SK하이닉스가 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공개했다. 기존 '셀 미세화 방식'에서 벗어나 '수직적으로 쌓는 방식'으로 전환하겠다는 게 핵심이다. 차세대 D램 시장의 기술표준을 선도하겠다는 것으로 풀이된다. SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(CTO·사진)은 10일 일본 교토에서 열린 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'의 기조연설자로 나서서, 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵으로, 수직공법에 대해 발표했다. 차 원장은 "현재의 테크 플랫폼(여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 기술적인 틀)을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. '얼마나 더 작게 쪼개느냐'의 초미세화 공정 경쟁이 사실상 물리적 한계에 도달했다는 것을 말한다. 4F²(4F Square) VG(Vertical Gate) 플랫폼이란 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술을 말한다. 현재는 6F² 셀이 일반적이지만, 4F² 셀과 함께 회로부를 셀 영역 아래로 배치하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용하면 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 기대할 수 있다는 게 차 원장의 설명이다. IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며, 차세대 반도체, 인공지능(AI) 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다. 차 CTO는 4F² VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, 회사는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 아울러 구조적 혁신을 넘어 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 전했다. 차 CTO는 "2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 "앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다"고 밝혔다. soup@fnnews.com 임수빈 조은효 기자
2025-06-10 18:48:43[파이낸셜뉴스] SK하이닉스가 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵을 공개했다. 기존 '셀 미세화 방식'에서 벗어나 '수직적으로 쌓는 방식'으로 전환하겠다는 게 핵심이다. 차세대 D램 시장의 기술표준을 선도하겠다는 것으로 풀이된다. SK하이닉스 차선용 미래기술연구원장(CTO)은 10일 일본 교토에서 열린 'IEEE VLSI 심포지엄 2025'의 기조연설자로 나서서, 향후 30년을 이끌 차세대 D램 기술 로드맵으로, 수직공법에 대해 발표했다. 