[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 23일 지난해 4·4분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 "올해 D램에서 고대역폭메모리(HBM)과 더블데이터레이트(DDR)5 등 고사양 제품 수요는 증가해 수급이 타이트한 반면, DDR4, LPDDR4 등 레거시(범용) 제품은 수요 감소가 가속화하면서 제품별 수요 디커플링이 심화할 것으로 예상한다"고 설명했다.  그러면서 "HBM과 DDR5 제품 수요에 집중할 수 있도록 DDR4, LPDDR4 제품 생상은 줄여가면서 재고를 건전화할 계획"이라며 ""DDR4와 LPDDR4의 매출 비중은 지난해 약 20% 수준에서 올해 한 자릿수로 크게 축소될 것으로 보고 있다"고 전했다.  soup@fnnews.com 임수빈 기자

#OBJECT0# [파이낸셜뉴스] 반도체 한파로 금융위기 이후 최악의 성적표를 받아든 삼성전자가 감산을 통한 반등 전략을 밝혔다. 가격이 낮고 재고가 충분한 DDR4 제품을 줄이고 수요 증대와 매출 확대가 기대되는 고사양 제품들인 DDR5와 LPDDR5으로 생산 포트폴리오를 확대한다는 계획이다.  삼성전자는 27일 1·4분기 연결기준 매출 63조7500억원, 영업이익 6400억원의 확정 실적을 공개했다. 전년 동기 대비 매출은 18.1%, 영업이익은 95.5% 감소했다. 특히 영업이익은 금융위기 직후인 2009년 1·4분기(5930억원) 이후 14년 만에 최저 수준이다. 이는 글로벌 경기 침체로 그동안 실적을 이끌던 DS(반도체) 부문 부진의 영향이 절대적이다. 실적발표 뒤 열린 컨퍼런스콜에서는 1998년 이후 25년 만에 처음 공식화한 감산을 통한 수요 확대와 선단 공정 제품 생산량 유지와 투자 확대 계획을 밝히며 대응책을 제시했다. 김재준 삼성전자 메모리사업부 부사장은 "올해 1·4분기부터 시작한 감산 규모는 라인 최적화 등이 추가 되며 감산 규모가 훨씬 더 의미있게 진행되고 있다"며 "2·4분기부터 재고 수준이 감소하기 시작할 것으로 전망되고, 하반기에도 시장 수요를 지속 모니터링하면서 생산을 탄력적으로 운영할 예정"이라고 말했다. 주력 제품으로 가격이 낮고 재고가 쌓인 DDR4 등을 생산하는 화성 사업장을 중심으로 감산을 진행하는 반면, DDR5 선단 공정 전환을 가속화해 미래를 대비한다는 전략이다. 김 부사장은 "DDR5 전환으로 비트 생산성 감소는 불가피하다"며 "DDR5는 신제품으로 아직 재고 수준이 낮아 하반기에도 추가 수요가 예상돼 선단공정 전환 가속화를 통한 제품 경쟁력을 확대하겠다"고 밝혔다. 한편, 이날 실적을 발표한 LG전자는 14년여만에 삼성전자 영업이익을 추월하며 어닝 서프라이즈(깜짝 실적)를 기록했다. LG전자는 연결 기준 올해 1·4분기 매출 20조4159억원, 영업이익 1조4974억원을 기록했다고 공시했다. 다만, 전년 동기 대비 2.6%, 22.9% 줄어든 수치다. 지난해 대비 줄었지만 역대 1·4분기 실적으로 보면 매출액은 두 번째, 영업이익은 세 번째로 높다.  hoya0222@fnnews.com 김동호 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 26일 1·4분기 컨퍼런스콜을 통해 "제품 공급력 측면에서 서버는 DDR4 대비 DDR5 크로스오버가 내년 2·4분기에 나타날 것이라 예상하고 PC는 내년 1·4분기로 예상한다"고 말했다. 이어 "그렇지만 서버 기준 자사 사업 크로스오버는 올 하반기 선도적으로 적극적으로 진행해 전체 시장 내 그런 부분 리드할 것으로 본다"고 밝혔다. rejune1112@fnnews.com 김준석 기자

