최근 전기차 내부 전원장치, 자율주행용 라이다 센서에 적용이 확대 되고 있다. 알에프세미 이진효 대표는 "차세대 전력반도체인 SiC 전력반도체 파운드리 생산에 이어 GaN 전력반도체 제품 개발을 기반으로 복합모듈 제품을 개발해 회사 성장에 기여할 것"이라고 밝혔다. 한편 시장조사업체 욜디벨롭먼트에 따르면 GaN 전력반도체 시장은 지난해 7800만 달러에서 2026년 연평균 70%씩 성장해 11억 달러를 기록할 것으로 전망된다. kmk@fnnews.com 김민기 기자

[파이낸셜뉴스] 한국원자력연구원은 양성자과학연구단 가속기이용연구부 김동석, 윤영준 박사팀이 질화갈륨 기반의 새로운 베타전지 구조를 개발했다고 8일 밝혔다. 베타전지는 태양이나 바람 등 외부동력원 없이도 방사성동위원소에서 방출되는 베타선 전자를 전력으로 변환하는 배터리다. 별도의 재충전, 교체과정 없이 장기간 사용 가능해 우주와 극지, 심해 등 극한 환경에서 사용되는 전자기기, 인체삽입형 의료기기 등의 차세대 전원이다. 이번 연구에서 전력 생성 효율을 높이기 위해 제시한 기술 및 설계 방식은 기존 방식과 차별성을 가져, 연구원은 지식재산권을 확보 완료했다. 향후 새로운 구조의 베타전지를 시제작해 성능 검증을 거친 후 상용화를 추진할 계획이다. 가속기이용연구부 이재상 부장은 "새로운 베타전지는 기존의 베타전지보다 고효율에 안정적인 에너지원으로서, 전원 충전이 어려운 극한환경용 전자기기와 배터리 교체가 어려운 교량, 댐, 터널용 센서 등에 널리 활용할 수 있을 것"이라고 말했다. 이번에 개발한 베타전지 구조는 원자력연구원이 보유한 이온빔 기술을 활용해 설계했다. 기존 전지보다 전력 변환 효율과 출력을 크게 향상 시킬 수 있어 기대를 모으고 있다. 베타전지는 방사성동위원소에서 방출되는 베타선 전자가 반도체에 충돌하며 발생하는 전자-정공을 이용해 전력을 생산한다. 전자-정공 쌍은 반도체의 PN접합부에서 주로 생성되는데, 연구진은 전력 변환 효율을 높일 수 있도록 접합부를 마치 블록처럼 서로 맞물리는 형태의 '교차형 접합 구조'로 설계했다. 또한, 기판 아래로 빠져나가는 전하 흐름을 차단하기 위해 장벽층을 구성해 누설 전력 손실을 감소시켜 전체 출력 전력을 높였다. 교차형 접합 구조는 에너지원인 방사성동위원소 가까이 다수의 PN접합 구조 구현이 가능해 기존의 '적층형 접합 구조'보다 더욱 넓은 전자-정공 쌍 생성 영역을 확보할 수 있다. 이번 연구결과는 원자력 분야 권위지인 '인터내셔널 저널 오브 에너지 리서치(International Journal of Energy Research)' 제45권 1호 표지 논문으로 게재됐다. monarch@fnnews.com 김만기 기자

[파이낸셜뉴스] 국내 연구진이 군사용 레이더 및 이동통신 기지국에 주로 쓰이는 고출력 전력소자를 국산화할 수 있는 기술을 개발했다. 이로써 외국산 장비 의존도를 줄이고 일본 수출 규제 대응에도 큰 도움이 될 전망이다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 'S-대역 200W급 질화갈륨(GaN) 전력소자'기술을 개발했다고 5일 밝혔다. 소자 설계부터 공정은 물론, 측정 및 패키징까지 모두 국내 기술력으로 이룬 성과다. S-대역이란 4G㎐ 주파수 대역을 의미하며 주로 레이더 장비와 5G 이동통신, 와이파이(WiFi), 블루투스 통신 등에 활용된다. 레이더 장비는 장거리 표적을 탐지하는 핵심 기술로 정밀한 탐지 및 추적 성능을 위해 높은 출력이 필요하다. 하지만 관련 기술력과 가격 경쟁력을 갖춘 곳이 얼마 없어 군수, 방산, 민간업계에서는 그간 전량 외국산 장비를 수입해 사용해왔다. 