차 원장은 "현재의 테크 플랫폼(여러 세대에 걸쳐 적용할 수 있는 기술적인 틀)을 적용한 미세 공정은 점차 성능과 용량을 개선하기 어려운 국면에 접어들고 있다"며 "이를 극복하기 위해 10나노 이하에서 구조와 소재, 구성 요소의 혁신을 바탕으로 4F² VG 플랫폼과 3D D램 기술을 준비해 기술적 한계를 돌파하겠다"고 밝혔다. '얼마나 더 작게 쪼개느냐'의 초미세화 공정 경쟁이 사실상 물리적 한계에 도달했다는 것을 말한다. 4F²(4F Square) VG(Vertical Gate) 플랫폼이란 D램의 셀 면적을 최소화하고 수직 게이트 구조를 통해 고집적, 고속, 저전력 D램 구현을 가능하게 하는 차세대 메모리 기술을 말한다. 현재는 6F² 셀이 일반적이지만, 4F² 셀과 함께 회로부를 셀 영역 아래로 배치하는 웨이퍼 본딩 기술을 적용하면 셀 효율은 물론 전기적 특성까지 개선되는 효과를 기대할 수 있다는 게 차 원장의 설명이다. IEEE VLSI 심포지엄은 반도체 회로 및 공정 기술 분야에서 세계 최고 권위를 인정받는 학술대회다. 매년 미국과 일본에서 번갈아 개최되며, 차세대 반도체, 인공지능(AI) 칩, 메모리, 패키징 등 최첨단 연구 성과가 발표된다. 차 CTO는 4F² VG와 함께 3D D램도 차세대 D램 기술의 핵심 축으로 제시했다. 업계에서는 이 기술의 제조 비용이 적층 수에 비례해 증가할 수 있다는 관측이 있지만, 회사는 기술 혁신을 통해 이를 극복하고 경쟁력을 확보하겠다는 방침이다. 아울러 구조적 혁신을 넘어 핵심 소재와 D램 구성 요소 전반에 대한 기술 고도화를 추진해 새로운 성장 동력을 확보하고, 이를 통해 향후 30년간 D램 기술 진화를 지속할 수 있는 기반을 구축하겠다는 계획도 전했다. 차 CTO는 “2010년 전후만 하더라도 D램 기술은 20나노가 한계라는 전망이 많았으나 지속적인 기술 혁신을 통해 현재에 이르게 됐다"며 “앞으로 D램 기술 개발에 참여할 젊은 엔지니어들의 이정표가 될 중장기 기술 혁신 비전을 제시하고, 업계와 함께 협력해 D램의 미래를 현실로 만들어 가겠다”고 밝혔다. soup@fnnews.com 임수빈 조은효 기자
2025-06-10 09:26:01[파이낸셜뉴스] SK하이닉스는 24일 진행된 1·4분기 실적 발표 컨퍼런스콜에서 "수익성 뿐 아니라 매출액 기준으로도 올해 1·4분기 D램 시장 1위가 되었다는 발표는 회사가 고수익 인공지능(AI) 메모리 중심의 포트폴리오 전략을 수립하고 실행함으로써 D램 기술 리더십을 입증한 결과"라고 밝혔다. 앞서 시장조사기관 카운터포인트리서치는 올해 1·4분기 매출액 기준 SK하이닉스가 삼성전자를 제치고 처음으로 글로벌 D램 점유율 1위를 기록했다고 발표한 바 있다. SK하이닉스는 이어 "고대역폭메모리(HBM) 시장은 AI 반도체의 핵심 메모리로서 기술 선도력과 고객 맞춤형 대응력이 경쟁력을 좌우하는 시장"이라며 "고객 니즈에 선제적으로 대응할 수 있는 제품을 개발하고 안정적으로 양산을 하는 것이 중요하다"고 밝혔다. 그러면서 "회사는 기존의 HBM 개발과 양산 경험을 기반으로 6세대 HBM인 HBM4 역시 조기 양산을 위한 개발 그리고 고객 인증을 적극 추진하고 있고, 고객과 긴밀한 협업을 통해서 제품 완성도를 높이고 있다"고 덧붙였다. soup@fnnews.com 임수빈 기자