[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 3세대 10나노급(1z) 미세공정을 적용한 16기가비트(Gbit) DDR4 D램을 개발했다고 21일 밝혔다. 이번에 SK하이닉스가 개발한 D램은 단일 칩 기준 업계 최대 용량인 16Gb를 구현했다. 웨이퍼 1장에서 생산되는 메모리 총 용량도 현존하는 D램 중 가장 크다. 2세대(1y) 제품 대비 생산성이 약 27% 향상됐다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격의 최고 속도인 3200Mbps까지 안정적으로 지원한다. 전력 효율도 대폭 높여, 2세대 8Gb 제품으로 만든 동일 용량의 모듈보다 전력 소비를 약 40% 줄였다. 또 초고가의 극자외선(EUV) 노광 공정 없이도 생산 가능해 원가 경쟁력도 갖췄다고 회사 측은 설명했다. 특히 3세대 제품은 이전 세대 생산 공정에는 사용하지 않던 신규 물질을 적용해 D램 동작의 핵심 요소인 정전용량(Capacitance)을 극대화했다. 새로운 설계 기술을 도입해 동작 안정성도 높였다. D램개발사업 1z TF장 이정훈 담당은 "3세대 10나노급 DDR4 D램은 업계 최고 수준의 용량과 속도에 전력 효율까지 갖춰, 고성능·고용량 D램을 찾는 고객들의 수요 변화에 가장 적합한 제품"이라며 "연내에 양산 준비를 마치고 내년부터 본격 공급에 나서 시장 수요에 적극 대응할 것"이라고 했다. 한편, SK하이닉스는 차세대 모바일 D램인 LPDDR5와 최고속 D램 HBM3 등 다양한 응용처에 걸쳐 3세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용해나갈 계획이다. gmin@fnnews.com 조지민 기자

SK하이닉스가 기존 제품보다 생산성과 전력 소비율을 크게 개선한 2세대 10나노급(1y) 미세공정의 8Gb(기가비트) DDR4 D램(사진)을 개발했다.SK하이닉스는 최근 1세대(1x) 대비 생산성은 20% 향상되고, 전력 소비는 15% 이상 감축한 2세대 10나노급 8Gb DDR4 D램 개발을 완료했다고 12일 밝혔다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 구현이 가능하다.이 제품에는 데이터 전송 속도 향상을 위해 '4Phase Clocking'이라는 설계 기술이 적용됐다. 이는 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존 대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 기술이다. 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 원리라고 할 수 있다. SK하이닉스는 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 '센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술'도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장된 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 '센스 앰프'의 성능을 강화한 것이다. D램에서는 센스 앰프의 역할이 중요한데, 공정이 미세화될수록 트랜지스터의 크기가 줄어들어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아진다. SK하이닉스는 이런 문제를 극복하기 위해 트랜지스터의 구조를 개선했다. 김석 SK하이닉스 DRAM마케팅담당 상무는 "이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로, 내년 1·4분기부터 공급에 나설 것"이라고 밝혔다. 최갑천 기자

SK하이닉스가 기존 제품보다 생산성과 전력 소비율을 크게 개선한 2세대 10나노급(1y) 미세공정의 8Gb(기가비트) DDR4 D램( 사진)을 개발했다. SK하이닉스는 최근 1세대(1x) 대비 생산성은 20% 향상되고, 전력 소비는 15% 이상 감축한 2세대 10나노급 8Gb DDR4 D램 개발을 완료했다고 12일 밝혔다. 데이터 전송 속도는 DDR4 규격이 지원하는 최고 속도인 3200Mbps까지 구현이 가능하다. 이 제품에는 데이터 전송 속도 향상을 위해 ‘4Phase Clocking’이라는 설계 기술이 적용됐다. 이는 데이터 전송 시 주고 받는 신호를 기존 대비 두 배로 늘려 제품의 동작 속도와 안정성을 향상시킨 기술이다. 고속도로 톨게이트의 요금 정산소를 늘려 차량의 통행을 원활히 하는 원리라고 할 수 있다.  SK하이닉스는 전력소비를 줄이고 데이터 오류발생 가능성을 낮추기 위해 독자적인 ‘센스 앰프(Sense Amp) 제어 기술’도 도입했다. 이는 D램 셀에 작은 전하 형태로 저장된 데이터를 감지하고 증폭시켜 외부로 전달하는 ‘센스 앰프’의 성능을 강화한 것이다. D램에서는 센스 앰프의 역할이 중요한데, 공정이 미세화될수록 트랜지스터의 크기가 줄어들어 데이터 감지 오류 발생 가능성이 높아진다. SK하이닉스는 이런 문제를 극복하기 위해 트랜지스터의 구조를 개선했다.  김석 SK하이닉스 DRAM마케팅담당 상무는 “이번에 개발 완료된 2세대 10나노급 DDR4는 고객이 요구하는 성능과 용량을 모두 갖춘 제품으로, 내년 1·4분기부터 공급에 나설 것”이라며 "PC와 서버 시장을 시작으로 모바일 등 다양한 응용처에 2세대 10나노급 미세공정 기술을 확대 적용할 계획"이라고 밝혔다.  cgapc@fnnews.com 최갑천 기자