특히, 최근에는 일본이 전력반도체 및 집적회로 등에 대해 수출 규제로 대응이 꼭 필요한 상황이었다. ETRI는 지난 4년간 노력 끝에 미국 일본 등 세계 최고 반도체 회사와 대등한 성능을 나타내는 S-대역 200와트 전력소자 칩을 개발했다. 연구진은 한 개의 0.78㎜ x 26㎜ 크기의 전력소자 칩을 패키징해 성능을 검증했다. 이 기술은 150W급 이상 높은 시스템 출력을 필요로 하는 레이더 개발에 많은 도움이 될 것으로 기대된다. 군용 고출력 레이더 뿐 아니라 민간 선박, 위성 통신 레이더에 응용이 가능하기 때문이다. 이외에도 고출력 전력소자는 차세대 이동통신 기지국 및 중계기, 선박용 및 차량용 레이더, 위성통신 등 활용범위도 넓다. 시장조사 전문기관 욜에 따르면, 질화갈륨 전력소자 전체 시장은 내년 약 630억 달러로 예측돼 관련 산업 전망도 밝다. ETRI 강동민 RF·전력부품연구실장은 "국내의 우수한 설비와 연구진의 힘으로 고출력 질화갈륨 전력소자 기술을 확보했다. 이 기술이 반도체 핵심 부품 국산화 및 외산 장비 잠식을 막는데 도움이 되기를 바란다"고 밝혔다. 연구진은 향후 본 주파수 및 출력을 확장하고 민수 및 군수 핵심부품을 국산화하는 연구를 진행하는 한편, 전력소자와 더불어 주요 수출규제 품목 중 하나인 질화갈륨 기반 집적회로 개발 연구도 심화할 예정이다. 본 과제는 국방과학연구소(ADD)가 주관하는'정부 선도형 핵심기술 프로그램'에 참여해 개발되었고 민간 전문업체의 실용화 개발 과정을 거쳐 양산이 진행될 예정이다. SCI급 논문 13건, 국내외 특허 6건 출원 등의 실적을 낸 바 있다. 핵심특허는 반도체 소자제작기술 제조방법이다. monarch@fnnews.com 김만기 기자

코스닥 상장사 RFHIC는 이달 미국 보스턴에서 열린 무선주파수(RF) 분야 최대 전시회인 IEEE IMS 2019에서 미래 신소재로 기대되는 질화갈륨 다이아몬드(GaN on Diamond) 웨이퍼 성능을 실현하고, 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터 개발을 완료했다고 18일 밝혔다. 질화갈륨은 전 세계 반도체에서 제일 많이 사용되는 실리콘 소재보다 열전도율이 좋고, 스위칭 속도가 빨라서 전력소비량이 적다는 장점이 있다. 그동안 질화갈륨 효율을 극대화하기 위해 탄화규소 기판이 많이 사용됐는데 RFHIC가 세계 최초로 상업용 다이아몬드 기판을 적용한 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터를 개발 완료함에 따라 레이더, 기지국, 전기자동차, 의료장비, RF 에너지 등 높은 효율을 요구하는 여러 제품에 적용될 예정이다. RFHIC 기술을 총괄하고 있는 조삼열 회장은 "내년부터 질화갈륨 다이아몬드 트랜지스터를 대량 생산해 이를 5G 무선통신 및 방산분야, 더 나아가서 의료장비, RF에너지 시장에도 적용해 RF 마이크로웨이브 세계 최고 회사가 되도록 할 것"이라고 말했다. RFHIC는 현재 질화갈륨 다이아몬드 관련 전 세계 66건의 특허를 보유하고 있다. nvcess@fnnews.com 이정은 기자