2025-04-24 10:26:15[파이낸셜뉴스] 장태수 SK하이닉스 부사장은 20일 "지금의 성공을 차세대 기술 개발로 이어가 1등 위상을 공고히 하는 데 최선을 다할 것"이라고 말했다. 장 부사장은 SK하이닉스 뉴스룸 인터뷰에서 "이번 6세대(1c) 더블데이트레이트5(DDR5) D램 개발로 SK하이닉스는 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것"이라며 이같이 밝혔다. 장 부사장은 20년간 메모리 선행 기술 및 소자 연구에 매진한 전문가로, 44나노미터(1nm=10억분의1m)부터 10나노까지 10세대에 걸쳐 핵심 기술 개발에 참여했다. '1c D램 개발 태스크포스(TF)'에서 소자 총괄 리더로 참여한 이후 장 부사장은 세계 최초로 최단기간 내 1c DDR5 D램을 개발하는 성과를 냈다. 1c 공정 기술은 메모리 성능을 높이고 전력 소비를 줄이는 첨단 선행 기술로, 고성능컴퓨팅(HPC)과 인공지능(AI) 성장의 필수 기술로 여겨진다. 장 부사장은 이 기술을 세계 최초로 개발한 성과에 대해 "초고속·저전력 제품을 선제적으로 고객에게 공급하고, 프리미엄 시장에 빠르게 진입해 초기 수요를 선점하는 효과를 얻을 수 있다"고 했다. 장 부사장은 이번에 개발한 기술이 고대역폭메모리(HBM) 성능을 높이는 데에도 기여할 것으로 기대했다. D램 셀 크기를 줄이면 HBM의 칩 크기와 높이를 유지하면서 용량을 늘릴 수 있고, HBM 내부에 다양한 설계를 시도해 여러 기능을 추가할 수 있기 때문이다. 장 부사장은 "미세화를 통해 작아진 칩과 감소한 전력은 HBM 열 관리에도 긍정적인 효과를 낸다"며 "이를 토대로 완성된 HBM은 AI 산업 발전을 가속할 것으로 예상한다"고 말했다. 이어 "데이터 저장을 담당하는 커패시터의 면적을 확보하기 위해 고유전율 소재 및 새로운 구조의 커패시터 개발에 주력하고 있다"며 미세공정 혁신에 속도를 내겠다는 포부를 밝혔다. 그는 "소통을 통해 서로의 실패를 공유하고 그것을 교훈 삼아 성장하는 문화를 조직에 내재화했다"며 "1c DDR5 D램은 이 문화 속에서 완성될 수 있었다"고 덧붙였다. 장 부사장은 앞서 지난 19일 열린 제52회 상공의날 기념식에서 10나노급 1c 미세공정 기술이 적용된 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발해 국내 반도체 산업 경쟁력을 높인 공로로 대통령 표창을 수상했다. soup@fnnews.com 임수빈 기자
2025-03-20 16:51:28【베이징=정지우 특파원】중국의 주요 D램 반도체 업체인 창신메모리테크놀로지(CXMT)가 LPDDR5 D램 메모리칩을 독자 개발하고 양산에 들어갔다. 사실이면 삼성과 격차는 4년이다. 29일 창신메모리는 전날 홈페이지에 국내 최초로 LPDDR5 D램 메모리칩을 개발했으며 12Gb LPDDR5, POP패키징 12GB LPDDR5 칩, DSC패키징 6GB LPDDR5칩 등 여러 개의 LPDDR5 시리즈를 출시한다는 공지를 올렸다. LPDDR5는 5세대 초저전력 D램이다. 이전 세대인 LPDDR4X와 비교해 용량과 속도를 50% 증가시킨 12Gb와 6400Mbps(초당 100만비트 전송 속도)를 각각 갖추면서도, 전력 소비는 30% 낮췄다. 창신메모리는 “제품 사용 성능을 종합적으로 향상시켜 시장 점유율도 빠르게 성장시킬 것”이라면서 “LPDDR5 제품은 현재 국내 주요 휴대폰 제조업체인 샤오미와 촨인 등 모델에서 검증을 완료했으며 시장화 속도를 전면적으로 가속화할 계획”이라고 주장했다. 관찰자망 등 중국 매체에 따르면 앞서 삼성은 2019년 7월 업계 최초로 12Gb LPDDR5 모바일 D램 양산을 발표했고, 마이크론은 2020년 2월 6GB, 8GB 및 12GB의 메모리 용량을 포함하는 LPDDR5 D램 칩 납품을 시작했다. SK하이닉스는 2021년 8월 18GB LPDDR5 모바일 D램 제품 양산을 시중에 알렸다. 단순 계산하면 삼성과 창신메모리의 기술 격차는 4년이다. 