HMC투자증권은 14일 SK하이닉스에 대해 하반기 LP DDR4 모멘텀에 주목해야 한다며 투자의견 매수와 목표주가 6만원을 제시했다. HMC투자증권 노근창 연구원은 "SK하이닉스의 1·4분기 DRAM과 NAND 부문는 기존 추정치와 유사한 전분기 대비 -5.1%, -5.0%를 기록할 것으로 예상된다"며 "1·4분기 매출액과 영업이익은 기존 추정치 대비 각각 0.7%, 1.5% 하회하는 4.8조원과 1.48조원을 기록할 것"이라고 전망했다. 노 연구원은 "주가는 상반기 계절적인 비수기 영향에 따른 분기 이익 모멘텀 감소, 갤럭시 S6 호조에 따른 SK하이닉스 고객사 스마트폰의 부진 가능성, BOE의 메모리 반도체 산업 진출 우려로 인해 시장 수익률을 크게 하회하고 있다"며 "하지만, BOE가 메모리 반도체 산업에 진출하더라도 공정 기술 격차가 크다는 점에서 실질적인 위협은 미미할 것"이라고 설명했다. 그는 "2·4분기 중에 고객사로부터 LP DDR4에 대한 자격을 받을 것으로 예상한다"며 "이를 통해 북미 고객사의 하반기 전략 모델에 LP DDR4 장착이 가시화되는 시점에 주가는 본격적으로 반등할 것"이라고 말했다. 이어 "북미 고객사는 LP DDR4로 제품 변경과 동시에 DRAM 탑재 용량도 1GB에서 2GB로 업그레이드 시킬 것이라는 점에서 실적 개선의 촉매가 될 것"으로 예상했다. km@fnnews.com 김경민 기자

교보증권은 27일 아비코전자에 대해 고객사 스마트폰 판매가 본격적으로 이루어지고, DDR4 신제품이 출시되는 2·4분기부터 실적의 본격 성장이 가능할 것이라고 전망했다. 김갑호 교보증권 연구원은 "아비코전자는 각종 인덕터, 저항 등의 수동부품을 제조하는 종합 수동부품회사. 주로 TV 등 디스플레이용 제품을 판매했으나 지난해부터 스마트폰 용 부품 매출 비중이 늘었다"며 "지난해 매출액은 소폭 감소했으나 영업이익이 큰 폭으로 증가한 이유는 스마트폰용 제품 판매가 증가했기 때문"이라고 말했다. 김 연구원은 "지난해부터 본격적으로 스마트폰에 탑재되기 시작한 시그널 인덕터는 주로 하이엔드 제품에 탑재했다"며 "최근 하이엔드 제품은 대부분 메탈케이스 장착. 메탈케이스는 전자 노이즈가 더욱 많기 때문에 시그널 인덕터 탑재율은 지속적으로 증가하고 있다"고 전했다. 그는 "올해 고객사 스마트폰 판매 증가에 따라 관련 매출액 증가할 전망으로 스마트폰 용 초소형 인덕터인 파워인덕터인 LPP도 지난해 말부터 매출이 발생하기 시작했다"며 "메모리모듈이 지난해 말부터 DDR4 전환 시작돼 아비코전자의 칩저항 제품 실적이 증가할 전망"이라고 말했다. 이어 그는 "서버 및 PC 메모리모듈에는 칩저항이 다수 탑재돼 있는데 DDR2와 DDR3메모리 모듈에 탑재되는 칩저항이 같은 제품이었기 때문에 금번 DDR4 모듈용 칩저항 가격 프리미엄은 매우 높을 것"이라며 "2·4분기 하이닉스 서버용 DDR4 제품 출시 및 하반기 PC 시장 DDR4 전환으로 관련 수혜가 예상된다"고 덧붙였다. fact0514@fnnews.com 김용훈 기자