한국전자통신연구원(ETRI)은 이탈리아 로마에서 개최된 반도체 소자관련 유럽전시회에서 질화갈륨(GaN) 관련 국산화 기술을 공개해 큰 인기를 얻었다. ETRI 연구진들이 참가자들에게 관련 기술을 설명하고 있다. 국내연구진이 해외 유수 학회 전시회에 반도체 소자인 GaN(질화갈륨) 관련 국산화 기술을 공개, 큰 호응을 얻었다. 한국전자통신연구원(ETRI)은 이 기술이 칩 크기를 줄이고 고효율을 자랑해 국방 및 통신용으로 유용하게 사용될 수 있다고 21일 설명했다. ETRI는 지난 10일까지 이탈리아 로마에서 열린 유럽 최대 규모의 마이크로파 학회인 'EuMW 전시회'에서 국내외 학계는 물론 RF(고주파) 부품 및 시스템 해외업체로부터 많은 관심을 받아 큰 성과를 얻었다고 밝혔다. ETRI는 이번 전시회에서 자체 개발한 질화갈륨(GaN) RF 전력증폭기 기술과 GaN 전력반도체 기술 등을 공개했다. 전력증폭기란 미약한 입력신호를 크게 증폭시켜 안테나로 보내 전파를 보내는 역할을 한다. 따라서 고성능 레이더나 이동통신 기지국 및 단말기, 위성통신 등에 핵심적으로 쓰이고 있다. GaN 전력반도체 또한 전기자동차나 에어컨, 냉장고 등의 일반가전제품, 태양광 기술에 있어 교류나 직류를 전력변환하는 곳에 주로 많이 활용된다. 특히 GaN 전력반도체는 기존 실리콘 등에 비해 전력량이 많아질 경우 여러개의 변환모듈이 필요해 최대 30%까지의 효율을 높일수 있다고 연구진은 설명했다. ETRI 관계자는 "세계적인 항공우주시스템 장비회사인 BAE시스템즈가 ETRI 기술의 우수성을 인정해 투자의향을 밝히기도 했다"고 밝혔다. yccho@fnnews.com 조용철 기자

그린에너지 전문 부품소재 기업 와이즈파워(대표 박기호)는 계열사 그랜드텍을 통해 고휘도, 고효율 LED 핵심 소자인 GaN(질화갈륨) 웨이퍼의 생산공정 기술에 대한 미국 특허를 획득했다고 15일 발표했다. 이번 특허는 그랜드텍이 자체 개발한 수소기상증착 장비인 HVPE(Hydride VAPOR Phase Epitaxy) 시스템을 이용한 GaN 박막 형성 기술에 대한 것으로 에피 웨이퍼를 제조하는 공정 중에서도 LED 칩의 성능을 좌우하는 박막형성 기술이다. LED 칩 공정은 크게 기판에 화합물 박막층을 형성시키는 에피 공정과 LED 칩을 만드는 팹 공정, 완성된 LED를 최종 제품으로 만드는 패키징 공정으로 나눌 수 있다. 그 중에서 에피 공정은 사파이어 기판에 금속화합물 박막으로 된 반도체층을 형성해 에피 웨이퍼를 만드는 과정을 의미한다. 에피 웨이퍼는 사파이어 기판 위에 GaN 박막층을 만드는 것이 핵심공정으로 이 공정 중에는 사파이어와 GaN 원자 간의 간격(격자상수) 차이로 인해 물리적 결함이 발생할 수 도 있어 이를 해결하는 것이 핵심이라는게 회사측 설명이다. 그랜드텍의 특허기술은 사파이어 기판과 GaN 층 사이에 완충 지대인 ‘나노로드(Nano Rod)’ 형태의 버퍼층을 형성함으로써 에피 웨이퍼의 물리적 결함을 해결한 것이다. 와이즈파워 박기호 대표이사는 “그랜드텍은 자체 제작한 수소기상증착 장비와 특허 기술을 상용화하여 조명용 LED 시장에서 요구하는 고휘도, 고효율 LED 칩 시장에 진출하는 계획을 추진 중에 있으며 특히 이번 특허 출원을 계기로 수소기상증착 장비와 GaN 기판의 출시를 앞당길 예정”이라고 밝혔다. /bada@fnnews.com김승호기자

[파이낸셜뉴스] 중국이 서방의 반도체 장비 제재에 맞서 반도체 재료 수출을 통제한 지 약 1년이 지난 가운데 주요 재료 가격이 2배 가까이 뛰었다. 시장에서는 다른 생산자들이 중국의 물량을 대체할 수 있다고 예상했으나, 시장 가격이 좀처럼 내려가지 않으면서 반도체 업계 내 공급 차질 공포가 커지고 있다. 갈륨·저마늄 시세, 中 수출 통제로 2배 가까이 뛰어영국 파이낸셜타임스(FT)는 26일(현지시간) 미국 원자재 시장조사업체 아르거스를 인용해 갈륨과 저마늄의 가격이 중국의 수출 감소로 인해 급등했다고 전했다. 갈륨 가격은 유럽 주요 공항의 수입 가격 기준으로 지난해 8월에 kg당 350달러(약 46만원) 수준이었으나 올해 초 550달러를 넘더니 현재는 약 530달러(약 70만원) 수준에 거래되고 있다. 