삼성 홈페이지를 보면 LPDDR5는 51.2 GB/s의 속도로 방대한 양의 데이터 전송이 가능하며 원활한 시스템 통신 덕분에 고성능 모바일과 자동차 환경에서 사용자 경험을 높여준다고 나와 있다. 다만 대량 생산 측면 측면에서도 삼성 등과 창신메모리의 차이는 아직 크다. 관찰자망은 시장조사기관 D램익스체인지를 인용, 올해 2·4분기 세계 D램 시장 규모는 전분기와 견줘 11.9% 증가한 106억7500만달러(약 13조7700억원)을 기록했으며 삼성과 SK하이닉스, 마이크론이 95%이상 점유하고 있다고 설명했다. 창신메모리는 D램의 설계, 연구 개발, 생산 및 판매를 위해 2016년 설립됐다. 허페이와 베이징에 12인치 웨이퍼 공장을 두고 있다. 미국은 지난해 10월 창신메모리를 수출 통제 대상에 포함시켰다. jjw@fnnews.com 정지우 기자
2023-11-29 16:09:25[파이낸셜뉴스] 검찰이 반도체 핵심기술을 국외로 유출한 혐의를 받는 전직 삼성전자 연구원을 재판에 넘겼다. 서울중앙지검 정보기술범죄수사부(이성범 부장검사)는 30일 산업기술보호법 및 부정경쟁방지법 위반(영업비밀국외누설 등), 업무상배임 혐의로 삼성전자 전 수석연구원 이모(51)씨를 불구속 기소했다. 이씨는 지난해 3~6월 외국 소재 반도체 관련 업체에 이직하기 위해 개인 이메일로 국가핵심기술과 영업비밀을 유출한 혐의를 받는다. 유출 자료에는 'D램 반도체 적층조립기술' 등 국가핵심기술 13건과 'D램 반도체 사업화 전략 자료' 등 영업비밀 100여건이 포함돼 있었던 것으로 확인됐다. 검찰 관계자는 "죄책에 상응하는 처벌이 이뤄질 수 있도록 공소유지에 만전을 기하는 한편, 향후에도 경제안보와 직결되는 기술유출 사범에 대해 엄정 대응하겠다"고 말했다. koreanbae@fnnews.com 배한글 기자
2023-08-30 16:40:53[파이낸셜뉴스] 삼성전자의 3세대 10나노급 D램 기술을 비롯한 16개 기술이 한국공학한림원의 '2020년도 산업기술 성과 16선'에 선정됐다. 올해 선정된 16가지 성과는 대한민국 주력산업의 고도화와 소재·부품·장비 및 소프트웨어의 경쟁력 강화 부분에서의 기술혁신이 돋보였다고 공학한림원에서 설명했다. 삼성전자의 3세대 10나노급 D램 기술은 세계 최소 셀 사이즈 한계를 극복한 기술로 평가 받았다. 초고속·저전력·초박막 회로 기술로 세계 최초 극자외선(EUV) 다중 패턴 양산 기술 등 신개념의 '3대 혁신 기술'을 개발해 독보적 제품 경쟁력을 확보했다. 이외에도 LS 일렉트릭의 '저압직류 전략기기', 현대자동차의 '스마트스트림 습식 8단 듀얼 클러치 변속기(DCT)', 현대건설의 '쿠웨이트 자베르 코즈웨이 건설공사', 한화솔루션의 '고순도 자일릴렌 디이소시아네이트', 포스코의 'LNG 저장탱크용 고망간강' 등은 한국의 주력산업 분야에서 해외 업체와의 기술격차를 벌리고 사업역량을 확보하는 데 기여했다. KMW의 '5G용 64TRX MIMO Radio 기술', 유진로봇의 '거리측정용 3D 라이다 센서', SK바이오팜의 '뇌전증 혁신신약 세노바메이트', 아모그린텍의 '고성능 방수음향 기능 제공 나노 멤브레인', 셀코스의 '융복합 나노코팅장비' 등 중견·중소기업의 소부장 경쟁력도 엿볼 수 있었다. 슈프리마의 '언더 디스플레이 지문인식 기술'등 소프트웨어 분야에서의 성과도 선정됐다. 권오경 공학한림원 회장은 "코로나19 팬데믹과 미·중 무역분쟁으로 갈수록 경기침체에 대한 우려가 커지는 가운데, 이번에 선정한 산업기술성과 16개 기술이 우리 산업을 재도약시키는 견인차가 되길 기대한다"고 밝혔다. 