한양증권은 27일 오킨스전자에 대해 DDR4전환 가속화로 실적 모멘텀이 강화될 것이라고 전했다. 투자의견은 제시하지 않았다. 김연우 한양증권 연구원은 "이 회사는 반도체 검사용 소켓 제조 업체로 매출 구성은 번인소켓 60%, 테스트하우스 20%, 테스트소켓 10% 등으로 나누어져 있다"며 "번인테스트는 반도체의 고집적화 및 사용자 환경(반복, 고온, 장시간 등)이 높은 수준을 요구하면서 입출력이 잦은 DRAM의 오작동 여부를 체크하는 필수 테스트로 번인 소켓은 여기에 사용되는 소모성 커넥터를 말한다"고 설명했다. 김 연구원은 "전방산업의 우호적인 흐름 속에 이 회사는 0.35mm 미세피치에 강점을 보유하고 있고, 주요 고객사의 DDR4 전환 속도가 빨라지면서 번인소켓의 교체 수요가 급격히 늘어나는 시점"이라며 "특히, PC용 DDR4 적용이 확대되고 있는 가운데, 프리미엄급 스마트폰용 LPDDR4 채택 등으로 동사의 번인소켓 매출은 전년대비 큰 폭 성장이 가능하다"고 전했다. fact0514@fnnews.com 김용훈 기자

\r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r SK하이닉스가 세계 최초로 개발한 128GB DDR4 모듈 \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r \r SK하이닉스는 급변하는 메모리반도체 산업 환경에서도 경쟁력을 지속 강화하기 위해 꾸준히 노력하고 있다. 최근 메모리반도체 제품의 종류가 단품을 넘어 복합제품과 솔루션으로 확대되고 있으며, 과거 소수 고객을 대상으로 표준화된 제품을 공급해오던 시장 환경은 다수 고객을 대상으로 차별화된 솔루션을 공급해야 하는 상황으로 변하고 있기 때문이다.SK하이닉스는고용량 DDR4 제품으로 시장에 선제 대응하고 있다. DDR4는 기존 DDR3 대비 대기 전류는 30% 감소되고 전력소모는 DDR3L 대비 35% 줄어든 에너지 효율이 높은 제품이다.또 DDR3 보다 2배 이상 빠른 속도로 동작해 데이터 전송량을 크게 늘릴 수 있어 서버 고성능 추세에 따라 D램의 성능 확대 필요성이 대두되고 있는 시점에서 차세대 서버 D램 솔루션으로 부각되고 있다.지난해 4월 SK하이닉스는 20나노급 8Gb DDR4를 기반으로 세계 최대용량인 128GB(기가바이트) DDR4 모듈을 세계 최초로 개발했다. 지난해 10월에도 서버용 비휘발성 메모리 분야에 최대 용량인 16GB 제품을 세계 최초로 개발했다.이 제품은 한 모듈에 D램과 낸드플래시를 동시에 탑재해 예상치 못한 전원 손실에도 데이터를 안전하게 저장 및 복구할 수 있는 것이 특징이다.SSD 등 낸드플래시 솔루션 분야 역량도 꾸준히 강화하고 있다. SSD 시장은 모바일 환경 확대에 따라 서버용 제품의 수요가 늘어나고 있다. SK하이닉스는 2011년 4분기부터 PC 제조사들을 대상으로 SSD 비즈니스를 본격화 했으며, 다양한 인수 및 우수인력 확보 등 낸드플래시 솔루션 분야 역량 강화를 위해 다양한 노력을 기울이고 있다. 안승현 기자 \r