저마늄 가격 역시 같은 조건으로 지난해 8월 kg당 1400달러 근처에서 거래되었지만 이달 들어 2600달러(약 346만원)를 넘어섰다. 갈륨과 저마늄은 자연계에 매우 드물게 존재하는 17종의 금속 원소(희토류)의 일종으로 반도체와 태양광 패널, 레이저, 야간투시경 등 다양한 제품에 쓰인다. 특히 갈륨과 암모니아 화합물인 질화갈륨(GaN)은 차세대 전력 반도체 웨이퍼의 원료로 쓰인다. 갈륨과 비소를 합한 갈륨비소(GaAs) 또한 발광다이오드(LED) 및 반도체 제작에 필요하다. 미국 지질조사국(USGS)에 의하면 2022년 기준으로 전 세계 갈륨의 98%, 저마늄의 68%가 중국에서 생산되었다. 중국 상무부는 지난해 7월 3일 "국가 안보와 이익을 보호하기 위해" 같은해 8월 1일부터 갈륨과 저마늄을 포함하여 관련 화합물 등 30개 품목을 해외에 수출하려면 허가를 받아야 한다고 밝혔다. 서방 언론들은 미국이 2022년 10월부터 첨단 반도체 및 생산 장비를 중국에 수출하지 못하게 막았고 네덜란드와 일본도 제재에 동참했다고 지적했다. 이어 중국의 수출 통제가 이에 대한 보복이라고 분석했다. 중국의 갈륨 및 저마늄 수출은 허가제 도입 이전인 지난해 상반기에 각각 28t, 27.873t이었지만 같은해 하반기에는 각각 16t, 18.416t으로 급감했다. FT는 현재 중국에서 수출 허가를 받으려면 30~80일을 기다려야 하며, 중국 정부가 현실적으로 불가능한 수준의 장기 계약을 요구한다고 지적했다. 中 자원 무기화 가속...서방에 경고 캐나다의 금속 중개사 스트래티지메탈인베스트먼트의 테런스 벨 매니저는 “중국은 요즘 저마늄 수출 계약을 아예 내놓지 않고 있다”고 말했다. 익명의 다른 서방 금속 무역 중개사 관계자는 “만약 중국이 올해 상반기에 했던 것처럼 갈륨 수출을 줄인다면, 우리는 재고를 소진한 다음 공급 부족에 시달릴 것”이라고 지적했다. 독일 금속 중개 업체 트라디엄의 얀 기스 선임 매니저는 수출 통제 이후 “우리가 예전에 샀던 것의 일부만 살 수 있다”고 설명했다. 그는 저마늄의 경우 중국 내부에서 사재기를 하는 바람에 가격이 더 올랐다고 지적했다. 아르거스에 의하면 중국 내에서 거래되는 저마늄 가격도 지난해 8월 kg당 1400달러에서 이달 약 2200달러까지 올랐다. 중국 컨설팅 기업 트리비움차이나의 코리 콤브 부국장은 중국이 수출 통제를 통해 미국 주도의 중국 기업 제재에 보복할 수 있다는 “신호”를 보내고 있다고 설명했다. 그는 동시에 중국 정부가 수출 통제로 중국의 핵심 육성 목표인 친환경 에너지 및 첨단 전자 산업용 재료를 비축할 계획이라고 설명했다. 중국은 지난해 12월부터 2차 전지의 핵심 재료인 흑연에 수출 통제를 가했고 이달에도 배터리와 태양광 장비에 쓰이는 금속인 안티몬의 수출을 제한하기로 했다. 업계에서는 지난해 갈륨·저마늄 수출 통제 직후, 다른 국가들이 중국의 공백을 메울 수 있다고 예상했다. 중국이 세계 최대 갈륨 및 저마늄 생산국인 이유는 해당 자원이 가장 많이 묻혀있기 때문이 아니라, 가장 싸게 만들기 때문이다. 2022년 기준으로 세계 갈륨 생산량의 1.8%는 러시아와 한국, 일본에서 나오고 있으며 저마늄의 경우 캐나다의 텍리소스, 미국의 인듐코퍼레이션이 생산하고 있다. 호주 시드니공과대학의 마리나 장 조교수는 미국과 미국의 동맹들이 독립적인 갈륨·저마늄을 공급망을 만들기 위해서는 200억달러(약 26조6080억원) 이상의 투자가 필요하다고 추정했다. 그는 지난해 7월 발표에서 "갈륨·저마늄 정제 기술과 시설은 하루아침에 완성될 수 없으며 채굴과 정제 과정에서 불가피한 환경오염도 감안해야 한다"고 주장했다. pjw@fnnews.com 박종원 기자