한편, 1200여명의 공학계 석학들과 산업계 리더들로 구성된 공학한림원에서는 최신 기술과 산업 동향을 공유하고, 국민들에게 산업기술의 중요성을 알리기 위해 2006년부터 매년 '산업기술성과 보고서'를 발간하고 있다. 공학한림원은 올해 산업분야에서 탁월한 기술력으로 높은 성과를 이룬 기술을 발굴하기 위해 전기전자정보공학분과, 기계공학분과, 건설환경공학분과, 화학생명공학분과, 재료자원공학분과 등 5개 전문분과위원회에서 분야별 최고의 전문가를 추천받아, 산업기술성과발굴위원회를 구성·운영했다. 산업기술성과 발굴위원회에서는 공학한림원 회원, 관련 기관 및 기업으로부터 2019년 하반기부터 2020년 상반기 사이에 성과를 낸 우수 기술들을 추천받아 이를 바탕으로 4개월간 심도 있는 논의를 거쳐 '한국공학한림원 선정 2020년 산업기술성과'를 선정했다. 선정 기준은 기술의 창조성 및 독자성, 채용된 제품의 시장 기여도, 그리고 사회적 파급효과 및 기여도 등이었다. monarch@fnnews.com 김만기 기자
2020-10-30 17:40:46SK하이닉스 미래기술연구원에서 근무하는 서성민 기정(사진)은 사고위험이 높은 확산(Diffusion) 장비를 안전하게 유지·관리하는 중임을 맡고 있다. 23년간 장비 엔지니어로서 수많은 장비의 성능을 개선한 공로를 인정받아 SK하이닉스 기술명장 1기 명단에 이름을 올린 능력자이다. 서 기정은 현장에서 잔뼈가 굵었다. 그가 현재 맡고 있는 장비만 17종, 100여대에 달한다. 서 기정은 "호기심이 강하고 새로운 아이디어가 떠오르면 현장에 직접 적용해 그 결과를 눈으로 직접 확인해야 직성이 풀리는 성격"이라며 "지금도 다른 산업 분야의 현장을 찾아 다니며 맡고 있는 업무에 적용할 부분이 있는지 늘 고민하고 있다"고 말했다. 지난 20여년간 설계상 결함으로 작업자들의 불편함을 야기하거나 높은 불량률로 작업효율을 떨어뜨리던 수많은 장비도 서 기정의 손을 거치면 새롭게 탄생한다. D램 제조공정 핵심장비의 국산화도 그의 노력이 녹아 있다. 서 기정은 "국산화에 성공한 장비는 D램 제조공정 중 게이트 제조에 활용되는 장비다. 기존에는 비싼 외산 장비를 들여와야 했는데 국산화에 성공, 수백억원가량의 투자비용 절감효과를 가져올 수 있었다. 이 성과는 기술명장 심사를 통과하는 데도 결정적인 역할을 했다"고 설명했다. SK하이닉스 기술명장은 현장에서 오래 근무한 직원들에게 명예를 부여하는 기존 명장제도와 달리 15년 차 이상의 젊은 현장 기술인재에게 더 큰 성장비전을 제시하기 위해 마련된 제도다. 기술명장으로 선발되면 기존 업무를 넘어 현장에 변화와 혁신을 가져올 수 있는 역량을 길러야 한다. 후배들에게 귀감이 되는 좋은 선배로 남고 싶다는 바람은 그의 행동에 무게를 더한다. 서 기정은 "기술명장이 되고 나서 책임감이 더욱 커졌다"면서 "기술명장으로서 보여지는 모습이 후배들에게 큰 영향을 미친다는 것을 깨달았다. 기술직 근무자들의 경우 기술명장 제도가 생기기 전에는 동기부여에 어려움을 겪었는데 지금은 후배들도 목표를 갖고 더 많이 노력하게 됐다"고 전했다. '안전'은 서 기정의 최우선 가치다. 최근에는 장비에 부착된 밸브 상태를 쉽게 확인할 수 있는 진단장치 개발을 위한 아이디어를 구상 중이다. 현재 진단기능까지 탑재한 밸브가 개발돼 있지만 너무 비싸 모든 현장에 적용하기 어렵기 때문에 합리적 비용으로 밸브의 안전상태를 확인할 수 있는 방법을 찾고 있는 것이다. 그는 "선배들이 앞장서서 근무환경을 바꿔 놓으면 후배들은 불편함을 느끼지 않아도 된다"며 "조금씩 불편을 개선해 나가면서 느끼는 보람도 크다"고 전했다. 서 기정은 내년 학위 취득을 목표로 산업경영공학과 박사과정을 수강하고 있다. 화학안전 분야의 이론 역량을 키워 곧 '서 박사'가 될 날도 머지않았다. km@fnnews.com 김경민 기자
2019-10-09 18:39:33D램 가격 하락이 계속되면서 삼성전자와 SK하이닉스 매출이 줄어든 것으로 나타났다. 세계 D램시장에서의 한국업체 점유율도 대만 업체들의 선전으로 75% 선이 무너졌다. 다만 수익성면에서는 한국 반도체업체들이 해외 경쟁업체를 월등히 앞서 나갔다. ■삼성·SK하이닉스 D램 매출 크게 줄어 19일 반도체 전자상거래사이트 D램익스체인지와 업계에 따르면 올해 1·4분기 글로벌 D램 산업 매출은 총 80억5600만달러로 집계됐다. 이는 전 분기 대비 16.6% 급감한 것이다. D램익스체인지는 "1·4분기에는 노트북 수요가 하향 조정됐고 스마트폰용 모바일 D램 수요와 관련해 공급과잉 문제도 불거졌다"고 분석했다. 이 기간 주요 업체들의 실적은 동반 부진했다. 특히 D램은 삼성전자와 SK하이닉스가 세계 1위, 2위를 굳건히 지키고 있는 분야여서 이들 기업에 적잖은 영향을 끼쳤다. 삼성전자의 D램 매출은 39억7200만달러로 전 분기(47억6200만달러)보다 16.6% 감소했다. SK하이닉스도 1분기 D램 매출이 23억1700만달러에 그쳐 전 분기(28억6500만달러)보다 19.2% 줄었다. 삼성전자의 시장 점유율은 46.4%로 전 분기와 같았고, SK하이닉스는 점유율이 27.1%로 전 분기(27.9%)보다 0.8%포인트 낮아졌다. 이들 업체와 D램 시장의 삼각 과점체제를 형성해온 미국 마이크론도 1·4분기 매출이 전 분기보다 18.4% 감소했다. 시장 점유율(18.5%)도 전 분기보다 0.4%포인트 내려갔다. 반면 존재감이 미미했던 난야(3.9%), 윈본드(1.8%) 등 대만 D램 업체 점유율은 조금 높아졌다. 국가별 점유율 합계는 한국이 74.4%로 미국(18.8%), 대만(6.8%)을 여전히 크게 압도했다. 그러나 한국의 점유율 합계(74.4%)는 대만 업체들의 선전으로 75% 선이 무너졌다. 전 분기 한국은 75.2%를 기록했다. 한국의 D램 점유율 합계는 2014년 3·4분기부터 지난해 3·4분기까지 다섯 분기 연속 신기록을 갈아치운 바 있다. ■미세공정기술 덕분 수익성은 월등 수익성에선 한국이 월등하다. 삼성전자와 SK하이닉스는 1·4분기 영업이익률이 각각 40%와 14%로 견조하다는 평가다. 이에 비해 마이크론은 지난해 4·4분기 8.5%였던 영업이익률이 올 1·4분기 1.2%까지 급락하는 등 '수익률 제고'에 총력을 기울이고 있다. 업계 관계자는 "전체 출하량 규모가 줄어들긴 했지만, 한국은 반도체 미세공정 기술의 진화로 수익성을 안정적으로 확보하고 있다"고 말했다. 반도체 미세공정은 나노미터(nm)의 수가 작을수록 수익성 커진다. 삼성전자는 현재 20nm에서 18nm로 미세공정을 바꾸고 있는데, 경쟁사 대비 기술력이 1~2년 앞 선 것으로 평가된다. 이에 따른 가격 경쟁력으로 상당 기간 절대우위를 점할 것으로 업계는 보고 있다. SK하이닉스는 지난해 4·4분기부터 21nm로 공정 전환을 시작했다. D램익스체인지는 "삼성전자는 단가가 계속 추락하는 상황에서도 수익성을 유지하고 있어 2·4분기에 반등할 여지가 있다"며 "SK하이닉스는 테스트 단계에 있는 21nm 공정의 안착 여부가 관건이 될 것"이라고 설명했다. km@fnnews.com 김경민 기자
2016-05-19 15:04:54삼성전자가 반도체 기술의 한계를 돌파하고, 세계 최초로 '10나노급 D램 시대'를 열었다. 삼성전자는 지난 2월부터 세계 최소 크기의 10나노급(1나노:10억분의 1미터) 8Gb(기가비트) DDR4(Double Data Rate 4) D램을 양산했다고 5일 밝혔다. 삼성전자는 2014년 세계 최초로 20나노 4Gb DDR3 D램을 양산한 데 이어, 이번 10나노급 8Gb DDR4 D램의 양산으로 다시 한번 반도체 미세공정의 한계를 돌파하며 메모리 기술의 새로운 이정표를 세웠다. 삼성전자 메모리사업부 전영현 사장은 "10나노급 D램은 글로벌 IT 고객들에게 최고 효율의 시스템 투자 솔루션을 제공할 것"이라며, "향후 차세대 초고용량 초절전 모바일 D램 출시를 통해 모바일 시장 선도 기업들이 더욱 혁신적인 제품을 적기에 출시해 글로벌 소비자의 사용 편리성을 대폭 향상하는데 기여해 나갈 것"이라고 밝혔다. 이번 제품에는 '초고집적 설계 기술'과 '사중 포토 노광 기술 (Quadruple Patterning Technique)', '초균일 유전막 형성 기술' 등 3가지 혁신 기술을 적용했다. 이에 따라 차세대 극자외선(EUV) 노광장비의 도입 없이도 10나노급 D램을 양산해 프리미엄 제품의 제조 경쟁력을 더욱 높였다. '초고집적 설계 기술'은 삼성전자가 독자적으로 개발한 차세대 반도체 설계 기술로, 이를 통해 20나노 8Gb DDR4 D램보다 생산성을 30% 이상 높였다. 또한 10나노급(1x) 8Gb DDR4 D램은 초고속·초절전 설계 기술을 적용해 기존 20나노 대비 동작속도가 30% 이상 빠른 3,200Mbps를 구현할 수 있고, 동작 상태에 따라 소비전력을 10%~20% 절감할 수 있어 차세대 엔터프라이즈 서버 시장에 최적의 솔루션을 제공한다. 삼성전자는 미세공정의 한계를 극복하기 위해 낸드플래시 양산에 적용한 '사중 포토 노광 기술'을 업계 최초로 D램에도 구현해 D램 핵심 공정 기술의 새로운 지평을 열었다. 사중 포토 노광기술(QPT, Quadruple Patterning Technique)은 초고집적으로 셀을 만들기 위해 한번의 포토공정으로 초미세 패턴을 4배 많이 형성하는 기술을 말한다. 셀(정보 저장의 최소 단위)이 트랜지스터 하나로 구성된 낸드플래시와 달리 D램은 트랜지스터와 캐패시터의 적층 구조로 셀이 구성된다. 이 때문에 10나노급 8Gb D램은 초고속으로 동작하는 트랜지스터 위에 고용량 캐패시터를 나노단위 간격으로 배열해 완벽하게 동작하는 셀을 80억개 이상 만들어야 하므로 미세화에 따른 개발 난이도가 높았다. 삼성전자는 이러한 D램의 공정 한계를 '사중 포토 노광 기술'을 통해 극복해 차세대 10나노급(1y) D램도 적기에 양산할 수 있는 기반 기술을 확보했다. 또한 D램은 초미세 캐패시터에 충분한 양의 전하를 저장하기 위해 '초균일 원자 유전막 형성 기술'이 필요하다. 10나노급 D램은 캐패시터의 유전막을 옹스트롬(10분의 1나노) 단위의 초박형 원자 물질로 균일하게 형성해 더욱 높은 속도에도 안정적으로 동작하는 우수한 셀 특성을 확보했다. 삼성전자는 올해 용량과 성능을 동시에 높인 10나노급 모바일 D램도 양산해 PC, 서버 시장에 이어 초고해상도 스마트폰 시장도 지속 선점한다는 전략이다. 향후 삼성전자는 PC용 4GB(기가바이트) DDR4 모듈을 시작으로 엔터프라이즈 서버용 128GB 모듈까지 풀 라인업을 구축하고, 초고용량 모바일 D램의 높은 수요 증가세에 맞춰 10나노급 생산 비중을 지속적으로 확대해 프리미엄 D램 시장의 성장세를 견인할 계획이다. courage@fnnews.com 전용기 기자
2016-04-05 08:33:08